安森美半导体公司（O N Semiconductor）日前推出全新系列的高性能VCE（sat）双极结晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT），可降低电路总成本，并为各种便携式应用如手机、PDA、媒体播放器、笔记本电脑和数码相机等提供更高的电...安森美半导体公司（O N Semiconductor）日前推出全新系列的高性能VCE（sat）双极结晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT），可降低电路总成本，并为各种便携式应用如手机、PDA、媒体播放器、笔记本电脑和数码相机等提供更高的电源效率和更长的电池寿命。展开更多
对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照试验,研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显示在质子、γ射线辐照下,电荷耦合器件的饱和输出电压显著退化,而在1 Me V中子辐照下,饱和输出电压基本保...对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照试验,研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显示在质子、γ射线辐照下,电荷耦合器件的饱和输出电压显著退化,而在1 Me V中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力。分析认为饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响,一方面辐射感生界面态导致阈值电压正向漂移使耗尽层可存储最大电荷量下降;另一方面电离辐射损伤使电荷耦合器件片上放大器增益减小导致饱和输出电压下降。展开更多
随着电力行业技术和管理水平的不断提高,变电站的运行可靠性越来越强,但是因10 k VTV发生烧毁引起主变压器低压侧断路器跳闸,10 k V母线失压,设备损坏的事情仍然经常发生。文章结合实际案例分析了变电站10 k V母线电压互感器损坏原因并...随着电力行业技术和管理水平的不断提高,变电站的运行可靠性越来越强,但是因10 k VTV发生烧毁引起主变压器低压侧断路器跳闸,10 k V母线失压,设备损坏的事情仍然经常发生。文章结合实际案例分析了变电站10 k V母线电压互感器损坏原因并针对此类事故提出了处理对策。展开更多
文摘对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照试验,研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显示在质子、γ射线辐照下,电荷耦合器件的饱和输出电压显著退化,而在1 Me V中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力。分析认为饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响,一方面辐射感生界面态导致阈值电压正向漂移使耗尽层可存储最大电荷量下降;另一方面电离辐射损伤使电荷耦合器件片上放大器增益减小导致饱和输出电压下降。
