期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到61篇文章
< 1 2 … 4 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
钛掺杂介孔二氧化硅薄膜的制备与表征(英文) 被引量：1
1
作者 岳春晓 姚兰芳 鲁凤芹 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A02期217-220,共4页
采用溶胶-凝胶工艺,选用表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,通过正硅酸乙酯(TEOS)和钛酸丁酯(TPOT)的分步水解得到均匀的SiO2-TiO2复合溶胶,制备了具有介孔结构的钛掺杂的二氧化硅薄膜。薄膜的折射率在1.20～1.236之间可调... 采用溶胶-凝胶工艺,选用表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,通过正硅酸乙酯(TEOS)和钛酸丁酯(TPOT)的分步水解得到均匀的SiO2-TiO2复合溶胶,制备了具有介孔结构的钛掺杂的二氧化硅薄膜。薄膜的折射率在1.20～1.236之间可调,介电常数在2.54～2.817之间。随着钛含量的增加,折射率和介电常数增大,而孔洞率降低。结果分析表明钛离子均匀的分散在SiO2-TiO2网络中形成了Si-O-Ti键的孤立四配位形态。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 钛掺杂的二氧化硅薄膜 介孔结构
在线阅读 下载PDF
不同厚度溶胶-凝胶法二氧化硅薄膜对钛瓷结合强度的影响 被引量：5
2
作者 吕武龙 张振庭 +3 位作者 任卫红 堵国君 刘宏 王跃 《口腔颌面修复学杂志》 2010年第3期135-138,共4页
目的:探讨溶胶-凝胶法在纯钛表面制备不同厚度的二氧化硅薄膜对钛瓷结合强度的影响。方法:将纯钛试件随机分成四组。一次组、二次组和四次组钛试件分别经过一个、两个和四个(硅溶胶甩膜+热处理)周期处理,对照组未经过以上处理。在各组... 目的:探讨溶胶-凝胶法在纯钛表面制备不同厚度的二氧化硅薄膜对钛瓷结合强度的影响。方法:将纯钛试件随机分成四组。一次组、二次组和四次组钛试件分别经过一个、两个和四个(硅溶胶甩膜+热处理)周期处理,对照组未经过以上处理。在各组试件中份熔附Ti-22钛专用瓷,用三点弯曲法测试钛瓷分离时的载荷。结果:一次组、二次组、四次组和对照组的钛瓷的分离载荷分别为:6.040±0.798N、5.604±0.742N、6.081±0.947N和8.816±0.923N,实验组的钛瓷结合强度明显小于对照组(P<0.05)。结论:不同厚度的二氧化硅薄膜均不能提高钛瓷结合强度。 展开更多
关键词 二氧化硅薄膜 钛 烤瓷 结合强度 溶胶-凝胶法
在线阅读 下载PDF
在二氧化硅衬底上制备磁光Ce∶YIG薄膜用于磁光波导型器件 被引量：2
3
作者 王巍 兰中文 +4 位作者 王豪才 姬海宁 秦跃利 高能武 孔祥栋 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期276-280,共5页
对Ce1YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究 .用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片上淀积Ce1YIG薄膜 ,再对此薄膜进行晶化处理 ,以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜 .本文讨论了晶化过程中 ,Ce1YIG薄膜微观结构的变化对其磁光性能... 对Ce1YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究 .用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片上淀积Ce1YIG薄膜 ,再对此薄膜进行晶化处理 ,以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜 .本文讨论了晶化过程中 ,Ce1YIG薄膜微观结构的变化对其磁光性能的影响 .结果表明 :采用波长为 6 30nm的可见光测量 ,薄膜的饱和法拉第旋转系数θF为 0 .8deg/ μm .同时 ,晶化薄膜易磁化方向为平行于膜面方向 ,其居里温度点为 2 2 0℃ .所得Ge1YIG薄膜的参数表明 展开更多
关键词 YIG石榴石 YIG薄膜 磁光性能 磁性能 二氧化硅衬底 铈掺杂 激光材料
在线阅读 下载PDF
钛掺杂三氧化钨薄膜结构与电致变色性能研究 被引量：10
4
作者 彭明栋 章俞之 +4 位作者 宋力昕 尹小富 王盼盼 吴岭南 胡行方 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期287-292,共6页
通过射频溅射法,常温下制备了纯相WO_3和Ti掺杂WO_3薄膜,采用XRD、SEM、Raman、电化学工作站、紫外–可见–近红外分光光度计等对薄膜的微观结构、循环稳定性、光学性能进行了表征和分析。研究发现:钛掺杂对WO_3薄膜的表面形貌和光学常... 通过射频溅射法,常温下制备了纯相WO_3和Ti掺杂WO_3薄膜,采用XRD、SEM、Raman、电化学工作站、紫外–可见–近红外分光光度计等对薄膜的微观结构、循环稳定性、光学性能进行了表征和分析。研究发现:钛掺杂对WO_3薄膜的表面形貌和光学常数影响不明显,但使薄膜的晶化温度升高。电化学测试结果表明,Ti掺杂可以提高离子在薄膜中注入/抽出的可逆性,提高薄膜的循环稳定性,同时薄膜的响应速度和光学调制性能也得到提高,掺杂后薄膜着色态和漂白态的响应时间分别由9.8、3.5 s减小为8.4、2.7 s,因此Ti掺杂WO_3薄膜具有更好的电致变色性能。 展开更多
关键词 电致变色 钛掺杂 氧化钨薄膜 结构
在线阅读 下载PDF
掺杂氧化钛薄膜的制备与血液相容性研究 被引量：5
5
作者 陈俊英 杨萍 +2 位作者 冷永祥 孙鸿 黄楠 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期212-214,共3页
本文利用磁控溅射技术制备了Ta5+掺杂的TiO2 薄膜 ,并采用动态凝血时间、血小板粘附及血小板变形等方法进行了薄膜材料的血液相容性测试。结果表明 ,Ta5+掺杂的TiO2 薄膜具有良好的血液相容性 ,且在一定的掺杂量条件下具有最佳值。
关键词 磁控溅射 掺杂 血液相容性 氧化钛薄膜
在线阅读 下载PDF
一种黑色二氧化钛纳米薄膜制备方法
6
《无机盐工业》 CAS 北大核心 2017年第7期43-43,共1页
本发明属于纳米薄膜制备技术领域,涉及一种黑色二氧化钛纳米薄膜制备方法,工艺过程包括纳米颗粒的制备、纳米薄膜的制备和纳米薄膜的厚度控制3个步骤.采用四异丙醇钛和硝酸镍制备黑色二氧化钛纳米颗粒;采用电泳沉积法将黑色二氧化钛纳... 本发明属于纳米薄膜制备技术领域,涉及一种黑色二氧化钛纳米薄膜制备方法,工艺过程包括纳米颗粒的制备、纳米薄膜的制备和纳米薄膜的厚度控制3个步骤.采用四异丙醇钛和硝酸镍制备黑色二氧化钛纳米颗粒;采用电泳沉积法将黑色二氧化钛纳米颗粒沉积到不锈钢基底上制备黑色二氧化钛纳米薄膜；将镍离子掺杂与氢气气氛热处理改性相耦合,镍离子的掺杂能够在二氧化钛表面形成髙效活性位点, 展开更多
关键词 二氧化钛纳米颗粒 纳米薄膜 制备方法 黑色 离子掺杂 膜制备技术 四异丙醇钛 不锈钢基底
在线阅读 下载PDF
磁控溅射制备铝、钛掺杂钽氮化合物薄膜的微观结构与电学性能研究 被引量：1
7
作者 杨曌 曾璇 +4 位作者 李依麟 沈琦 宁洪龙 沓世我 姚日晖 《材料研究与应用》 CAS 2024年第1期150-156,共7页
采用反应射频磁控溅射法,在Al_(2)O_(3)陶瓷基片上通过共溅射的方式成功制备了Al-TaN和Ti-TaN薄膜,并通过调节Al和Ti靶的溅射功率以实现了掺杂,研究了掺杂元素变化对薄膜微观结构和电学性能的影响。结果显示,随着掺杂元素Al和Ti的增加,... 采用反应射频磁控溅射法,在Al_(2)O_(3)陶瓷基片上通过共溅射的方式成功制备了Al-TaN和Ti-TaN薄膜,并通过调节Al和Ti靶的溅射功率以实现了掺杂,研究了掺杂元素变化对薄膜微观结构和电学性能的影响。结果显示,随着掺杂元素Al和Ti的增加,TaN薄膜的粗糙度逐渐增大,晶体结构逐渐向非晶转变;Al元素掺杂时,当Al靶掺杂功率由0 W升至70 W,薄膜电阻率由0.88 mΩ·cm增至82.72 mΩ·cm;Ti元素掺杂时,当Ti靶掺杂功率由0 W升至70 W,电阻率由1.03 mΩ·cm降至0.32 mΩ·cm。此时,随着Al和Ti靶材掺杂功率由0 W升至70 W,薄膜的TCR值分别从-1313×10^(-6)℃^(-1)逐渐负偏至-3831×10^(-6)℃^(-1)和从-1322×10^(-6)℃^(-1)正偏至-404×10^(-6)℃^(-1)。该研究为溅射制备掺杂TaN薄膜提供了深刻的理论和实验基础。 展开更多
关键词 TAN 磁控溅射 铝掺杂 钛掺杂 微结构 电性能 薄膜 制备工艺
在线阅读 下载PDF
纳米银晶粒镶嵌氧化硅薄膜的光致发光
8
作者 张兆艳 薛理辉 冯小平 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第2期26-28,32,共4页
用SOL GEL法在浮法玻璃表面制备了掺杂纳米银晶粒的二氧化硅薄膜。在室温下测定了其可见光透过率和光致发光谱。研究了样品的光致发光强度与纳米银的掺杂量。
关键词 纳米银晶粒 光致发光 浮法玻璃 二氧化硅薄膜 SOL-GEL 制备 镶嵌 掺杂
在线阅读 下载PDF
铈掺杂对氧化钛薄膜光吸收性能的影响
9
作者 李云 王六定 《科学技术与工程》 2008年第8期2198-2201,共4页
采用电子束蒸发法制备铈掺杂的TiO2薄膜,研究掺杂铈TiO2薄膜的透过率,以及掺杂对TiO2薄膜光吸收性能的影响。实验发现掺杂CeO2使氧化钛薄膜的禁带宽度Eg从3.27eV减小到2.51eV,从而使光学吸收边从380nm红移到495nm,大大提高了对太阳光或... 采用电子束蒸发法制备铈掺杂的TiO2薄膜,研究掺杂铈TiO2薄膜的透过率,以及掺杂对TiO2薄膜光吸收性能的影响。实验发现掺杂CeO2使氧化钛薄膜的禁带宽度Eg从3.27eV减小到2.51eV,从而使光学吸收边从380nm红移到495nm,大大提高了对太阳光或可见光的利用能力。 展开更多
关键词 纳米氧化钛薄膜 电子束蒸发 CeO2掺杂 禁带宽度 吸收边 红移
在线阅读 下载PDF
锌离子掺杂的氧化钛薄膜的湿敏性能研究 被引量：2
10
作者 侯燕飞 史志铭 +3 位作者 宋丽丽 李巴津 金丽娜 闫龙 《电子器件》 CAS 2007年第6期1995-1997,共3页
采用溶胶-凝胶法在印有梳状银电极的石英玻璃表面制备了不同含量锌离子掺杂的氧化钛薄膜,通过烧结制得一系列湿敏元件,研究了锌离子掺杂量、烧结温度和工作频率对薄膜湿敏性能的影响.研究结果发现,较低的工作频率下元件的湿度敏感性能较... 采用溶胶-凝胶法在印有梳状银电极的石英玻璃表面制备了不同含量锌离子掺杂的氧化钛薄膜,通过烧结制得一系列湿敏元件,研究了锌离子掺杂量、烧结温度和工作频率对薄膜湿敏性能的影响.研究结果发现,较低的工作频率下元件的湿度敏感性能较好.随着锌掺杂量的增加,湿敏性能降低,表现在湿度敏感点升高,阻抗随湿度的变化幅度减小.相同掺杂量下,随着烧结温度的升高,元件的湿敏性能呈现先改善后恶化的趋势. 展开更多
关键词 氧化钛 薄膜 湿度敏感 离子掺杂
在线阅读 下载PDF
钛掺杂氧化镁薄膜二次电子发射倍增特性研究 被引量：4
11
作者 崔乃元 王思展 +3 位作者 王志浩 刘宇明 李蔓 王璐 《航天器环境工程》 北大核心 2021年第6期687-692,共6页
氧化镁具有较高的二次电子发射系数,适合作为制备多级放大装置的二次电子发射材料。文章采用磁控溅射法制备高质量氧化镁薄膜和钛掺杂氧化镁薄膜,并对薄膜进行形貌表征,研究其二次电子发射倍增特性,包括氧化镁薄膜电子倍增器的增益特性... 氧化镁具有较高的二次电子发射系数,适合作为制备多级放大装置的二次电子发射材料。文章采用磁控溅射法制备高质量氧化镁薄膜和钛掺杂氧化镁薄膜,并对薄膜进行形貌表征,研究其二次电子发射倍增特性,包括氧化镁薄膜电子倍增器的增益特性以及增益衰减情况。结果表明:高压源电压和电流的增大均可提高电子倍增器的电流增益倍数;掺杂Ti不仅能提高电子倍增器的增益效能,且相比纯氧化镁薄膜,钛掺杂氧化镁薄膜的增益衰减明显放缓,能够将倍增器的寿命延长2倍以上。 展开更多
关键词 氧化镁薄膜 钛掺杂 磁控溅射 二次电子发射 电子倍增特性
在线阅读 下载PDF
钛掺杂氧化镍基电阻存储薄膜的电学性能研究
12
作者 石芬 《合成材料老化与应用》 2021年第4期68-70,共3页
采用溶胶-凝胶法与化学修饰法相结合的方法制备感光性钛掺杂氧化镍基溶胶及凝胶膜,对凝胶膜热处理,然后测试其电学性能。测试结果表明:热处理温度为300℃时,Ti掺杂NiO_(x)薄膜具有明显的双极性电阻开关性能。且随着Ti摩尔掺杂量的增加,... 采用溶胶-凝胶法与化学修饰法相结合的方法制备感光性钛掺杂氧化镍基溶胶及凝胶膜,对凝胶膜热处理,然后测试其电学性能。测试结果表明:热处理温度为300℃时,Ti掺杂NiO_(x)薄膜具有明显的双极性电阻开关性能。且随着Ti摩尔掺杂量的增加,薄膜的复位电压有变化。当摩尔掺杂量n(Ni)/n(Ti)=92:8时,NiO_(x)薄膜的复位电压最小。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 钛掺杂氧化镍基薄膜 双极电阻开关性能
在线阅读 下载PDF
血液相容性氧化钛薄膜最佳掺杂含量的理论计算 被引量：2
13
作者 高红 范志新 《生物医学工程学杂志》 EI CAS CSCD 2002年第4期583-585,共3页
我们把一个从对透明导电薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到血液相容性氧化钛薄膜材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理... 我们把一个从对透明导电薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到血液相容性氧化钛薄膜材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系 ,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。分析血液相容性氧化钛薄膜材料的钽掺杂改性的实验结果 。 展开更多
关键词 氧化钛薄膜 血液相容性 最佳掺杂含量 钽 生物材料 磁控溅射法
在线阅读 下载PDF
铟掺杂氧化铈-氧化钛薄膜作为电致变色器件离子储存层的电化学性能研究
14
作者 刘玉春 安佳钰 +2 位作者 刘靖 曹静 孙冬兰 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2022年第8期44-50,共7页
采用溶胶-凝胶法在导电玻璃上沉积铟掺杂的氧化铈-氧化钛薄膜,并用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见光吸收光谱和循环伏安法等分别对薄膜的晶体结构、表面形貌、光透过率和电化学性能进行表征。结果表明,铟掺杂的氧化铈-氧化钛薄... 采用溶胶-凝胶法在导电玻璃上沉积铟掺杂的氧化铈-氧化钛薄膜,并用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见光吸收光谱和循环伏安法等分别对薄膜的晶体结构、表面形貌、光透过率和电化学性能进行表征。结果表明,铟掺杂的氧化铈-氧化钛薄膜是表面平整的非晶态结构,它的电荷容量和循环稳定性明显较未掺杂提高。在锂离子嵌入/脱出过程中,铟掺杂摩尔浓度为0.15 mol·L^(-1)的氧化铈-氧化钛薄膜循环500次有较高的嵌入电荷容量15.01 mC·cm^(-2),循环1200次该薄膜嵌入电荷容量仍稳定在15.00 mC·cm^(-2),且光透过率基本保持不变,表明该薄膜具有良好的循环稳定性。电化学性能和光透过率的结果表明它可作为电致变色器件的离子储存层。 展开更多
关键词 氧化铈-氧化钛薄膜 铟掺杂 溶胶-凝胶 离子储存层 电致变色
在线阅读 下载PDF
钛掺杂氧化锌薄膜晶体管研究发展现状
15
作者 孙名扬 杨小天 +1 位作者 杨帆 胡伟涛 《光源与照明》 2023年第6期74-76,共3页
钛(Ti)元素在自然界中相当丰富,在金属元素中含量仅次于Al、Fe、Mg位列第四,可以明显降低氧化物薄膜晶体管(TFT)的成本。从现有文献资料来看,采用Al、Ga等ⅢA族元素掺杂的氧化锌(ZnO)TFT报道较多,而采用Ti、Zr等ⅣB族元素掺杂的ZnO-TFT... 钛(Ti)元素在自然界中相当丰富,在金属元素中含量仅次于Al、Fe、Mg位列第四,可以明显降低氧化物薄膜晶体管(TFT)的成本。从现有文献资料来看,采用Al、Ga等ⅢA族元素掺杂的氧化锌(ZnO)TFT报道较多,而采用Ti、Zr等ⅣB族元素掺杂的ZnO-TFT报道较少。由于Ti+4的价半径(0.068 nm)略小于Zn+2的价半径(0.074 nm),Ti-O键长(0.1973 nm)接近Zn-O键长(0.1970 nm),因而钛掺杂引起的晶格畸变较小;同时Ti+4和Zn+2的价态差为2,一个掺杂原子能够实现薄膜的实用化,因此钛掺杂氧化锌薄膜晶体管(TZO-TFT)具有优良的性能。文章介绍了TZO-TFT的研究发展现状,展望了今后的研究方向和应用前景。 展开更多
关键词 钛掺杂氧化锌 薄膜晶体管 TZO TZO-TFT
在线阅读 下载PDF
膜厚对Nd掺杂钙锶铋钛铁电薄膜结构及性能的影响 被引量：5
16
作者 范素华 张伟 +3 位作者 王培吉 张丰庆 冯博楷 马建平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期466-470,共5页
采用Sol-gel法和层层快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度不同Nd掺杂的钙锶铋钛(C0.4S0.6NT)铁电薄膜。研究了单层膜厚和总膜厚对于薄膜的(200)择优取向、显微结构及铁电性能的影响。发现:恰当的单层膜厚度,有助于薄膜(200)峰... 采用Sol-gel法和层层快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度不同Nd掺杂的钙锶铋钛(C0.4S0.6NT)铁电薄膜。研究了单层膜厚和总膜厚对于薄膜的(200)择优取向、显微结构及铁电性能的影响。发现:恰当的单层膜厚度,有助于薄膜(200)峰的择优取向和铁电性能;单层膜厚度约为60 nm,总厚度约为420 nm时,C0.4S0.6NT薄膜的I(200)/[I(119)+I(00l)]相对强度较大,a轴取向的晶粒较多,具有较好的铁电性能,剩余极化(Pr)和矫顽场(Ec)分别为13.251μC/cm2,85.248 kV/cm。 展开更多
关键词 钙锶铋钛薄膜 ND掺杂 铁电性能 SOL-GEL法 膜厚
在线阅读 下载PDF
基片掺杂与热氧化SiO_2薄膜驻极体的电荷贮存特性 被引量：3
17
作者 黄志强 徐政 +1 位作者 倪宏伟 张月蘅 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期500-502,共3页
运用干－湿－干高温热氧化工艺，在4种不同掺杂类型的单晶硅基片上，制备成功非晶态SiO2薄膜驻极体。恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电（TSD）实验表明，不同类型基片的SiO2薄膜其电荷动态特性差异较大，基片的掺杂成份和... 运用干－湿－干高温热氧化工艺，在4种不同掺杂类型的单晶硅基片上，制备成功非晶态SiO2薄膜驻极体。恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电（TSD）实验表明，不同类型基片的SiO2薄膜其电荷动态特性差异较大，基片的掺杂成份和掺杂浓度直接影响其上二氧化硅驻极体的性能，电荷储存稳定性随着掺杂浓度的增大而有所下降，TSD放电电流峰的形状与位置也会随着掺杂成份和浓度的变化而改变。分析表明，造成这一现象的原因在于：掺杂成份在热氧化时通过扩散从基片进入SiO2薄膜，改变了其内部微观网络结构，进而影响其电荷贮存特性。这一点为进一步探索SiO2薄膜驻极体的电荷贮存机制提供了有益的启示。 展开更多
关键词 薄膜 驻极体 电荷贮存 二氧化硅 基片掺杂
在线阅读 下载PDF
钛掺杂对Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变特性的改善（英文）
18
作者 张颖 魏慎金 +5 位作者 易歆雨 程帅 陈坤 朱焕锋 李晶 吕磊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期658-662,共5页
利用椭偏光谱术与XRD对钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜中钛元素对体系的光学性质及其微结构的影响进行了实验研究.进而对该薄膜进行变温阻抗实验表明,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜与未掺杂的薄膜相比具有更好的热稳定性.基于对薄膜样品的数据保持能... 利用椭偏光谱术与XRD对钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜中钛元素对体系的光学性质及其微结构的影响进行了实验研究.进而对该薄膜进行变温阻抗实验表明,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜与未掺杂的薄膜相比具有更好的热稳定性.基于对薄膜样品的数据保持能力测试的实验数据,经阿伦纽斯外推处理可知,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜样品的10年数据保持温度要高于未掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜样品.本文的实验结果均证实,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜更适合应用于相变随机存取存储器中. 展开更多
关键词 钛掺杂Ge2Sb2Te5薄膜 相变特性 热稳定性 数据保持能力
在线阅读 下载PDF
喷涂法制备MA1-xCsxPbI3掺杂有机无机杂化钙钛矿薄膜 被引量：1
19
作者 黄杰 王凯文 +4 位作者 马林 杨凯祥 彭博 严铮洸 韩晓东 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第3期370-376,共7页
利用喷涂成膜法,通过优化基底温度、溶剂组成、溶液浓度等条件,得到当基底温度为130℃,溶液体系为纯DMF(N,N-二甲基甲酰胺),钙钛矿质量分数为20%时的掺杂有机无机杂化钛薄膜(MA 1-x Cs x Pbl 3),所制备出的MA 1-x Cs x PbI 3展现出最优... 利用喷涂成膜法,通过优化基底温度、溶剂组成、溶液浓度等条件,得到当基底温度为130℃,溶液体系为纯DMF(N,N-二甲基甲酰胺),钙钛矿质量分数为20%时的掺杂有机无机杂化钛薄膜(MA 1-x Cs x Pbl 3),所制备出的MA 1-x Cs x PbI 3展现出最优的薄膜质量、光吸收性能,晶粒尺寸较大且均匀致密。X射线衍射分析结果表明,喷涂法制备的MA 1-x Cs x PbI 3薄膜可在x达到0.20下仍观测不到杂相(CsPbI 3)。通过对薄膜的形貌分析和光学特性分析可知,MA 0.9 Cs 0.1 PbI 3具有晶粒尺寸大、可见光吸收性能好的特性。制备得到的MA 0.9 Cs 0.1 PbI 3薄膜较MAPbI 3薄膜的热稳定性有所提高。 展开更多
关键词 钙钛矿薄膜 喷涂成膜法 掺杂有机无机杂化钙钛矿 热稳定性
在线阅读 下载PDF
第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(八) 超高浓度钛掺杂硅薄膜的制备及光电特性研究 被引量：1
20
作者 周玉荣 刘勇 刘丰珍 《太阳能》 2013年第1期18-21,共4页
将磁控溅射和热丝化学气相沉积相结合,制备出超高浓度钛掺杂的氢化非晶硅薄膜。通过光发射谱(OES)分析了热丝加热前后直流溅射辉光特性,结果表明热丝加热与否对直流溅射过程的影响不大。俄歇电子能谱显示钛在薄膜中是均匀分布的,改变磁... 将磁控溅射和热丝化学气相沉积相结合,制备出超高浓度钛掺杂的氢化非晶硅薄膜。通过光发射谱(OES)分析了热丝加热前后直流溅射辉光特性,结果表明热丝加热与否对直流溅射过程的影响不大。俄歇电子能谱显示钛在薄膜中是均匀分布的,改变磁控溅射的功率可控制薄膜中钛的含量,薄膜在可见和红外光的吸收随钛浓度的增加而显著增强。掺钛非晶硅薄膜仍表现出半导体特性,电阻率随着温度的降低而提高,满足变程跳跃电导输运机制。采用激光熔融(PLM)对薄膜进行退火,薄膜晶化率达50%以上。晶化的掺钛硅薄膜仍保持较高的可见-红外波段的光吸收。 展开更多
关键词 硅薄膜 超高浓度钛掺杂 热丝化学气相沉积
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 4 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部