基于密度泛函理论(DFT)设计了一种新型的由4个咔唑组成的类芴风车格(GZP)的有机半导体材料,研究了其结构特点及热力学和电子性质.结果表明,GZP分为船式和椅式2种构象,且船式构象GZP1(0 k J/mol)比椅式构象GZP2(122.88 k J/mol)稳定;GZP...基于密度泛函理论(DFT)设计了一种新型的由4个咔唑组成的类芴风车格(GZP)的有机半导体材料,研究了其结构特点及热力学和电子性质.结果表明,GZP分为船式和椅式2种构象,且船式构象GZP1(0 k J/mol)比椅式构象GZP2(122.88 k J/mol)稳定;GZP1构象的内孔径为0.298 nm,外孔径为1.079 nm;GZP1的内重组能非常低,空穴和电子重组能分别为0.089和0.106 e V,可作为潜在的电荷传输材料.展开更多
文摘基于密度泛函理论(DFT)设计了一种新型的由4个咔唑组成的类芴风车格(GZP)的有机半导体材料,研究了其结构特点及热力学和电子性质.结果表明,GZP分为船式和椅式2种构象,且船式构象GZP1(0 k J/mol)比椅式构象GZP2(122.88 k J/mol)稳定;GZP1构象的内孔径为0.298 nm,外孔径为1.079 nm;GZP1的内重组能非常低,空穴和电子重组能分别为0.089和0.106 e V,可作为潜在的电荷传输材料.
