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激光退火对CaSrSiO_(4)∶Tb^(3+)纳米荧光粉光致发光特性的改善 被引量:1
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作者 李成仁 王英贺 +2 位作者 赵倩昀 王晓娜 徐奇 《半导体光电》 CAS 北大核心 2021年第2期236-239,263,共5页
采用高温固相反应法制备了不同掺Tb浓度的CaSrSiO_(4)纳米荧光粉。TEM照片显示粉末颗粒为球状,直径30~50nm。XRD主要衍射峰与CaSrSiO_(4)基质基本一致,表明Tb离子掺入对CaSrSiO_(4)晶体结构影响较小。285nm紫外光激发下,观测到强的紫外... 采用高温固相反应法制备了不同掺Tb浓度的CaSrSiO_(4)纳米荧光粉。TEM照片显示粉末颗粒为球状,直径30~50nm。XRD主要衍射峰与CaSrSiO_(4)基质基本一致,表明Tb离子掺入对CaSrSiO_(4)晶体结构影响较小。285nm紫外光激发下,观测到强的紫外、蓝光和绿光等光谱,优化掺Tb浓度为0.7%。最后用CO_(2)激光器对CaSrSiO_(4)∶0.3Tb^(3+)荧光粉进行退火,发现光谱增强50%以上。同时讨论了退火工艺参数对荧光粉光致发光特性的影响。 展开更多
关键词 casrsio_(4)∶Tb^(3+)纳米荧光粉 光致发光特性 激光退火
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