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IGBT用氮化铝覆铜衬板可靠性研究
被引量：
5
1
作者
钱建波
黄世东
《大功率变流技术》
2017年第5期55-59,69,共6页
随着功率半导体器件特别是高压、大电流IGBT模块的快速发展和广泛应用,对封装材料中的陶瓷衬板提出了更高的要求,其中可靠性是其设计中最为关键的指标之一。活性金属钎焊工艺(AMB)制备的Al N陶瓷覆铜衬板因可靠性高而成为高压大功率IGB...
随着功率半导体器件特别是高压、大电流IGBT模块的快速发展和广泛应用,对封装材料中的陶瓷衬板提出了更高的要求,其中可靠性是其设计中最为关键的指标之一。活性金属钎焊工艺(AMB)制备的Al N陶瓷覆铜衬板因可靠性高而成为高压大功率IGBT模块封装中陶瓷衬板的首选。文章对比了AMB工艺和DBC工艺制备的Al N陶瓷覆铜衬板的剥离强度和热冲击性能,并提出了控制Ti N层厚度、增加铜箔边缘小孔深度和增加铜箔侧蚀量3种方法来提升AMB工艺制备的Al N覆铜衬板的可靠性。结果表明,可靠性提升后的Al N覆铜衬板耐热冲击可达到1 300次、剥离强度达到18 N/mm、空洞率达到0,性能优于国外产品,满足高压大功率IGBT模块封装技术要求。
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关键词
IGBT模块
a1n覆铜衬板
活性金属钎焊
可靠性
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职称材料
题名
IGBT用氮化铝覆铜衬板可靠性研究
被引量：
5
1
作者
钱建波
黄世东
机构
浙江德汇电子陶瓷有限公司
出处
《大功率变流技术》
2017年第5期55-59,69,共6页
文摘
随着功率半导体器件特别是高压、大电流IGBT模块的快速发展和广泛应用,对封装材料中的陶瓷衬板提出了更高的要求,其中可靠性是其设计中最为关键的指标之一。活性金属钎焊工艺(AMB)制备的Al N陶瓷覆铜衬板因可靠性高而成为高压大功率IGBT模块封装中陶瓷衬板的首选。文章对比了AMB工艺和DBC工艺制备的Al N陶瓷覆铜衬板的剥离强度和热冲击性能,并提出了控制Ti N层厚度、增加铜箔边缘小孔深度和增加铜箔侧蚀量3种方法来提升AMB工艺制备的Al N覆铜衬板的可靠性。结果表明,可靠性提升后的Al N覆铜衬板耐热冲击可达到1 300次、剥离强度达到18 N/mm、空洞率达到0,性能优于国外产品,满足高压大功率IGBT模块封装技术要求。
关键词
IGBT模块
a1n覆铜衬板
活性金属钎焊
可靠性
Keywords
IGBT module
a1
n
ceramic substrate
active metal brazi
n
g（AMB）
reliability
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
IGBT用氮化铝覆铜衬板可靠性研究
钱建波
黄世东
《大功率变流技术》
2017
5
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