硫系非晶态半导体人工神经突触的可塑性

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作者 陈直 曾敏 +1 位作者 范晓燕 原甜甜 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第1期90-95,共6页

模拟大脑中的神经突触是实现下一代计算机--类脑神经形态计算的关键一步。为了利用光子模拟神经突触的可塑性进而发展全光人工神经突触器件,文章开展了基于可控光诱导抑制效应的硫系非晶态半导体人工神经突触的实验研究。分析了材料化... 模拟大脑中的神经突触是实现下一代计算机--类脑神经形态计算的关键一步。为了利用光子模拟神经突触的可塑性进而发展全光人工神经突触器件,文章开展了基于可控光诱导抑制效应的硫系非晶态半导体人工神经突触的实验研究。分析了材料化学组分和抽运光功率对该人工神经突触的调控作用,描述了该人工神经突触的可塑性。结果表明掺入不同杂质的硫系非晶态半导体平面波导具有不同的可控光诱导抑制过程,且抑制深度受控于抽运光功率的变化。基于这些特性,该人工神经突触展现出了配对脉冲易化功能、短程抑制功能、长程抑制功能,具有良好的可塑性。 展开更多

关键词 人工神经突触 可塑性 硫系非晶态半导体 可控光诱导抑制效应

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非晶态半导体多层膜结构的低角度X射线衍射研究 被引量：1

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作者 徐骏 姜建功 +1 位作者 蒋树声 陈坤基 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第2期224-229,共6页

本文报道了用低角度x射线衍射(LXD)技术研究由a-Si:H与a-SiCx:H构成的组分调制多层膜的周期性,厚度、界而平整度及微结构.结果表明,大多数样品结构具有原子尺度的平整度及陡峭的界而。由衍射峰的位置与强度定出的调制厚度与由生长速率... 本文报道了用低角度x射线衍射(LXD)技术研究由a-Si:H与a-SiCx:H构成的组分调制多层膜的周期性,厚度、界而平整度及微结构.结果表明,大多数样品结构具有原子尺度的平整度及陡峭的界而。由衍射峰的位置与强度定出的调制厚度与由生长速率估计的结果符合得较好。对由辉光放电法制备的样品,由于气流影响而引起的周期结构的涨落作了观测和讨论。 展开更多

关键词 非晶态半导体 多层膜 X射线 衍射

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非晶态半导体的电学特性分析 被引量：1

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作者 齐吉泰 于长兴 《绥化师专学报》 2004年第2期141-142,共2页

对非晶态半导体的禁带中缺陷定域态 ,导带 (或价带 )扩展态 ,导带 (或价带 )带尾部定域态中的载流子导电的规律性进行了定性和定量的分析 ,给出了电导率和温度的关系。

关键词 非晶态半导体 电学特性 电导率 温度 缺陷定域态 导带扩展态

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非晶态半导体中的分形结构

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作者 林鸿溢 《化学研究与应用》 CAS CSCD 1991年第4期34-39,共6页

非晶态半导体硅(α-Si:H)薄膜作为新型的光电子材料,近年来备受关注,发展迅速。但其晶化机理有待深入探索。用分形理论所作的分析表明,在一定条件下,a-Si:H薄膜中形成的微结构具有分形性质。本文计算了分维值,讨论了a-Si:H薄膜结构弛豫... 非晶态半导体硅(α-Si:H)薄膜作为新型的光电子材料,近年来备受关注,发展迅速。但其晶化机理有待深入探索。用分形理论所作的分析表明,在一定条件下,a-Si:H薄膜中形成的微结构具有分形性质。本文计算了分维值,讨论了a-Si:H薄膜结构弛豫(相变)与分形结构形成的关联,和非晶硅薄膜可能的晶化机理。并研究了在高真空中用透射电子显微镜(TEM)及动态方法跟踪观测a-Si:H薄膜原位(in situ)退火过程中发生的晶化现象,获得晶化形貌的显微图像。利用图像处理技术对显微像进行光电转换,A/D转换和数字计算,得到a-Si:H薄膜样品在不同退火条件下,显微象的Sandbox关系曲线。从而获得薄膜中形成不同分形结构的分维。文中给出应用分形理论对非晶态半导体薄膜进行分析的技术细节。 展开更多

关键词 非晶态半导体 晶化 图像处理 分形结构 相变

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非晶态半导体的光吸收

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作者 齐吉泰 侯冰心 《绥化学院学报》 2006年第6期171-172,共2页

光与非晶态半导体作用所产生的光吸收包括本征吸收、激子吸收、自由载流子吸收、声子吸收及杂质吸收等,由于吸收方式不同,它们分别发生在不同的光谱波段。

关键词 非晶态半导体 光吸收 激子 本征 自由载流子

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架起电线 接收阳光——利用非晶态半导体向太阳索取电力

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作者 林鸿溢 《中国科技信息》 1998年第2期18-18,共1页

非晶态半导体研究的迅速发展与其技术应用的最初发现有着密切关系。对非晶态半导体材料的技术应用探索始于20年前,当时一位年轻的美国技师奥弗辛斯基用硫系玻璃材料,发明了新型的非晶态半导体开关器件,立即轰动了全世界的电子工业界。... 非晶态半导体研究的迅速发展与其技术应用的最初发现有着密切关系。对非晶态半导体材料的技术应用探索始于20年前,当时一位年轻的美国技师奥弗辛斯基用硫系玻璃材料,发明了新型的非晶态半导体开关器件,立即轰动了全世界的电子工业界。这项发明的意义不仅仅限于开关器件本身,更重要的是这一发明打破了人们的传统观念。 展开更多

关键词 非晶态半导体 半导体 太阳能发电

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非晶态半导体多层膜的TEM及HREM研究

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作者 毛国民 陈坤基 +2 位作者 严勇 陈峻 冯端 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第3期42-49,共8页

本文介绍了非晶态半导体多层膜剖面电镜样品的一种制备方法.报导了周期性调制和准周期性调制的非晶态半导体多层膜的剖面透射电了显微像和其对应的电子衍射花样的性质.通过高分辨电子显微像,研究了组成多层膜的子层材料的微观结构特性... 本文介绍了非晶态半导体多层膜剖面电镜样品的一种制备方法.报导了周期性调制和准周期性调制的非晶态半导体多层膜的剖面透射电了显微像和其对应的电子衍射花样的性质.通过高分辨电子显微像,研究了组成多层膜的子层材料的微观结构特性和异质结的界面性质. 展开更多

关键词 非晶态半导体 多层膜 TEM HREM

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非晶态半导体的费米能级

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作者 成万英 《山东工业大学学报》 1989年第4期87-91,共5页

1 引言非晶态半导体按性质可分为两大类。一类是由四族和五族元素构成的非晶态半导体。它们具有N型温差电动势率,低温下出现变程跳跃,存有电子顺磁共振信号,通过改变缺陷的电子密度可使费米能级移动。与此相反,硫系玻璃通常具有P型温差... 1 引言非晶态半导体按性质可分为两大类。一类是由四族和五族元素构成的非晶态半导体。它们具有N型温差电动势率,低温下出现变程跳跃,存有电子顺磁共振信号,通过改变缺陷的电子密度可使费米能级移动。与此相反,硫系玻璃通常具有P型温差电动势率,低温下不出现变程跳跃,也没有电子顺磁共振信号,其费米能级随缺陷的电子密度不发生显著变化。为了说明这种现象。 展开更多

关键词 非晶态半导体 费米能级

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非晶态As2S8半导体薄膜的光致结构变化效应研究 被引量：2

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作者 邹林儿 陈抱雪 +3 位作者 杜丽萍 袁一方 浜中广见 矶守 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1001-1005,共5页

实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象·采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜... 实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象·采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象·实验表明,淀积态As2S8薄膜经紫外光照后,折射率变化的最大增量可达到0.06,而退火态As2S8薄膜经紫外光照射后,其折射率最大变化比前者要小一个数量级,约为0.0057·淀积态和退火态两种膜系紫外光照后,体积缩小,这与As2S3非晶态薄膜的情况不同,体积变化率分别为-3.5%和-2.1%·实验还显示,退火态的As2S8薄膜存在折射率完全可逆现象· 展开更多

关键词 非晶态半导体 As2S8半导体薄膜 光折变效应 光致体积变化

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用热激电导谱确定非晶态半导体能隙态密度的研究 被引量：2

10

作者 朱美芳 许政一 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第12期1988-1995,共8页

本文用较完整的热激电导理论分析方法,处理非晶态半导体的热激电导谱,获得a-Si:H薄膜和a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格中能隙上半部缺陷态密度的分布。其结果与用Fritzsche的理论分析方法获得的态密度分布一致。进一步比较了两种处理方法的主... 本文用较完整的热激电导理论分析方法,处理非晶态半导体的热激电导谱,获得a-Si:H薄膜和a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格中能隙上半部缺陷态密度的分布。其结果与用Fritzsche的理论分析方法获得的态密度分布一致。进一步比较了两种处理方法的主要特点,讨论了它们的特征参量,最大热发射能级E_m与准费密能级E_q之间的关系。结果证明,a-Si:H热激电导的分析应用弱复合情况处理,热激载流子的再俘获不能忽略。表明Gu等人的理论分析进一步改进了对非晶态半导体热激电导谱的处理。 展开更多

关键词 非晶态半导体 热激电导 能隙态密度

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非晶态As_2S_8半导体薄膜波导的热处理效应

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作者 邹林儿 陈抱雪 +3 位作者 杜丽萍 刘小青 浜中广见 矶守 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1307-1311,共5页

研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折... 研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm. 展开更多

关键词 硫系非晶态半导体 As2S8薄膜波导 热处理效应 光传输

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非晶态半导体的现状与展望

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作者 孔光临 《物理》 CAS 北大核心 1989年第9期537-539,534,共4页

本文将使搬地介绍了非晶态半导体的发展悄况，阐述了当前非晶态半导体的前沿课题以及器件应用情况，井预期非晶态半导体将有较大的发展．

关键词 非晶态半导体 半导体 现状

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非晶态半导体

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作者 宁圃奇 《国外科技新书评介》 2016年第7期2-3,共2页

非晶态半导体是具有半导体性质的非晶态材料，是半导体的一个重要部分。非晶态半导体在多种应用领域中都存在着巨大的潜力，其中，非晶硫早已广泛应用在复印技术中，由As—Te—Ge—Si系玻璃半导体制作的可改写存储器已有商品问世，利用... 非晶态半导体是具有半导体性质的非晶态材料，是半导体的一个重要部分。非晶态半导体在多种应用领域中都存在着巨大的潜力，其中，非晶硫早已广泛应用在复印技术中，由As—Te—Ge—Si系玻璃半导体制作的可改写存储器已有商品问世，利用光脉冲玻璃化碲微晶薄膜制作的光存储器正在研制之中， 展开更多

关键词 非晶态半导体 光存储器 非晶态材料 半导体性质 玻璃半导体 复印技术 微晶薄膜 可改写

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透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 被引量：8

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作者 王中健 王龙彦 +2 位作者 马仙梅 付国柱 荆海 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期210-216,共7页

透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高... 透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。 展开更多

关键词 透明非晶态氧化物半导体 薄膜晶体管 有源矩阵有机发光二极管 有源矩阵电泳显示器 集约化模型

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氢化硅基非晶体半导体效应与吸收肩的氢键解释

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作者 苏辉 邹永庆 《半导体杂志》 1997年第1期17-19,共3页

报导了非晶体半导体中的氢键模型,并满意地用该模型解释了氢化硅基非晶半导体的Staeber-Wronski效应和吸收边展宽之"肩"。

关键词 非晶态半导体 光电特性 氢键模型

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Cd组分x对非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜暗电导的影响

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作者 余连杰 史衍丽 +1 位作者 苏玉辉 李雄军 《红外技术》 CSCD 北大核心 2017年第1期32-35,共4页

利用射频溅射方法制备了非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜(x=0,0.22,0.50,0.66,1),在80 K^300 K温度范围内,研究了Cd组分x对暗电导的影响。当温度T>210 K时,随着Cd组分增加,暗电导减小;当温度T<210 K,随着Cd组分增加,则暗电导增大;当温度... 利用射频溅射方法制备了非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜(x=0,0.22,0.50,0.66,1),在80 K^300 K温度范围内,研究了Cd组分x对暗电导的影响。当温度T>210 K时,随着Cd组分增加,暗电导减小;当温度T<210 K,随着Cd组分增加,则暗电导增大;当温度T=210 K时,暗电导几乎与Cd组分无关。这可能是由于随着Cd组分增加,薄膜中的缺陷增加所致。a-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0、0.22、0.50、0.66和1)薄膜中存在扩展态电导和局域态电导,Cd组分x越大,两种导电机制的转变温度Tm也越高。在T=300 K时,利用暗电导的激活能估算出了非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜的迁移率隙Eg,随着Cd组分x增加,迁移率隙Eg微弱减小。 展开更多

关键词 非晶态半导体 非晶态碲镉汞 暗电导 导电机制

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试评《半导体物理学》的特色

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作者 田敬民 《中国大学教学》 1993年第4期32-32,共1页

关键词 半导体物理学 教学活动 霍耳效应 物理基础 非晶态半导体 量子化 经典内容 电子类 实际应用意义 重大研究成果

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非晶态Se的玻璃转变 被引量：2

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作者 庞德兴 王景唐 +1 位作者 丁炳哲 李智贤 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期B321-B324,共4页

本文利用DSC差热分析、红外吸收光谱和正电子湮没试验,研究了硫系非晶态半导体Se的玻璃转变。结果表明,可用Mott等人提出的MDS模型和Kaster等人提出的换价理论对非晶Se的玻璃转变进行解释。

关键词 非晶态半导体 硒 玻璃转变

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卤素掺杂非晶态As2,Se3中电子能级结构

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作者 张干城 范志兵 《复印》 1991年第1期6-8,共3页

关键词 电子能级 卤素 掺杂 非晶态半导体

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非晶态硫半导体及相关材料

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作者 吴永礼 《国外科技新书评介》 2012年第6期21-21,共1页

近年来，非晶固体的光子、电子和光电应用迅速增长。非晶或玻璃态硫是一种非晶态的热力学亚稳态固体。这种材料具有与结晶固体完全不同的性能，本书详细介绍非晶态硫半导体及相关材料，讨论了它们的技术应用，如非线性光学纤维、DVD和... 近年来，非晶固体的光子、电子和光电应用迅速增长。非晶或玻璃态硫是一种非晶态的热力学亚稳态固体。这种材料具有与结晶固体完全不同的性能，本书详细介绍非晶态硫半导体及相关材料，讨论了它们的技术应用，如非线性光学纤维、DVD和高分辨率的乳腺x射线图像探测器、以及带玻璃半导体的非晶态半导体。评述硫系玻璃、非晶态半导体和光子学玻璃这类材料的科学和技术发展，通过基本原理和应用为读者提供理解这类材料性能和技术的固态科学。 展开更多

关键词 非晶态半导体 材料性能 硫系玻璃 非晶固体 光电应用 图像探测器 玻璃半导体 光学纤维

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