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投射式电容触摸屏控制芯片设计 被引量:5
1
作者 詹思维 魏廷存 +1 位作者 李博 刘伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期364-368,共5页
设计了一种用于投射式电容触摸屏的新型触摸信号检测方案和触控芯片。采用差分驱动单端感应方法,检测手指触摸导致的互电容变化。该方案可完全消除鬼点,并实现多点触摸的检测。触控芯片的信噪比为23.2dB,采用0.13μm CMOS工艺制造,芯片... 设计了一种用于投射式电容触摸屏的新型触摸信号检测方案和触控芯片。采用差分驱动单端感应方法,检测手指触摸导致的互电容变化。该方案可完全消除鬼点,并实现多点触摸的检测。触控芯片的信噪比为23.2dB,采用0.13μm CMOS工艺制造,芯片尺寸为1.8mm×2.0mm。芯片模拟和数字电路的工作电压分别为3.3V和1.8V,动态和静态电流分别为450μA和45μA。 展开更多
关键词 投射式电容触摸屏 电容 自电容 差分驱动
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电容近炸引信电极电容的理论分析及数值计算 被引量:5
2
作者 程顺 崔占忠 李泽蓉 《探测与控制学报》 CSCD 北大核心 2003年第B03期16-18,32,共4页
利用电荷镜像法建立了球形电极对地电容方程 ,与某迫弹电容近炸引信的有限元分析结果进行比较 ,在互电容、自电容对地变化趋势和变化规律方面有很好的一致性。通过理论分析和有限元计算可以看出 ,电容近炸引信对地电容方程可以用等效球... 利用电荷镜像法建立了球形电极对地电容方程 ,与某迫弹电容近炸引信的有限元分析结果进行比较 ,在互电容、自电容对地变化趋势和变化规律方面有很好的一致性。通过理论分析和有限元计算可以看出 ,电容近炸引信对地电容方程可以用等效球电极的电容方程来建立。 展开更多
关键词 电容近炸引信 电极电容 目标 自电容 电容 电荷镜像法 有限元分析
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投射电容式触控方案研究 被引量:2
3
作者 詹思维 李博 +2 位作者 杨立成 王闯 樊超 《工业控制计算机》 2015年第6期155-156,160,共3页
分析了投射电容式触摸屏的工作原理,概述了国内外现有触控方案,重点分析了支持多点触控的互电容信号检测方案。在此基础上,提出了单线驱动-差分感应的新型信号检测方案。该方案采用差分感应的方式,可以放大自电容和互电容的变化值,具有... 分析了投射电容式触摸屏的工作原理,概述了国内外现有触控方案,重点分析了支持多点触控的互电容信号检测方案。在此基础上,提出了单线驱动-差分感应的新型信号检测方案。该方案采用差分感应的方式,可以放大自电容和互电容的变化值,具有消除失调电压和抑制电源噪声的优点,可提高信噪比,并消除了"鬼点"的影响。 展开更多
关键词 投射电容式触摸屏 电容 自电容 差分感应
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投射电容式触控芯片的研究与设计 被引量:1
4
作者 詹思维 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期60-65 82,共7页
提出了一种新型的投射电容式触控信号检测方案,该方案采用单端驱动-差分感应方式,可提高信噪比,并消除"鬼点"的影响。基于该方案完成了芯片的设计和测试,该芯片可应用于48通道、127~178mm的投射电容式触摸屏,支持多点触摸功... 提出了一种新型的投射电容式触控信号检测方案,该方案采用单端驱动-差分感应方式,可提高信噪比,并消除"鬼点"的影响。基于该方案完成了芯片的设计和测试,该芯片可应用于48通道、127~178mm的投射电容式触摸屏,支持多点触摸功能。采用0.13μm CMOS工艺设计和实现了投射电容式触控芯片,芯片的信噪比为21.2dB,面积为1.9mm×2.2mm。芯片的数字和模拟工作电压分别为1.8V和3.3V,静态和动态电流分别为98μA和736μA。该芯片可以支持400kHz的工作频率。 展开更多
关键词 投射电容式触摸屏 电容 自电容 差分感应
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电容探测器理论分析及数值计算
5
作者 程顺 崔占忠 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2004年第11期64-66,共3页
利用电荷镜像法建立了电容探测器球形电极对地目标探测方程,与某迫弹电容近炸引信电容探测器的有限元数值分析结果比较,在互电容、自电容对地变化趋势和变化率方面有很好的一致性。通过理论分析和有限元计算可以看出:电容近炸引信电容... 利用电荷镜像法建立了电容探测器球形电极对地目标探测方程,与某迫弹电容近炸引信电容探测器的有限元数值分析结果比较,在互电容、自电容对地变化趋势和变化率方面有很好的一致性。通过理论分析和有限元计算可以看出:电容近炸引信电容探测器对地电容探测方程可以用等效球电极的探测电容方程来建立。 展开更多
关键词 电容探测器 电荷镜像法 电容近炸引信 有限元数值分析 电容 自电容
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金属小目标对电容近炸引信电极电容的影响 被引量:1
6
作者 刘飘楚 崔占忠 程顺 《探测与控制学报》 CSCD 北大核心 2003年第2期62-64,共3页
利用导体之间感应系数与自电容、互电容之间关系 ,从理论上论述了金属小目标靠近电容近炸引信电极时自电容和互电容的变化规律 ,并且根据有限元计算的方法验证了推导的结论。
关键词 电容近炸引信 有限元 自电容/互电容
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投射式多点触控电容触摸屏 被引量:1
7
作者 金梦 王文晓 +1 位作者 李欢欢 崔志鹏 《河南科技》 2014年第6X期79-81,共3页
电容式触摸屏是在玻璃表面贴上一层透明的金属导电物质(ITO),当有带电物体(如人体)接触屏幕时,金属导电物质会对带电物体进行感应,接触位置的表面电容产生改变,依据改变的电容计算接触位置。电容式触摸屏是电容式接触按键、触摸板、TFT... 电容式触摸屏是在玻璃表面贴上一层透明的金属导电物质(ITO),当有带电物体(如人体)接触屏幕时,金属导电物质会对带电物体进行感应,接触位置的表面电容产生改变,依据改变的电容计算接触位置。电容式触摸屏是电容式接触按键、触摸板、TFT等多种技术结合的产物,并在发展过程中出现了诸多问题。本文主要针对投射式多点触控电容触摸屏技术存在的问题和改进进行了阐述,并对嵌入式电容触摸屏的结构和原理进行介绍。 展开更多
关键词 自电容 电容 交叉点扫描 in-cell
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顶板离层监测的分段式自电容位移传感器 被引量:2
8
作者 李风珍 孙春伟 《煤矿安全》 CAS 北大核心 2014年第1期98-100,共3页
设计了一种用于矿井顶板离层监测的分段式自电容位移传感器,采用电容测量电路测量滑动极板与已覆盖的固定极板之间的区间位移,采用比值法计算滑动极板与已覆盖的固定极板之间的相对边缘位移;位移传感器总长度等于待测长度与滑动极板长... 设计了一种用于矿井顶板离层监测的分段式自电容位移传感器,采用电容测量电路测量滑动极板与已覆盖的固定极板之间的区间位移,采用比值法计算滑动极板与已覆盖的固定极板之间的相对边缘位移;位移传感器总长度等于待测长度与滑动极板长度之和;在不提高电路复杂程度的情况下提高了位移传感器的监测精度,测量误差小于滑动极板与某一块固定极板测量时的最大测量误差,并消除了绝缘材料厚度和介电常数等参数变化对测量精度的影响。 展开更多
关键词 分段式 自电容 位移传感器 顶板离层 监测精度
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关于电容器及其电容定义的讨论 被引量:1
9
作者 王杰民 《烟台师范学院学报(自然科学版)》 1995年第3期70-72,共3页
从导体系统的自电容和互电容出发,讨论了电容器及其电容不同定义形式的异同,并分析了外界导体对电容器电容的影响。
关键词 电容 自电容 电容
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500kV限流用电抗器分布参数提取 被引量:2
10
作者 陈水明 耿屹楠 +2 位作者 张波 王振兴 戈承 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期777-783,共7页
500kV干式空心电抗器用来限制500kV系统的短路电流。在分析电抗器的工作电压和冲击电压下的电位分布时,需要用到电抗器的分布电气参数。因此采用有限元与解析法相结合的方法得出了电抗器分布参数的提取方法,并计算了电抗器的分布电容。... 500kV干式空心电抗器用来限制500kV系统的短路电流。在分析电抗器的工作电压和冲击电压下的电位分布时,需要用到电抗器的分布电气参数。因此采用有限元与解析法相结合的方法得出了电抗器分布参数的提取方法,并计算了电抗器的分布电容。计算结果表明,电抗器内外层线圈的参数类似,单层绕组的两端各匝的自电容较大,中部较小;而互电容则在中部略大,但是整体相差很小。从单匝线圈的杂散电容来分析,相邻两匝线圈的匝间电容最大,远远大于其它匝间电容。电抗器等效杂散电容为1.378nF,电抗器对地的等效电容为各层绕组对地电容之和,为0.27nF。 展开更多
关键词 500kV限流电抗器 分布参数提取 有限元 解析法 匝间电容 对地电容 自电容 电容
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圆内导体板线带通滤波器的设计 被引量:1
11
作者 金铃 《现代雷达》 CSCD 1996年第6期96-101,共6页
首先从圆内导体板线基本原理出发,推出等直径圆内导体耦合线中的自电容、互电容公式,其次通过选择归一化特性导纳Y_(ai)/Y_a及自编C语言程序的迭代计算,使滤波器自电容、互电容符合矩形内导体结构的梳状线带通滤波器的自... 首先从圆内导体板线基本原理出发,推出等直径圆内导体耦合线中的自电容、互电容公式,其次通过选择归一化特性导纳Y_(ai)/Y_a及自编C语言程序的迭代计算,使滤波器自电容、互电容符合矩形内导体结构的梳状线带通滤波器的自、互电容。最后由电磁场理论推出抽头位置的公式。该滤波器实现了簿型、小型化。 展开更多
关键词 圆内导体板线 抽头 滤波器 自电容 电容
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基于HFSS的交指型滤波器设计与仿真 被引量:1
12
作者 程军 《微计算机信息》 2010年第28期163-164,167,共3页
介绍了矩形杆交指型带通滤波器的原理和设计方法,根据交指滤波器的设计理论获得矩形杆的自电容和互电容,利用计算机辅助设计工具结合图表得到滤波器的初始尺寸。给出了一个中心频率为1.5GHz,相对带宽为70%的矩形杆交指滤波器的设计过程... 介绍了矩形杆交指型带通滤波器的原理和设计方法,根据交指滤波器的设计理论获得矩形杆的自电容和互电容,利用计算机辅助设计工具结合图表得到滤波器的初始尺寸。给出了一个中心频率为1.5GHz,相对带宽为70%的矩形杆交指滤波器的设计过程,利用HFSS软件仿真,提高了设计效率和精度,仿真结果和理论结果吻合良好,证明了设计方法的可行性。 展开更多
关键词 交指型滤波器 带通 自电容 电容 HFSS软件
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带屏蔽的多平行微带线分析公式及其应用
13
作者 杜建洪 《桂林电子科技大学学报》 1990年第2期16-21,共6页
本文利用带状线的电容分布特点给出了带屏蔽的多平行耦合微带线的分布电容模拟分析公式,并采用Weeks给出的超松弛差分数值计算方法进行了验算,误差不超过2%。最后,给出了本公式的两个应用实例,实验结果表明,效果令人满意。
关键词 多平行线 自电容 电容 交指型
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有关一类特殊导体组的两个命题
14
作者 易正湘 《武汉交通科技大学学报》 1999年第3期313-314,共2页
应用格林互易定理推证了适用于一组特殊导体的两个命题。
关键词 格林互易定理 自电容 感应电荷
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交指带通滤波器的精确设计 被引量:5
15
作者 夏运强 王玲 《电子科技》 2004年第5期23-25,30,共4页
用数据表综合出交指带通滤波器的初始值,然后用德国的三维高频电磁仿真软件CST4.2进行仿真,提高了设计效率和精度。并给出了交指型带通滤波器的设计实例,仿真结果表明研制出的滤波器的性能和理论值基本一致。
关键词 交指滤波器 平行耦合线 谐振器 自电容 电容
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圆杆交指型滤波器的设计
16
作者 马行军 王家礼 程丽丽 《现代电子技术》 2007年第7期92-93,96,共3页
介绍了圆杆交指型带通滤波器的设计原理和方法,根据交指滤波器的设计理论获得圆杆的自电容和互电容,利用计算机辅助设计工具进行数值计算,结合图表得到滤波器的最初尺寸。给出了一个中心频率为830 MHz圆杆交指滤波器的设计过程,利用HFS... 介绍了圆杆交指型带通滤波器的设计原理和方法,根据交指滤波器的设计理论获得圆杆的自电容和互电容,利用计算机辅助设计工具进行数值计算,结合图表得到滤波器的最初尺寸。给出了一个中心频率为830 MHz圆杆交指滤波器的设计过程,利用HFSS软件仿真,提高了设计效率和精度,仿真结果和理论结果吻合良好,证明了设计方法的可行性。 展开更多
关键词 交指滤波器 带通 自电容 电容 HFSS软件
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用边界元法分析圆柱内导体屏蔽矩形板线的特性阻抗 被引量:1
17
作者 耿金莲 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2001年第3期27-30,共4页
由多根圆柱内导体和矩形外导体所组成的屏蔽矩形板线是电磁工程中一类重要的传输线。文章提出用边界元法分析多圆柱内导体屏蔽矩形板线的特性阻抗问题 ,推导出用边界元法计算多圆柱内导体屏蔽矩形板线的自电容、耦合电容计算公式。通过... 由多根圆柱内导体和矩形外导体所组成的屏蔽矩形板线是电磁工程中一类重要的传输线。文章提出用边界元法分析多圆柱内导体屏蔽矩形板线的特性阻抗问题 ,推导出用边界元法计算多圆柱内导体屏蔽矩形板线的自电容、耦合电容计算公式。通过对两类屏蔽矩形板线的实际计算结果表明 :边界元法具有较高的计算精度 ,是一种有效的多圆柱内导体屏蔽矩形板线分析方法 。 展开更多
关键词 边界元 屏蔽矩形板线 自电容 耦合电容 滤波器 持性阻抗
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Flexible free-standing graphene-like film electrode for supercapacitors by electrophoretic deposition and electrochemical reduction 被引量:6
18
作者 窦元运 罗民 +3 位作者 梁森 张学玲 丁肖怡 梁斌 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第5期1425-1433,共9页
Electrophoretic deposition in conjunction with electrochemical reduction was used to make flexible free-standing graphene-like films. Firstly, graphene oxide (GO) film was deposited on graphite substrate by electrop... Electrophoretic deposition in conjunction with electrochemical reduction was used to make flexible free-standing graphene-like films. Firstly, graphene oxide (GO) film was deposited on graphite substrate by electrophoretic deposition method, and then reduced by subsequent electrochemical reduction of GO to obtain reduced GO (ERGO) film with high electrochemical performance. The morphology, structure and electrochemical performance of the prepared graphene-like film were confirmed by SEM, XRD and FT-IR. These unique materials were found to provide high specific capacitance and good cycling stability. The high specific capacitance of 254 F/g was obtained from cyclic voltammetry measurement at a scan rate of 10 mV/s. When the current density increased to 83.3 A/g, the specific capacitance values still remained 132 F/g. Meanwhile, the high powder density of 39.1 kW/kg was measured at energy density of 11.8 W-h/kg in 1 mol/L H2SO4 solution. Furthermore, at a constant scan rate of 50 mV/s, 97.02% of its capacitance was retained for 1000 cycles. These promising results were attributed to the unique assembly structure of graphene film and low contact resistance, which indicated their potential application to electrochemical capacitors. 展开更多
关键词 free-standing graphene-like film SUPERCAPACITOR electrophoretic deposition electrochemical reduction FLEXIBILITY
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Capacitor self-calibration technique used in time-interleaved successive approximation ADC
19
作者 殷勤 戚韬 +1 位作者 吴光林 吴建辉 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2006年第2期164-168,共5页
A capacitor self-calibration circuit used in a successive approximation analog-to-digital converter (SA-ADC) is presented. This capacitor self-calibration circuit can calibrate erroneous data and work with the ADC b... A capacitor self-calibration circuit used in a successive approximation analog-to-digital converter (SA-ADC) is presented. This capacitor self-calibration circuit can calibrate erroneous data and work with the ADC by adding an additional clock period. This circuit is used in a 10 bit 32 Msample/s time-interleaved SA- ADC. The chip is implemented with Chart 0. 25 μm 2. 5 V process and totally occupies an area of 1.4 mm× 1.3 mm. After calibration, the simulated signal-to-noise ratio (SNR) is 59. 586 1 dB and the spurious-free dynamic range (SFDR) is 70. 246 dB at 32 MHz. The measured signal-to-noise and distortion ratio (SINAD) is 44. 82 dB and the SFDR is 63. 760 4 dB when the ADC samples a 5.8 MHz sinusoid wave. 展开更多
关键词 capacitor self-calibration analog-to-digital converter successive approximation time-interleaved
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Analysis and Optimum Design of Differential Inductors Using Distributed Capacitance Model
20
作者 菅洪彦 唐长文 +1 位作者 何捷 闵昊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1077-1082,共6页
A distributed capacitance model for monolithic inductors is developed to predict the equivalently parasitical capacitances of the inductor.The ratio of the self-resonant frequency (f SR) of the differential-driven sym... A distributed capacitance model for monolithic inductors is developed to predict the equivalently parasitical capacitances of the inductor.The ratio of the self-resonant frequency (f SR) of the differential-driven symmetric inductor to the f SR of the single-ended driven inductor is firstly predicted and explained.Compared with a single-ended configuration,experimental data demonstrate that the differential inductor offers a 127% greater maximum quality factor and a broader range of operating frequencies.Two differential inductors with low parasitical capacitance are developed and validated. 展开更多
关键词 distributed capacitance model self-resonant frequency ratio quality factor differential inductor optimum design
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