静电感应晶闸管（SITH）的理论分析 被引量：2

1

作者 李思渊 刘瑞喜 +2 位作者 刘肃 杨建红 李成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期22-25,共4页

首先对ＳＩＴＨ正向通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释。然后通过解析方法得到了ＳＩＴＨ沟道的电势分布，在此基础上，用有限差分法和迭代法求解了精确的沟道电势，得到了马鞍状的势分布，进而研究了沟道势垒随偏压的变化... 首先对ＳＩＴＨ正向通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释。然后通过解析方法得到了ＳＩＴＨ沟道的电势分布，在此基础上，用有限差分法和迭代法求解了精确的沟道电势，得到了马鞍状的势分布，进而研究了沟道势垒随偏压的变化。发现栅压对沟道势垒的控制是直接而灵敏的，为栅极强迫关断提供了物理基础，所得结果可使我们对ＳＩＴＨ作用机制的理解更加清楚，同时为器件的设计制造提供了参考依据。 展开更多

关键词 静电感应晶闸管 特性 分析 场感应器件 SITH

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100A/1200V静电感应晶闸管的设计 被引量：1

2

作者 李思渊 黄仕琴 +3 位作者 薛传明 刘瑞喜 张明兰 梁元涛 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期44-47,共4页

分析了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，结合制管经验进行了１００ Ａ／１ ２００ Ｖ 器件的结构（ 版图） 设计、工艺设计，给出了有关结果．

关键词 静电感应晶闸管 电参数 结构参数 设计 SITH

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静电感应晶闸管（SITH）的理论分析（续）

3

作者 李思渊 刘瑞喜 +2 位作者 刘肃 杨建红 李成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期41-47,共7页

静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）的理论分析（续）兰州大学（兰州７３０００１）李思渊，刘瑞喜，刘肃，杨建红，李成３沟道电势的解析理论３．１　模型ＳＩＴＨ的开通与关断，从根本上说来决定于沟道势垒的存在及其随偏压的变化。因此，对... 静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）的理论分析（续）兰州大学（兰州７３０００１）李思渊，刘瑞喜，刘肃，杨建红，李成３沟道电势的解析理论３．１　模型ＳＩＴＨ的开通与关断，从根本上说来决定于沟道势垒的存在及其随偏压的变化。因此，对沟道势垒的分析成为研究问题的核心。... 展开更多

关键词 静电感应晶闸管 SITH 分析

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静电感应晶闸管负阻特性的数值模拟

4

作者 杨军 蒋孟衡 +1 位作者 杨定宇 涂小强 《西南民族大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第5期1025-1029,共5页

运用半导体器件数值模拟中的漂移-扩散模型,对静电感应晶闸管(SITH)的负阻转折特性进行了模拟和分析.通过对器件内场和载流子分布的模拟,揭示了SITH的负阻转折特性是源于高电平下双注入的加强以及伴随的耗尽层的收缩.模拟结果与实验结... 运用半导体器件数值模拟中的漂移-扩散模型,对静电感应晶闸管(SITH)的负阻转折特性进行了模拟和分析.通过对器件内场和载流子分布的模拟,揭示了SITH的负阻转折特性是源于高电平下双注入的加强以及伴随的耗尽层的收缩.模拟结果与实验结果吻合较好,对器件的设计与优化具有指导意义. 展开更多

关键词 静电感应晶闸管 负阻转折 数值模拟

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表面型静电感应晶闸管负阻导通特性的研究

5

作者 季涛 杨利成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期325-328,共4页

运用漂移-扩散模型,对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟。分析表明,表面型静电感应晶闸管(SITH)具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性,而且表面型结构的各电极相对面积比纵向结构要小很多,阴极和栅极之间的电容更小,从而... 运用漂移-扩散模型,对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟。分析表明,表面型静电感应晶闸管(SITH)具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性,而且表面型结构的各电极相对面积比纵向结构要小很多,阴极和栅极之间的电容更小,从而具有更快的开关速度和更高的灵敏度。对表面型SITH的电势分布、载流子分布以及阳极I-V特性进行了深入地计算和分析。显示数值模拟结果十分接近实际测量结果,模拟中也发现栅极的位置对栅极的控制性能的影响很大。 展开更多

关键词 静电感应晶闸管 表面型 双注入效应 势垒 鞍点

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大功率硅-硅直接键合静电感应晶闸管的研制

6

作者 姜岩峰 黄庆安 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期416-419,共4页

文章提出了用硅硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断阳极电压的能力。对键合过程中硅硅界面进行了研究,提出了提高界面质量的工艺措施;同时,给出了控制栅阴极... 文章提出了用硅硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断阳极电压的能力。对键合过程中硅硅界面进行了研究,提出了提高界面质量的工艺措施;同时,给出了控制栅阴极击穿电压一致性的方法。对采用此方法制成的SITH的IV特性进行了测量,并给出了实际测试结果。 展开更多

关键词 硅-硅直接键合 静电感应晶闸管 电力器件

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静电感应晶闸管（SITH）沟道势垒的分析 被引量：3

7

作者 李思渊 刘瑞喜 +3 位作者 李成 席传裕 刘肃 杨建红 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期78-88,共11页

首先对ＳＩＴＨ通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释，然后在解析方法所得沟道电势分布表达的基础上，用有限差分法和迭代法精确地求解了沟道电势，得到了马鞍状的势分布，进而研究了沟道势垒随偏压的变化。

关键词 静电感应晶闸管 沟道 势垒 晶闸管

全文增补中

静电感应晶闸管在电源电路中的应用研究

8

作者 王为善 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期57-59,68,共4页

在测试分析了国产静电感应晶闸管(SITH)主要性能的基础上,研制出几种驱动电路,并用它们作为主开关器件制成三种电源电路。对这三种电路的测试表明,静电感应晶闸管是具有良好特性的电力电子器件。国产器件可以针对应用改变设计,取得与应... 在测试分析了国产静电感应晶闸管(SITH)主要性能的基础上,研制出几种驱动电路,并用它们作为主开关器件制成三种电源电路。对这三种电路的测试表明,静电感应晶闸管是具有良好特性的电力电子器件。国产器件可以针对应用改变设计,取得与应用的最佳配合。 展开更多

关键词 静电感应晶闸管 电源电路 SITH 驱动电路 开关电源 功率因数

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大有发展前途的新型半导体器件——静电感应晶体管和静电感应晶闸管

9

作者 方凯 王荣 罗永春 《微处理机》 1990年第2期32-39,共8页

为了满足和推动电子器件向高频大功率方向发展,寻求一种新型晶体管,即静电感应晶体管(static induction transistor:SIT),也称为第三种类型晶体管。本文较为详细的阐述其组成结构工作原理和实验特性。并指出结构设计和工艺概要。

关键词 静电感应晶体管 静电感应晶闸管 半导体器件 transistor 功率方向 场效应晶体管 结构设计 多数载流子 极型 五极管

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静电感应晶闸管(SITH)的研究

10

作者 王为善 《江苏技术师范学院学报》 2002年第4期1-6,共6页

从应用角度出发 ,测量分析了国产静电感应晶闸管 (SITH)的主要电参数 ,特别是在开启、关断特性上作了详细的研究。测试表明SITH器件达到较好的应用水平。并且与其它电力电子器件比较 。

关键词 静电感应晶闸管 SITH 开启特性 关断特性 电参数

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静电感应晶闸管静态特性的仿真模拟 被引量：1

11

作者 薛伟东 李思渊 +1 位作者 刘英坤 刘英坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第9期68-71,共4页

引入了一种SITH仿真模型。结合实验数据,利用PSPICE模拟软件,从等效电路的角度对静电感应晶闸管（SITH）进行了正向导通,类三极管正向阻断、负阻转折特性的仿真模拟。

关键词 静态特性 静电感应晶闸管 负阻转折 仿真模拟 SITH 正向导通

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100A/1200V静电感应晶闸管参数设计的探讨

12

作者 薛传明 李思渊 +1 位作者 刘瑞喜 黄仕琴 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1999年第3期51-53,共3页

讨论了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，以及电参数的工艺调节。设计了１００Ａ／１２００Ｖ的器件并给出了研制结果。

关键词 晶闸管 静电感应晶闸管 电参数 参数设计

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静电感应晶闸管的负阻转折特性分析

13

作者 张荣 刘肃 李海蓉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1088-1091,共4页

描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性。从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综... 描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性。从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综合作用的过程。得到SITH的负阻转折属于高电平下空间电荷效应和复合效应共同限制的双注入问题,是几种重要物理效应共同作用的结果。 展开更多

关键词 静电感应晶闸管 负阻转折特性 双注入 高电平 复合效应

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静电感应晶闸管的工艺控制和参数调节

14

作者 孟雄晖 李思渊 姜岩峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期25-27,共3页

以静电感应晶闸管(SITH)的长期工艺实践为基础,总结和研究了器件结构参数对SITH主要性能参数的影响,并分析了其原因。

关键词 静电感应晶闸管 工艺控制 参数调节

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静电感应晶闸管的应用研究

15

作者 李定 王为善 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期58-60,共3页

从应用角度出发,测量分析了国产静电感应晶闸管(SITH)的主要电参数,特别是在开启、关断特性上作了详细的研究。针对应用较多的领域,研究出了四种各具特色、适用不同场合的驱动电路。测试表明这些电路可以使SITH器件达到较好的应用水平。

关键词 静电感应晶闸管 开启特性 关断特性 驱动电路 SITH

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静电感应晶闸管开通过程的研究

16

作者 聂政 李思渊 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2011年第1期106-108,共3页

深入研究了静电感应晶闸管的开通时间、关断时间,它们受空穴存贮时间、栅宽、n-区的厚度、阳极电流及栅极抽出的峰值电流的影响,在工艺中需要折衷考虑。研究结果对于静电感应器件,特别是对于静电感应晶闸管的设计和制造有一定的实用价值。

关键词 静电感应晶闸管 开通时间 关断时间

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静电感应晶闸管耐压参数的控制

17

作者 郭聚卿 李峰 +1 位作者 吴烈琴 刘兴民 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2003年第2期79-81,共3页

讨论了静电感应晶闸管中的两个耐压参数———正向阻断电压和栅—阴击穿电压 。

关键词 静电感应晶闸管 耐压参数 控制 正向阻断电压 栅-阴击穿电压

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简介静电感应晶体管和静电感应晶闸管

18

作者 曲学基 《UPS应用》 2015年第5期40-45,共6页

静电感应晶体管（SIT）和静电感应晶闸管（SITH）是两种结构与原理有许多相似之处的新型高频大功率电力电子器件。是利用静电感应原理控制工作电流的功率开关器件，文中简介它们的结构工作原理、基本特性和某些应用。

关键词 静电感应晶闸管 静电感应晶体管 电力电子器件 功率开关器件 工作原理 高频大功率 工作电流 结构

原文传递

半导体静电感应器件

19

《传感器世界》 2006年第11期41-41,共1页

静电感应器件（SID）是一类新型电力半导体器件的总称，它主要包括静电感应器件管SIT、双极型静电感应晶体管BSIT、静电感应晶闸管SITH等三大类。与现用的晶体管和电子管比较，使用静电感应器件最明显的优点一是可实现功率变频。从而达... 静电感应器件（SID）是一类新型电力半导体器件的总称，它主要包括静电感应器件管SIT、双极型静电感应晶体管BSIT、静电感应晶闸管SITH等三大类。与现用的晶体管和电子管比较，使用静电感应器件最明显的优点一是可实现功率变频。从而达到高效节能（节能效果可高达40％），二是可优化产品结构、大幅度缩小产品体积，降低原材料消耗。 展开更多

关键词 静电感应器件 电力半导体器件 静电感应晶体管 静电感应晶闸管 产品结构 BSIT SITH 节能效果

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SI晶闸管的高频化技术

20

作者 宫崎聪 王渤洪 《大功率变流技术》 1994年第6期37-40,共4页

本文叙述了试制的1200V/50A级MSIT晶闸管的特性,并介绍了用电子辐照控制少子寿命与特性的关系。

关键词 静电感应晶闸管 高频技术 特性曲线

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