铜大马士革工艺中某含氟有机碱性清洗液对铝蚀刻速率的影响

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作者 张学良 贺辉龙 +2 位作者 田龙飞 陈林 李军 《化工生产与技术》 2025年第1期18-21,48,I0003,共6页

针对铜大马士革工艺中铝清洗易受损的问题,采用含氟有机碱性蚀刻液配方——“清洗液-10”进行实验探究。实验选取了多种金属和介质薄膜作为材料,在单晶圆清洁系统上进行晶圆清洗,并深入研究了不同条件下铝蚀刻速率的动态变化情况。实验... 针对铜大马士革工艺中铝清洗易受损的问题,采用含氟有机碱性蚀刻液配方——“清洗液-10”进行实验探究。实验选取了多种金属和介质薄膜作为材料,在单晶圆清洁系统上进行晶圆清洗,并深入研究了不同条件下铝蚀刻速率的动态变化情况。实验结果表明,在化学循环的前48 h内,铝薄膜和铜薄膜的蚀刻速率均保持在适宜的范围,且各图案晶圆的清洗效果均表现良好。然而,在化学循环时间超过48 h后,铝薄膜的蚀刻速率显著上升,且清洗效果变差。通过调节“清洗液-10”配方中NH4+浓度及控制补水频率,可有效调控铝蚀刻速率并实现稳定控制。该方法为铜大马士革工艺中铝的清洗及蚀刻速率控制提供了新的有效策略。 展开更多

关键词 铜大马士革 含氟有机碱性蚀刻液 铝 蚀刻速率 蚀刻后清洗

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三氯化铁溶液中影响铁镍合金蚀刻速率的因素 被引量：7

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作者 刘飘 堵永国 +3 位作者 张为军 芦玉峰 杨娟 马占东 《腐蚀与防护》 CAS 北大核心 2007年第5期238-241,共4页

采用浸渍蚀刻的方法,研究了影响Fex(x=56-59)Ni1-x合金箔在三氯化铁溶液中蚀刻速率的几个因素,并对蚀刻液的有效蚀刻能力及失效蚀刻液的除镍和再生进行了初步的研究。研究结果表明:氧化还原电位随蚀刻液浓度的增大而升高,氧化还原电位越... 采用浸渍蚀刻的方法,研究了影响Fex(x=56-59)Ni1-x合金箔在三氯化铁溶液中蚀刻速率的几个因素,并对蚀刻液的有效蚀刻能力及失效蚀刻液的除镍和再生进行了初步的研究。研究结果表明:氧化还原电位随蚀刻液浓度的增大而升高,氧化还原电位越高,蚀刻反应趋势越大;蚀刻速率随浓度的增加先增大,再下降,且在浓度为40%左右出现极大值;蚀刻液温度越高、pH值越小,蚀刻速率越大;除镍后的失效蚀刻液经再生后能达到新鲜蚀刻液的90%以上,基本达到再生利用的要求。 展开更多

关键词 FE-NI合金 蚀刻速率 再生 FECL3 蚀刻废液

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不锈钢蚀刻速率影响因素研究 被引量：8

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作者 傅玉婷 巴俊洲 +1 位作者 蒋亚雄 颜飞雪 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2010年第2期34-36,共3页

研究了蚀刻液中FeCl3、HCl及HNO3的质量浓度以及温度对1Cr18Ni9Ti钢蚀刻速率的影响。实验结果表明,FeCl3质量浓度的增加可以提高蚀刻速率以及蚀刻液的稳定性;蚀刻速率随HCl质量浓度的增加先升高后降低;HNO3质量浓度和温度的增加都可以... 研究了蚀刻液中FeCl3、HCl及HNO3的质量浓度以及温度对1Cr18Ni9Ti钢蚀刻速率的影响。实验结果表明,FeCl3质量浓度的增加可以提高蚀刻速率以及蚀刻液的稳定性;蚀刻速率随HCl质量浓度的增加先升高后降低;HNO3质量浓度和温度的增加都可以提高蚀刻速率。 展开更多

关键词 蚀刻 蚀刻速率 影响因素

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PET核孔膜蚀刻速率影响因素的研究

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作者 左振中 吴振东 +4 位作者 屈国普 梁海英 鞠薇 陈东风 傅元勇 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期29-34,共6页

核孔膜是通过重离子照射薄膜后进行化学蚀刻所得到的高性能过滤材料,蚀刻速率是影响高质量核孔膜制备的重要因素。本文探讨了不同蚀刻液浓度、温度以及重离子辐照能量对蚀刻速率的影响。利用140 MeV的32S离子在室温和真空条件下对4层堆... 核孔膜是通过重离子照射薄膜后进行化学蚀刻所得到的高性能过滤材料,蚀刻速率是影响高质量核孔膜制备的重要因素。本文探讨了不同蚀刻液浓度、温度以及重离子辐照能量对蚀刻速率的影响。利用140 MeV的32S离子在室温和真空条件下对4层堆叠的PET(polyethylene terephthalate)薄膜进行了辐照。在对辐照样品进行化学蚀刻期间采用电导法确定了径迹蚀刻速率Vt。结果表明:蚀刻速率与蚀刻温度呈指数相关,随蚀刻液浓度增加而线性增大;径迹蚀刻速率随能量损失率(离子能损)增大。研究确定,在入射32S能量为1.6 MeV·u-1时,NaOH浓度为1mol·L-1、蚀刻温度为85°C时最有利于形成圆柱形微孔。 展开更多

关键词 核孔膜 电导法 径迹蚀刻速率 体蚀刻速率 能量损失率

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酸性CuCl_2蚀刻液动态蚀刻均匀性与蚀刻速率研究 被引量：7

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作者 黄雨新 何为 +3 位作者 胡友作 徐缓 覃新 罗旭 《印制电路信息》 2012年第2期38-41,共4页

对酸性CuCl2蚀刻液在HCl/H2O2和HCl/NH4Cl两种体系下进行了水平动态蚀刻研究,分别对蚀刻均匀性和蚀刻速率进行了分析,结果表明面铜粗糙度和上下喷淋对蚀刻均匀性有很大影响,HCl/NH4Cl系统相对于HCl/H2O2系统具有更高的蚀刻速率,为工业... 对酸性CuCl2蚀刻液在HCl/H2O2和HCl/NH4Cl两种体系下进行了水平动态蚀刻研究,分别对蚀刻均匀性和蚀刻速率进行了分析,结果表明面铜粗糙度和上下喷淋对蚀刻均匀性有很大影响,HCl/NH4Cl系统相对于HCl/H2O2系统具有更高的蚀刻速率,为工业生产提供相关的数据参考。 展开更多

关键词 酸性CuCl2蚀刻液 再生剂 蚀刻均匀性 蚀刻速率

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碱性蚀刻液影响PCB蚀刻速率的因素研究 被引量：4

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作者 王跃峰 王金来 +1 位作者 周乃正 信峰 《印制电路信息》 2013年第2期18-20,共3页

采用正交试验方法,研究了碱性氯化铜蚀刻液中(Cu2+)、(Cl-)、pH值、及蚀刻液温度对铜箔蚀刻速率的影响规律。结果表明:在因素水平范围内,对蚀刻速率影响的大小顺序为蚀刻液温度>Cu2+浓度>pH值>Cl-浓度,最佳蚀刻工艺条件为(Cu2+... 采用正交试验方法,研究了碱性氯化铜蚀刻液中(Cu2+)、(Cl-)、pH值、及蚀刻液温度对铜箔蚀刻速率的影响规律。结果表明:在因素水平范围内,对蚀刻速率影响的大小顺序为蚀刻液温度>Cu2+浓度>pH值>Cl-浓度,最佳蚀刻工艺条件为(Cu2+)=100g/L,(Cl-)=120g/L,pH=8.5,T=50℃,静态蚀刻速率可达8.76 m/min。 展开更多

关键词 正交试验 碱性蚀刻液 氯化铜 蚀刻速率 影响因素

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模具钢微细蚀刻速率的研究

7

作者 宋卿 张永俊 +1 位作者 于兆勤 王冠 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期40-43,共4页

目的研究模具钢微细蚀刻中，蚀刻速率的变化规律。方法采用蚀刻液喷淋加工方式，对掩膜的模具钢表面进行蚀刻．考察掩膜间隙、蚀刻液啧淋压力、蚀刻液温度对蚀刻速率的影响。结果蚀刻速率随掩膜间隙尺寸的增大而增加，当掩膜尺寸大于150... 目的研究模具钢微细蚀刻中，蚀刻速率的变化规律。方法采用蚀刻液喷淋加工方式，对掩膜的模具钢表面进行蚀刻．考察掩膜间隙、蚀刻液啧淋压力、蚀刻液温度对蚀刻速率的影响。结果蚀刻速率随掩膜间隙尺寸的增大而增加，当掩膜尺寸大于150μm时，蚀刻速率增长较快；较大的喷淋压力有利于蚀刻液的更新和蚀刻产物的排除，使得蚀刻反应充分，蚀刻速率较高；温度在一定范围内升高，蚀刻液活性增大，蚀刻效率提高，蚀刻速率增大。结论最佳工艺条件为：掩膜间隙尺寸150～200μm，蚀刻液喷淋压力1．0～1．4MPa．蚀刻液温度35～40℃。在此加工条件下．模具钢的蚀刻速率高，加工效率高．同时可以保证较好的蚀刻尺寸精度。 展开更多

关键词 微细蚀刻 模具钢 蚀刻速率

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基于HF酸蚀刻速率法的ULE玻璃铣磨亚表面破坏层深度检测

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作者 汉语 徐井华 +2 位作者 崔舒 张勇 刘成有 《通化师范学院学报》 2017年第6期35-37,共3页

HF酸蚀刻速率法是光学材料亚表面损伤检测的一种有效方法.本文利用该方法对ULE玻璃铣磨亚表面破坏层深度进行了测量.测量结果表明,在25wt%HF酸作用下,蚀刻速率曲线在90min后到达拐点,对应的亚表面破坏层深度约为30μm.

关键词 ULE玻璃 铣磨 亚表面损伤 HF酸蚀刻速率法

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SiGe Recess工艺中TMAH蚀刻速率的研究与优化

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作者 李帅臻 段力 《集成电路应用》 2018年第11期25-30,共6页

伴随着摩尔定律的发展,MOSFET的特征尺寸不断减小,90 nm节点以后,栅极SiO2介质的厚度已经接近物理极限,此时引入了high-k金属栅极,使摩尔定律能够继续往下延续。引入high-k金属栅极的同时又采用了应变硅技术,很好地解决了载流子迁移率... 伴随着摩尔定律的发展,MOSFET的特征尺寸不断减小,90 nm节点以后,栅极SiO2介质的厚度已经接近物理极限,此时引入了high-k金属栅极,使摩尔定律能够继续往下延续。引入high-k金属栅极的同时又采用了应变硅技术,很好地解决了载流子迁移率下降的问题。在28 nm节点,应力硅技术是先在PMOS栅极两侧用TMAH进行各向异性蚀刻,蚀刻出SiGe Recess,然后再在蚀刻出的SiGe Recess内外延生长出SiGe来实现的。但在生产实践中,发现TMAH的蚀刻速率不是很稳定,这样就会对大规模生产产生不利的影响。深入观察TMAH蚀刻速率的变现,分析可能的影响因子,并进行实验,最终确定了关键影响因子——TMAH溶液溶氧量,并在此发现基础上,采取措施,很大程度上优化了TMAH的蚀刻速率,为28 nm应力硅技术的大规模生产实践及良率提升提供了良好的基础。 展开更多

关键词 集成电路制造 SIGE RECESS TMAH蚀刻速率 TMAH溶氧溶氧量

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磷酸中金属离子的种类与含量对多晶硅蚀刻速率的影响

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作者 冯凯 张庭 +5 位作者 王书萍 尹印 贺兆波 李少平 叶瑞 杜林 《中国标准化》 2024年第S1期314-319,共6页

在集成电路制造工艺中,热磷酸主要用于氮化硅的选择性蚀刻去除,对多晶硅的蚀刻速率很低。实验研究了9种磷酸中常见的金属离子对磷酸蚀刻多晶硅的影响,发现,在常见浓度范围内,磷酸中单独或同时存在Al^(3+)、Co^(2+)、Zn^(2+)以及Na^(+)时... 在集成电路制造工艺中,热磷酸主要用于氮化硅的选择性蚀刻去除,对多晶硅的蚀刻速率很低。实验研究了9种磷酸中常见的金属离子对磷酸蚀刻多晶硅的影响,发现,在常见浓度范围内,磷酸中单独或同时存在Al^(3+)、Co^(2+)、Zn^(2+)以及Na^(+)时,不会对多晶硅的蚀刻速率产生影响。而Fe^(3+)、Ni^(2+)、Sb^(3+)、Cu^(2+)以及W^(6+)均会不同程度提高磷酸对多晶硅的蚀刻速率,相同金属离子浓度下,Cu^(2+)的影响程度最大,Sb^(3+)次之,W^(6+)的影响最小。 展开更多

关键词 磷酸 多晶硅 金属离子 蚀刻速率

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碱性蚀刻液影响因素的研究 被引量：7

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作者 莫凌 李德良 +1 位作者 杨焰 李佳 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期54-56,共3页

为了确立最佳的碱性CuCl2蚀刻工艺条件，提高工作效率，采用烧杯静态吊片蚀刻法，研究了影响蚀刻速率的因素。主要研究结果如下：1）在蚀刻时间为5min时，单因素试验得出的适宜的S-．艺范围为：Cu^2＋的质量浓度约为140—180g／L，Cl^-... 为了确立最佳的碱性CuCl2蚀刻工艺条件，提高工作效率，采用烧杯静态吊片蚀刻法，研究了影响蚀刻速率的因素。主要研究结果如下：1）在蚀刻时间为5min时，单因素试验得出的适宜的S-．艺范围为：Cu^2＋的质量浓度约为140—180g／L，Cl^-的质量浓度为4．8～6．5mol／L，pH为8．2～9．0，操作温度为48～55℃；2）正交试验结果表明，在Cu^2＋的质量浓度为160g／L，Cl^-的质量浓度为5．5mol／L，pH为8．8，操作温度为50℃时，蚀刻状态最好，静态蚀刻速率可达到5．84um／min。 展开更多

关键词 碱性蚀刻液 蚀刻速率 正交试验 影响因素

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纳米尺度上CR-39径迹蚀刻动力学研究 被引量：1

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作者 方美华 魏志勇 +6 位作者 黄三玻 杨永常 张紫霞 陈国云 雷升杰 黎光武 郭刚 《核科学与工程》 CSCD 北大核心 2011年第3期263-269,共7页

在对CR-39探测器蚀刻6 h后发现照射区域与未照射区域的体蚀刻速率明显不同,因此用传统的几何模型无法正确得到几何量和物理量之间的对应联系。本文在以往辐射粒子固体径迹研究基础上,利用新的AFM观测手段得到纳米尺度的CR-39三维蚀刻径... 在对CR-39探测器蚀刻6 h后发现照射区域与未照射区域的体蚀刻速率明显不同,因此用传统的几何模型无法正确得到几何量和物理量之间的对应联系。本文在以往辐射粒子固体径迹研究基础上,利用新的AFM观测手段得到纳米尺度的CR-39三维蚀刻径迹坑,并对探测器蚀刻几何模型进行了修正,提出了新的蚀刻速率比:V′=Vt/Virr对几何模型中各个参数进行计算。用修正的几何模型对100 MeV的Si离子的AFM观测结果进行分析。研究表明,100 MeV Si离子的径迹蚀刻速率:Vt=4.12μm/h,Virr=2.55μm/h,V′=1.62,Si离子入射角度为61.03°。同时我们通过局部覆盖法和台阶仪,得到本实验用CR-39的体蚀刻速率Vb=1.58μm/h。两者结合得到100 MeV Si离子的蚀刻速率比:V=2.61>V′。本研究采用传统的几何模型方法经过合理修正应用于新的观测手段,并得到了纳米尺度上蚀刻动力学关键参量。 展开更多

关键词 固体径迹 AFM CR-39 纳米尺度 蚀刻速率比

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GaSb半导体材料表面的化学蚀刻研究进展 被引量：1

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作者 张哲 赵江赫 +2 位作者 张铭 熊青昀 熊金平 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期114-125,共12页

提高GaSb材料表面的湿法化学蚀刻速率以及调控蚀刻后GaSb材料的表面形貌,对增强锑化物激光器器件的性能具有重要意义。总结了各种蚀刻体系蚀刻GaSb材料的速率和蚀刻后的表面形貌,及近年来关于GaSb半导体材料化学蚀刻的最新研究进展,关... 提高GaSb材料表面的湿法化学蚀刻速率以及调控蚀刻后GaSb材料的表面形貌,对增强锑化物激光器器件的性能具有重要意义。总结了各种蚀刻体系蚀刻GaSb材料的速率和蚀刻后的表面形貌,及近年来关于GaSb半导体材料化学蚀刻的最新研究进展,关注的体系包括无机酸蚀刻体系、有机酸蚀刻体系、混酸蚀刻体系及其他蚀刻体系,对各蚀刻体系的蚀刻速率及蚀刻后的表面形貌进行对比,指出了各蚀刻体系优点与不足及后续的研究方向,归纳总结各了蚀刻体系中主要组成的作用。综述发现,可用于GaSb化学蚀刻液中的氧化剂主要有H_2O_2、HNO_3、I_2、Br_2、KMnO_4,络合剂(或溶解剂)主要有酒石酸、HF、HCl、柠檬酸等,缓冲剂(或稀释剂)主要有HAc和H_2O等。盐酸、双氧水和无机酸组成蚀刻液的蚀刻速率适中,蚀刻表面较为光滑;硝酸、氢氟酸组成的蚀刻液具有蚀刻速率快的优点,可通过添加有机酸或缓冲剂改善蚀刻效果,具有很大的发展前景;磷酸体系则具有蚀刻后台面平整、下切效应小等优点,但蚀刻速率较慢,蚀刻后表面较粗糙;硫酸体系蚀刻后表面较粗糙,不适于GaSb的湿法蚀刻;单一的有机酸和碱性体系的蚀刻速率较慢,但由于具有很强的蚀刻选择性,被广泛应用于GaSb基材料的选择性蚀刻。总体来说,无机酸和有机酸组成的蚀刻体系更有利于提高Ga Sb材料的蚀刻速率及控制表面形貌,各蚀刻体系均存在蚀刻速率可调性不强、蚀刻形貌质量不可控、蚀刻可重复性较差等问题。基于此,总结了改进湿法化学蚀刻GaSb材料的多种研究思路,并对GaSb材料湿法蚀刻的未来发展方向进行展望。 展开更多

关键词 GaSb半导体材料 化学蚀刻 湿法蚀刻 蚀刻体系 蚀刻速率 蚀刻成分作用

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超声强化FeCl_3溶液蚀刻覆铜板的研究 被引量：1

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作者 杨日福 张凡 《物理实验》 2015年第11期1-4,共4页

为了提高FeCl3溶液蚀刻覆铜板制作印制电路板的效率,采用超声强化FeCl3溶液蚀刻覆铜板,研究了蚀刻时间、蚀刻液浓度、温度、超声电功率和超声频率对覆铜板蚀刻速率的影响,并且与静态蚀刻对比.结果表明:超声强化FeCl3溶液蚀刻覆铜板的蚀... 为了提高FeCl3溶液蚀刻覆铜板制作印制电路板的效率,采用超声强化FeCl3溶液蚀刻覆铜板,研究了蚀刻时间、蚀刻液浓度、温度、超声电功率和超声频率对覆铜板蚀刻速率的影响,并且与静态蚀刻对比.结果表明:超声强化FeCl3溶液蚀刻覆铜板的蚀刻速率随蚀刻时间的延长持续下降,蚀刻速率下降逐渐减缓;10min内的平均蚀刻速率随浓度的提高而增大,随蚀刻液温度的升高而增大,随超声电功率的增加先增加后减少(在超声电功率为80 W时达到最大),随超声频率的增加有降低的趋势.超声强化蚀刻和静态蚀刻的对比结果可以说明:超声波在FeCl3溶液蚀刻覆铜板中可以起到良好的强化作用. 展开更多

关键词 超声 FeCl3溶液 蚀刻 覆铜板 蚀刻速率

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聚丙烯核孔膜化学蚀刻工艺研究 被引量：7

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作者 孙志国 张泉荣 +1 位作者 何向明 严玉顺 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期36-40,共5页

探讨了蚀刻剂中重铬酸钾浓度、硫酸浓度及蚀刻温度、蚀刻时间等因素对聚丙烯膜基体蚀刻速率的影响 ;建立了基体蚀刻速率与重铬酸钾浓度、硫酸浓度、蚀刻温度的数学关联式 ;并选择一定的蚀刻条件对辐照过的聚丙烯膜进行蚀刻 ,得到了预期... 探讨了蚀刻剂中重铬酸钾浓度、硫酸浓度及蚀刻温度、蚀刻时间等因素对聚丙烯膜基体蚀刻速率的影响 ;建立了基体蚀刻速率与重铬酸钾浓度、硫酸浓度、蚀刻温度的数学关联式 ;并选择一定的蚀刻条件对辐照过的聚丙烯膜进行蚀刻 ,得到了预期孔径的聚丙烯核孔膜。 展开更多

关键词 核孔膜 聚丙烯 基体蚀刻速率 化学蚀刻工艺 蚀刻剂 塑料薄膜 重离子照射

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紫外光照射对聚丙烯核孔膜蚀刻的影响

16

作者 周密 傅元勇 +2 位作者 刘义保 鞠薇 陈东风 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期189-192,共4页

采用主峰波长为365nm的紫外光灯对经32S离子和79Br离子辐照过的16μm厚的聚丙烯(PP)膜正反面分别敏化6、8、10、12h。选取重铬酸钾和硫酸的混合溶液作为蚀刻液对样品膜进行蚀刻,采用电导法监测电流随蚀刻时间的变化,确定不同敏化时间下... 采用主峰波长为365nm的紫外光灯对经32S离子和79Br离子辐照过的16μm厚的聚丙烯(PP)膜正反面分别敏化6、8、10、12h。选取重铬酸钾和硫酸的混合溶液作为蚀刻液对样品膜进行蚀刻,采用电导法监测电流随蚀刻时间的变化,确定不同敏化时间下样品膜的导通时间。同种离子辐照后敏化时间越长,膜导通时间越短,径迹蚀刻速率也越快,且辐照离子的原子序数越大,该影响越明显。相同敏化时间(12h)和蚀刻条件下,32S离子辐照后膜的导通时间是79Br离子辐照后的4.8倍。 展开更多

关键词 聚丙烯膜 紫外光敏化 电导法 径迹蚀刻速率

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蚀刻液组成对薄膜晶体管线路蚀刻性能的影响 被引量：1

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作者 林钢 陈远明 +1 位作者 张汉焱 谢泽雄 《云南化工》 CAS 2022年第12期24-26,31,共4页

为了提高MoNb、AlNd金属薄膜的蚀刻速率,且使二者的蚀刻速率基本相同,采用改变蚀刻液各组分质量分数的方法进行了研究。结果表明,在蚀刻温度为45℃,磷酸质量分数为66.74%,硝酸质量分数为1.93%,醋酸质量分数为10.3%,水质量分数为8.3%时,A... 为了提高MoNb、AlNd金属薄膜的蚀刻速率,且使二者的蚀刻速率基本相同,采用改变蚀刻液各组分质量分数的方法进行了研究。结果表明,在蚀刻温度为45℃,磷酸质量分数为66.74%,硝酸质量分数为1.93%,醋酸质量分数为10.3%,水质量分数为8.3%时,AlNd、MoNb的蚀刻速率基本相等。通过蚀刻液各组分含量的优化,可以获得对MoNb、AlNd具有相同蚀刻速率的最佳配比。 展开更多

关键词 蚀刻速率 MoNb薄膜 AlNd薄膜 金属蚀刻液 晶体管线路

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二种促进剂在印制电路板蚀刻应用中的比较研究 被引量：2

18

作者 陈俊辉 林瀚伟 《电子世界》 2019年第13期24-25,28,共3页

为了研究小规模印制电路板蚀刻过程中影响蚀刻速率的因素,本文采用直接对照法,验证了NaCl、NH4Cl在以过硫酸钠蚀刻剂体系为主的印制电路板蚀刻溶液中所发挥的促进作用。结果表明,在上述环境下,NaCl、NH4Cl均具有较好的促进作用,且NaCl... 为了研究小规模印制电路板蚀刻过程中影响蚀刻速率的因素,本文采用直接对照法,验证了NaCl、NH4Cl在以过硫酸钠蚀刻剂体系为主的印制电路板蚀刻溶液中所发挥的促进作用。结果表明,在上述环境下,NaCl、NH4Cl均具有较好的促进作用,且NaCl兼具经济性和安全性优势。1.引言在实验室小规模印制电路板的制作过程中,蚀刻步骤通常使用以Na2S2O.为主要成分的环保蚀刻剂,我们发现蚀刻过程所花费的时间往往较长。即使在加热和晃动条件下结果仍不理想。 展开更多

关键词 印制电路板 蚀刻速率 促进剂 NH4CL 应用 NACL 过硫酸钠 制作过程

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PCB板酸性蚀刻机理、工艺参数及故障排除 被引量：2

19

作者 吴培常 程静 陈良 《印制电路信息》 2012年第2期31-37,共7页

蚀刻工艺是目前PCB板制作中的重要工序之一,特别是随着微电子技术的飞速发展,大规模集成电路和超大规模集成电路的广泛应用,对PCB板制造技术提出了更高的要求,正向着高精度、高密度的方向飞速发展,对PCB板蚀刻的线宽公差也提出更高、更... 蚀刻工艺是目前PCB板制作中的重要工序之一,特别是随着微电子技术的飞速发展,大规模集成电路和超大规模集成电路的广泛应用,对PCB板制造技术提出了更高的要求,正向着高精度、高密度的方向飞速发展,对PCB板蚀刻的线宽公差也提出更高、更严的技术要求,所以,充分了解和掌握铜在各种类型蚀刻液中的蚀刻机理,并通过严格的科学实验,测定出铜在各类蚀刻液中工艺参数,才能把控好PCB板蚀刻这一关键工序。本文就我公司AS-301型酸性蚀刻液特点、蚀刻机理、来料检测、操作规程、工艺流程、故障排除等作简单介绍。 展开更多

关键词 蚀刻机理 蚀刻速率 再生 氧化还原电位

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PCB蚀刻设备制造过程中应注意的问题 被引量：1

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作者 严皓 《印制电路信息》 1999年第12期20-21,共2页

1 概述我国印制板设备的发展,归纳起来大致分为三个阶段:第一阶段为五、六十年代的手工操作阶段。第二阶段为七、八十年代中期引进国外整套生产设备,一些设备商在吸收消化基础上,制造出一些设备,但功能单一,自动化程度较低,国内相继有... 1 概述我国印制板设备的发展,归纳起来大致分为三个阶段:第一阶段为五、六十年代的手工操作阶段。第二阶段为七、八十年代中期引进国外整套生产设备,一些设备商在吸收消化基础上,制造出一些设备,但功能单一,自动化程度较低,国内相继有简易喷淋湿法设备的产生。 展开更多

关键词 面蚀刻速率 印制板 生产设备 制造过程 传动系统 直接影响 三个阶段 喷嘴 蚀刻液 六十年代

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