纳米记忆元件推动电子科技实现重大突破 被引量：1

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作者 于凌宇 刘夏飞 《中国电子科学研究院学报》 北大核心 2016年第1期15-20,共6页

该文阐述了纳米记忆元件的内涵和工作机理,探讨了记忆元件的国内外研发进展,深入分析了记忆元件对电子科技的重大突破。为我国紧密跟踪记忆元件科技前沿,精准找好切入点,奋力抢占制高点提供一定的技术基础。

关键词 记忆元件 忆阻器 忆容器 忆感器 研发 突破

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最大应变记忆元件

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作者 陶宝祺 张为公 +1 位作者 王妮 陈杰 《航空学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第8期B320-B327,共8页

本文介绍的新型的应变测试元件——最大应变记忆元件,具有记忆构件上曾经历过的最大应变值的功能。在不跟踪测量的情况下,可以得知构件上曾经历过的最大应变值,使用方便,灵敏度高。

关键词 元件 记忆元件 最大应变

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一种简单并联记忆元件混沌系统的研究

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作者 李晓霞 王雪 +2 位作者 冯志新 张启宇 徐桂芝 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期517-528,共12页

分别设计了忆阻器、忆感器、忆容器的通用数学模型,并以此为基础构造了简单的并联混沌系统,分析了包括相图、时域图、Lyapunov指数、功率谱、庞加莱截面在内的动力学特性,证明了其超混沌特性。进一步研究了平衡点稳定性、系统参数及初... 分别设计了忆阻器、忆感器、忆容器的通用数学模型,并以此为基础构造了简单的并联混沌系统,分析了包括相图、时域图、Lyapunov指数、功率谱、庞加莱截面在内的动力学特性,证明了其超混沌特性。进一步研究了平衡点稳定性、系统参数及初始值对系统的影响,研究结果表明:参数的对称性变化会引起系统状态相应的对称性变化;而在系统能混沌振荡的情况下,初始值不影响系统的状态。最后利用Multisim进行了电路仿真,数值仿真与实验结果呈现出较好的一致性,证明该系统的现实可行性与实际存在性。该系统的研究既扩展了记忆元件在非线性范畴的应用,又为基于记忆元件的超混沌系统的实际应用奠定了基础。 展开更多

关键词 混沌 动力学行为 电路实现 记忆元件

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分数阶记忆元件通用等效电路的设计

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作者 尚涛 甘朝晖 +1 位作者 余磊 左自辉 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第3期399-405,共7页

根据分数阶记忆元件之间的转换关系,设计了一种分数阶记忆元件通用等效电路。该等效电路在不改变电路拓扑结构的情况下,通过选择五个阻抗元件的类型,可以将任意一种接地型分数阶记忆元件转换为任意一种浮地型分数阶记忆元件。在仿真实验... 根据分数阶记忆元件之间的转换关系,设计了一种分数阶记忆元件通用等效电路。该等效电路在不改变电路拓扑结构的情况下,通过选择五个阻抗元件的类型,可以将任意一种接地型分数阶记忆元件转换为任意一种浮地型分数阶记忆元件。在仿真实验中,根据提出的通用等效电路,分别实现了三种分数阶记忆元件。对三种分数阶记忆元件的特性进行了分析,验证了该等效电路的正确性。 展开更多

关键词 分数阶记忆元件 等效电路 浮地型

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电路元件周期表——蔡氏周期表与新型记忆元件

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作者 余波 蒲亦非 何秋燕 《太赫兹科学与电子信息学报》 2021年第3期541-548,共8页

在介绍蔡氏周期表的基础上,给出已有电路元件(电阻、电容、电感、忆阻、忆容、忆感、分抗和分忆抗元等)在周期表中的位置。近年来,“分数阶忆阻”的概念开始逐渐出现在文献中,但其概念并不统一。本文将已有的分数阶忆阻及电路总结为4种... 在介绍蔡氏周期表的基础上,给出已有电路元件(电阻、电容、电感、忆阻、忆容、忆感、分抗和分忆抗元等)在周期表中的位置。近年来,“分数阶忆阻”的概念开始逐渐出现在文献中,但其概念并不统一。本文将已有的分数阶忆阻及电路总结为4种,并确定对应的元件在蔡氏周期表中的位置。分数阶积分是表征有损记忆的有力工具,本文不仅给出电路元件禀赋关系统一表示式,还给出分数阶积分控制式记忆元件——电流分数阶积分控制式忆容(CFMC)、电压分数阶积分控制式忆容(VFMC)、电流分数阶积分控制式忆感(CFMI)、电压分数阶积分控制式忆感(VFMI)、电流分数阶积分控制式分忆抗(CFFM)、电压分数阶积分控制式分忆抗(VFFM)等的定义,并给出部分分数阶积分控制式记忆元件的运算结构图。 展开更多

关键词 分数阶微积分 分抗元 分抗逼近电路 记忆元件 忆阻 分忆抗

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Cu—Zn—Al形状记忆合金速动记忆元件的研制

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作者 张志方 沈惠敏 +3 位作者 王业宁 虞丽娟 黄振山 任卫平 《江苏冶金》 1990年第5期17-18,共2页

1.引言近年来,对NjTj基和Cu基形状记忆合金的形状记忆效应和记忆元件的设计已有很多研究,这些合金的形状记忆效应与合金的热弹性马氏体转变有关。一般热弹性马氏体相变的相变温区较大。

关键词 形状记忆合金 速动记忆元件 研制

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记忆元件在非冲激激励下的失忆现象

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作者 何迪 《电气电子教学学报》 2013年第2期13-15,共3页

本文分别从电路理论、物理学和数学等不同角度出发来讨论记忆元件在阶跃激励下的记忆量跳变情况,即失忆现象。通过分析表明,三种方法所得到的结论是相互印证的。同时,讨论的结果对于简化特定情况下的动态电路分析能够起到一定的作用。

关键词 记忆元件 非冲激激励 失忆现象

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高科记忆元件力推知识经济崛起

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作者 于业丽 于凌宇 《当代经济》 2016年第4期12-13,共2页

随着信息技术快速提升,信息化与全球化迅猛推进,人类大步跨入了知识经济新时代。本文简介了纳米记忆元件发展概况,探讨了其突破芯片技术极限,推动信息技术进步、信息产业升级和知识经济崛起的战略意义,展望了其高新科技应用前景。

关键词 记忆元件 忆阻器 忆容器 忆感器 信息技术 信息产业 知识经济

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分数阶记忆元件转换关系的研究

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作者 尚涛 甘朝晖 +1 位作者 余磊 左自辉 《微电子学与计算机》 2022年第1期88-94,共7页

记忆元件作为新型电路元件,其特殊的记忆特性引起了科研人员的广泛关注.从记忆元件的本构方程出发,推导出了记忆元件之间的转换关系,仿真实现了三种分数阶记忆元件之间的相互转换.仿真实验结果验证了分数阶记忆元件之间相互转换关系式... 记忆元件作为新型电路元件,其特殊的记忆特性引起了科研人员的广泛关注.从记忆元件的本构方程出发,推导出了记忆元件之间的转换关系,仿真实现了三种分数阶记忆元件之间的相互转换.仿真实验结果验证了分数阶记忆元件之间相互转换关系式的正确性.同时,也详细分析了分数阶阶次对记忆元件影响的规律. 展开更多

关键词 记忆元件 本构方程 分数阶

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一种新型浮地记忆元件建模方法及实现 被引量：1

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作者 郑辞晏 庄楚源 +3 位作者 李亚 练明坚 梁燕 于东升 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第23期351-362,共12页

忆阻器、忆容器和忆感器是具有记忆特性的非线性元件,隶属于记忆元件系统.目前,由于现有可购忆阻器芯片尚存在许多不足,且忆容器和忆感器的硬件实物研究仍处于实验室验证阶段,因此,研究者们获取此类记忆元件硬件仍有难度.为了解决这个问... 忆阻器、忆容器和忆感器是具有记忆特性的非线性元件,隶属于记忆元件系统.目前,由于现有可购忆阻器芯片尚存在许多不足,且忆容器和忆感器的硬件实物研究仍处于实验室验证阶段,因此,研究者们获取此类记忆元件硬件仍有难度.为了解决这个问题,建立有效的记忆元件等效电路模型,以促进对记忆元件及其系统的特性和应用研究.本文根据忆阻器、忆容器和忆感器的本构关系,提出一种新型浮地记忆元件建模方法,即采用搭建通用模拟器的方式,在保证电路拓扑结构不变的情况下,通过改变接入通用模拟器的无源电路元件分别实现浮地忆阻器、忆容器和忆感器模型.相比于其他能实现3种浮地记忆元件模型的研究,本文所搭建的记忆元件模型结构简单,工作频率更高,易于电路实现.结合理论分析、PSPICE仿真及硬件电路实验结果的一致性,验证基于该通用模拟器搭建记忆元件模型的可行性和有效性. 展开更多

关键词 记忆元件 硬件实验 磁滞回线特性 浮地模拟器

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一种新型记忆元件和定时装置

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作者 孟令崑 王少臣 《物理》 CAS 北大核心 1990年第3期163-166,共4页

本文介绍了一种新型的电位记亿元件［１－２］，其结构为阴极／固体电解质／阳极／固体电解质／参比电极．研究了该元件的特性．用该元件研制的定时装置，其性能完全满足了恶劣环境条件下的应用．

关键词 电位记忆元件 定时装置 电化学浓差电池

原文传递

简单记忆混沌系统的动力学分析与电路实现 被引量：3

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作者 武花干 包伯成 冯霏 《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期134-139,共6页

为了研究记忆混沌系统的动力学特性,提出了一个含广义记忆元件的简单3维自治混沌系统。分析了混沌记忆系统的记忆效应和混沌特性,进行了电路设计和相应的实验验证;并在平衡点及稳定性分析的基础上,讨论了记忆混沌系统随参数变化的动力... 为了研究记忆混沌系统的动力学特性,提出了一个含广义记忆元件的简单3维自治混沌系统。分析了混沌记忆系统的记忆效应和混沌特性,进行了电路设计和相应的实验验证;并在平衡点及稳定性分析的基础上,讨论了记忆混沌系统随参数变化的动力学行为。结果表明,与基于忆阻器的混沌电路不同,新提出的系统有一个确定的平衡点,其动力学行为仅依赖于系统控制参数,存在分岔、混沌和阵发混沌等复杂非线性现象。 展开更多

关键词 记忆元件 记忆混沌系统 动力学 电路实现

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光学双稳系统的记忆,涨落与随机力

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作者 欧发 何明高 《量子电子学报》 CAS CSCD 1999年第1期16-24,共9页

本文的研究结果表明，作为记忆元件的双稳系统应在远离平衡统计分布的准平衡分布状态下运行。Ｂｏｎｉｆａｃｉｏ与Ｌｕｇｉａｔｏ等提出关着重讨论过的所谓‘反常’涨落，其实是平衡分布的双稳系统所有固有，这也是在平衡分布下它完全... 本文的研究结果表明，作为记忆元件的双稳系统应在远离平衡统计分布的准平衡分布状态下运行。Ｂｏｎｉｆａｃｉｏ与Ｌｕｇｉａｔｏ等提出关着重讨论过的所谓‘反常’涨落，其实是平衡分布的双稳系统所有固有，这也是在平衡分布下它完全失去记忆功能的一种反映。在双稳系统中，随机力既驱使涨落增长，又通过非线性项对涨落起镇定作用。 展开更多

关键词 光学双稳性 涨落 随机力 统计分布 记忆元件

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形状记忆破岩装置研究

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作者 杨大兵 邵鹏 +1 位作者 范芝宇 任广学 《爆破》 CSCD 北大核心 2012年第3期104-108,共5页

针对岩体破碎作业过程中产生振动、环境污染、安全等技术难题,研究开发新型破岩装置。设计制作以TiNi形状记忆合金管为压力元件的形状记忆破岩装置,阐明了形状记忆破岩装置的工作原理,并对其破裂力进行力学分析和室内混凝土破裂实验验... 针对岩体破碎作业过程中产生振动、环境污染、安全等技术难题,研究开发新型破岩装置。设计制作以TiNi形状记忆合金管为压力元件的形状记忆破岩装置,阐明了形状记忆破岩装置的工作原理,并对其破裂力进行力学分析和室内混凝土破裂实验验证。结果表明:该破岩装置具有很强的破裂力,破岩速度快,可以实现对混凝土的破裂。 展开更多

关键词 形状记忆合金元件 破岩装置 恢复力 破裂力 破裂实验

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形状记忆合金的应用研究

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作者 唐华生 《世界机电技术》 1991年第3期22-24,共3页

关键词 形状记忆合金 记忆元件 致动器

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记忆合金控制的机械式风扇离合器 被引量：1

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作者 胡国梁 胡国政 +2 位作者 吴曙光 李惠珍 乐俊秉 《汽车技术》 北大核心 1991年第4期23-26,共4页

介绍了以形状记忆合金作为温控和驱动元件的机械式风扇离合器的工作原理、性能及装车试验结果。

关键词 风扇离合器 记忆合金元件

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记忆路灯罩

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作者 道奇 《发明与革新》 1996年第1期38-38,共1页

关键词 记忆合金元件 加热 记忆路灯罩

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液力忆惯容器装置建模与特性试验 被引量：1

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作者 张孝良 耿灿 +1 位作者 聂佳梅 高乔 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期430-440,共11页

针对液力忆惯容器装置已有数学模型忽略因素过多的问题,考虑油液的惯性、动力学黏度以及装置内部的干摩擦,建立符合工程实际的非线性数学模型.试制液力忆惯容器装置样机,并进行台架试验.结果表明,当位移激励的频率较低时,液力忆惯容器... 针对液力忆惯容器装置已有数学模型忽略因素过多的问题,考虑油液的惯性、动力学黏度以及装置内部的干摩擦,建立符合工程实际的非线性数学模型.试制液力忆惯容器装置样机,并进行台架试验.结果表明,当位移激励的频率较低时,液力忆惯容器装置提供的惯性力、黏滞阻尼力较小,可以近似等效为干摩擦阻尼器;当激励的频率较高时,装置等效为理想忆惯容器、非线性黏滞阻尼器、干摩擦阻尼器三元件并联.装置的输出合力、惯性力、阻尼力试验值与仿真值最大偏差分别为5.70%、9.15%、5.47%,惯质特性曲线和寄生阻尼特性曲线的试验值与仿真值最大偏差分别为4.23%和8.50%,表明数学模型准确可靠,能够满足工程需要,为液力忆惯容器装置在减振系统中的应用奠定了基础. 展开更多

关键词 惯容器 记忆元件 非线性阻尼器 非线性模型 台架试验

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基于时序逻辑的继电控制系统设计方法

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作者 王克刚 楼赣菲 《丽水学院学报》 2015年第5期41-46,共6页

在自动设备的继电控制系统设计中,含时序逻辑电路的设计过程比较复杂。通过一种应用简便的中间记忆元件设置方法,可有效解决复杂继电控制电路的设计问题,并以具体实例验证其应用。

关键词 时序逻辑电路 状态真值表 中间记忆元件 继电器逻辑式

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主令重复应用的继电控制系统设计方法

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作者 王克刚 楼赣菲 《电工技术》 2015年第8期52-53,83,共3页

在设计控制系统时,必须避免在同一指令信号下不同输出状态同时出现而导致误动作情况的发生。从逻辑状态分析角度出发,提出一种应用简便、可靠性高的"菱形结构"继电器设计方法,可有效解决设计控制电路时指令重复应用而产生的... 在设计控制系统时,必须避免在同一指令信号下不同输出状态同时出现而导致误动作情况的发生。从逻辑状态分析角度出发,提出一种应用简便、可靠性高的"菱形结构"继电器设计方法,可有效解决设计控制电路时指令重复应用而产生的问题。 展开更多

关键词 指令信号 主令重复应用 状态表 中间记忆元件 继电器 逻辑式

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