宽禁带WBG(wide band gap)半导体电力电子器件由于其开关频率高、开关速度快、寄生参数大等特点从噪声源头引发了越来越严峻的电磁干扰问题。然而,传统的噪声源研究主要集中在30 MHz传导频段以内,如何评估噪声源在30~300 MHz较高频率范...宽禁带WBG(wide band gap)半导体电力电子器件由于其开关频率高、开关速度快、寄生参数大等特点从噪声源头引发了越来越严峻的电磁干扰问题。然而,传统的噪声源研究主要集中在30 MHz传导频段以内,如何评估噪声源在30~300 MHz较高频率范围内的辐射频段产生的影响仍存在不确定性,因此提出1种改进的WBG器件电磁干扰分析模型,与传统的非对称梯形波电磁干扰模型相比,首次详细考虑了WBG器件的结电容和跨导体的非线性特性,评估了非线性参数对辐射频段噪声的影响,并进一步提出该模型在辐射频段噪声源抑制中的应用。仿真结果验证了所提计算方法的准确性,基于SiC器件的硬件测试结果与理论分析相吻合。展开更多
基于130 nm双极型晶体管与互补金属氧化物半导体(Bipolar and Complementary Metal Oxide Semiconductor,BiCMOS)工艺,提出了一款由跨导参考源与温度系数校准电路构成的,应用于超低增益温漂放大器的正温度系数跨导基准电路。提出的正温...基于130 nm双极型晶体管与互补金属氧化物半导体(Bipolar and Complementary Metal Oxide Semiconductor,BiCMOS)工艺,提出了一款由跨导参考源与温度系数校准电路构成的,应用于超低增益温漂放大器的正温度系数跨导基准电路。提出的正温度系数跨导基准电路被应用于K频段4通道相控阵接收芯片中,根据接收芯片射频信号链路中各级放大器负载阻抗的温漂特性,设置合适的正温度系数跨导的参考电流,确保各级放大器以及射频信号链路的增益在工作温度发生变化时维持在极低的变化范围内。芯片实测结果表明:含四级有源放大器的接收芯片射频信号链路在中心频率19 GHz处的常温增益等于22.8 dB;在17 G至21 GHz工作频段内,-45℃至85℃温度下,最大增益温漂小于2.9 dB。芯片占用面积3.5 mm×2.5 mm。展开更多
文摘宽禁带WBG(wide band gap)半导体电力电子器件由于其开关频率高、开关速度快、寄生参数大等特点从噪声源头引发了越来越严峻的电磁干扰问题。然而,传统的噪声源研究主要集中在30 MHz传导频段以内,如何评估噪声源在30~300 MHz较高频率范围内的辐射频段产生的影响仍存在不确定性,因此提出1种改进的WBG器件电磁干扰分析模型,与传统的非对称梯形波电磁干扰模型相比,首次详细考虑了WBG器件的结电容和跨导体的非线性特性,评估了非线性参数对辐射频段噪声的影响,并进一步提出该模型在辐射频段噪声源抑制中的应用。仿真结果验证了所提计算方法的准确性,基于SiC器件的硬件测试结果与理论分析相吻合。
