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辉光放电预处理对聚酰亚胺绝缘子真空沿面闪络电压的影响 被引量：1
1
作者 曾凡辉 赵军平 +2 位作者 张佳 张乔根 程杰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期130-133,共4页
为提高绝缘子的真空沿面闪络电压,采用氩气下辉光放电对绝缘子进行处理,研究了辉光放电频率、放电电流大小和处理时间对绝缘子真空闪络电压的影响。结果表明,辉光放电能极大提高绝缘子的真空闪络电压。未处理的绝缘子真空闪络电压为55k... 为提高绝缘子的真空沿面闪络电压,采用氩气下辉光放电对绝缘子进行处理,研究了辉光放电频率、放电电流大小和处理时间对绝缘子真空闪络电压的影响。结果表明,辉光放电能极大提高绝缘子的真空闪络电压。未处理的绝缘子真空闪络电压为55kV左右;经高频辉光放电预处理40min后,绝缘子真空闪络电压达到100kV;经工频辉光放电预处理40min后,绝缘子真空闪络电压可达125kV,高出高频下25kV;同时,辉光放电电流(数十mA)越大,处理后的绝缘子真空闪络电压越高,但随着辉光放电电流的增大,闪络电压的增加幅度趋于饱和。 展开更多
关键词 聚酰亚胺 真空闪络 辉光放电 饱和闪络电压
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