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高k场板终端准垂直GaN功率肖特基势垒二极管
1
作者 胡宪富 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期141-146,共6页
随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO... 随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO)作为场板的准垂直结构GaN SBD。通过击穿电压实验和器件电场仿真分析,结果表明BTO高k场板能够有效抑制边缘峰值电场集聚,显著提升SBD击穿电压并降低漏电流。使用BTO场板的GaN SBD实现了0.75 V的开启电压、2.45 mΩ·cm^(2)的比导通电阻以及1.49 kV的高击穿电压。研究表明,BTO高k场板在高功率GaN电子器件的发展中具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 GAN 肖特基势垒二极管(sbd) 钛酸钡(BTO) 击穿电压 电场仿真
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大电流金刚石功率肖特基势垒二极管
2
作者 郁鑫鑫 王若铮 +4 位作者 谯兵 李忠辉 沈睿 周建军 周立坤 《真空电子技术》 2024年第5期59-63,共5页
基于硼掺杂金刚石外延材料,开展了安培级大电流金刚石功率肖特基势垒二极管(SBD)的研制。为了获得高的电流导通能力和击穿电压,该器件采用了垂直结构设计,包含300μm厚的硼重掺杂金刚石衬底和2.5μm厚的轻掺杂漂移层。采用低功函数金属T... 基于硼掺杂金刚石外延材料,开展了安培级大电流金刚石功率肖特基势垒二极管(SBD)的研制。为了获得高的电流导通能力和击穿电压,该器件采用了垂直结构设计,包含300μm厚的硼重掺杂金刚石衬底和2.5μm厚的轻掺杂漂移层。采用低功函数金属Ti与p型金刚石形成了良好的肖特基接触,肖特基势垒高度1.23 eV,理想因子1.54,并在肖特基电极边缘进行了硼离子注入以抑制边缘电场。研制的金刚石功率SBD正向导通电流高达1 A,反向击穿电压653 V,巴利加优值(Baliga's Figure Of Merit,BFOM)达到了20.1 MW/cm^(2)。 展开更多
关键词 金刚石 硼掺杂 肖特基势垒二极管 导通电流 击穿电压
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基于肖特基势垒二极管三维电磁模型的220GHz三倍频器 被引量：9
3
作者 张勇 卢秋全 +2 位作者 刘伟 李理 徐锐敏 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期405-411,共7页
采用阻性肖特基势垒二极管UMS DBES105a设计了一个太赫兹三倍频器.为了提高功率容量和倍频效率,该倍频器采用反向并联二极管对结构实现平衡式倍频.根据S参数测试曲线建立了该二极管的等效电路模型并提取了模型参数.由于在太赫兹频段二... 采用阻性肖特基势垒二极管UMS DBES105a设计了一个太赫兹三倍频器.为了提高功率容量和倍频效率,该倍频器采用反向并联二极管对结构实现平衡式倍频.根据S参数测试曲线建立了该二极管的等效电路模型并提取了模型参数.由于在太赫兹频段二极管的封装影响到电路的场分布,将传统的二极管SPICE参数直接应用于太赫兹频段的电路设计存在一定缺陷,因此还建立了二极管的三维电磁模型.基于该模型研制出的220 GHz三倍频器最大输出功率为1.7 mW,最小倍频损耗为17.5 dB,在223.5 GHz^237 GHz输出频率范围内,倍频损耗小于22 dB. 展开更多
关键词 太赫兹 平衡式倍频 肖特基势垒二极管 谐波平衡法
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在薄硅外延片上制备高频肖特基势垒二极管 被引量：5
4
作者 张海燕 叶志镇 +3 位作者 黄靖云 李蓓 谢靓红 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期622-625,共4页
采用超高真空化学气相沉积技术 ,在 n型重掺 Si衬底上生长了轻掺的薄硅外延层 ,利用扩展电阻和原子力显微分析对外延层进行了检验 .结果表明 ,重掺 Si衬底与薄硅外延层之间的界面过渡区陡峭 ,外延层厚度在亚微米级 ,掺杂浓度为 10 1 7cm... 采用超高真空化学气相沉积技术 ,在 n型重掺 Si衬底上生长了轻掺的薄硅外延层 ,利用扩展电阻和原子力显微分析对外延层进行了检验 .结果表明 ,重掺 Si衬底与薄硅外延层之间的界面过渡区陡峭 ,外延层厚度在亚微米级 ,掺杂浓度为 10 1 7cm- 3.在此外延片上制备了高频肖特基二极管的原型器件 。 展开更多
关键词 肖特基势垒 二极管 硅外延层 截止频率
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SiC肖特基势垒二极管的研制 被引量：15
5
作者 张玉明 张义门 罗晋生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期1040-1043,共4页
本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂（Ｐｔ）做肖特基接触在ｎ 型６ＨＳｉＣ体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性．对实验结果进行了比较分析，ＩＶ特性测量说明Ｐｔ／６ＨＳｉＣ肖特基二极管有较好的整流特性，热... 本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂（Ｐｔ）做肖特基接触在ｎ 型６ＨＳｉＣ体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性．对实验结果进行了比较分析，ＩＶ特性测量说明Ｐｔ／６ＨＳｉＣ肖特基二极管有较好的整流特性，热电子发射是其主要的输运机理，理想因子为１２３，肖特基势垒高度为１０３ｅＶ，开启电压约为０５Ｖ． 展开更多
关键词 肖特基势垒 二极管 碳化硅 研制
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宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制 被引量：6
6
作者 徐军 谢家纯 +3 位作者 董小波 王克彦 李垚 易波 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期320-323,共4页
采用微电子平面工艺 ,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触 ,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触 ,SiO2 绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术 ,制作出Ni/4H SiC肖特基势垒二极管 (SBD) .该器件在室温下反向击穿电压大于 450V ,对应漏... 采用微电子平面工艺 ,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触 ,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触 ,SiO2 绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术 ,制作出Ni/4H SiC肖特基势垒二极管 (SBD) .该器件在室温下反向击穿电压大于 450V ,对应漏电流为 6× 1 0 -6 A .并对实验结果进行分析模拟 ,理想因子为 1 .73 ,肖特基势垒高度为 1 .2 5V ,实验表明 ,该器件具有较好的正向整流特性和较小的反向漏电流 . 展开更多
关键词 宽禁带SiC肖特基势垒二极管 碳化硅 半导体器件 微电子平面工艺 正向整流特性 反向漏电流
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4H-SiC肖特基势垒二极管伏-安特性的解析模型 被引量：5
7
作者 常远程 张义门 张玉明 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期467-471,共5页
在分析 4H SiC肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上 ,计算了肖特基势垒高度eff和串联电阻Ron.通过对反向电流各种输运机制的分析 ,提出了一种计算反向电流密度的理论模型 .计算结果与实验数据的比较表明 ,隧道效应是反向... 在分析 4H SiC肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上 ,计算了肖特基势垒高度eff和串联电阻Ron.通过对反向电流各种输运机制的分析 ,提出了一种计算反向电流密度的理论模型 .计算结果与实验数据的比较表明 ,隧道效应是反向电流的主要输运机理 . 展开更多
关键词 肖特基势垒二极管 隧道效应 碳化硅 伏-安特性 解析模型
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高温Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的特性 被引量：3
8
作者 张义门 常远程 张玉明 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第4期383-387,共5页
在研究高温下串联电阻Ron对肖特基势垒二极管正向特性的影响,以及各种反向电流密度分量对其反向特性的影响基础上,测量并理论计算了300-528K范围内Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的伏安特性。分别得到了理想因子、肖特基势垒高度和串联电阻... 在研究高温下串联电阻Ron对肖特基势垒二极管正向特性的影响,以及各种反向电流密度分量对其反向特性的影响基础上,测量并理论计算了300-528K范围内Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的伏安特性。分别得到了理想因子、肖特基势垒高度和串联电阻在395K和528K温度下的数值。理论和实验的比较说明,高温下,热电子发射是正向电流的主要输运机理,反向电流除了以隧道效应为主外,热电子发射电流和耗尽层中复合中心产生电流都随温度的升高而大大增加,必须加以考虑。 展开更多
关键词 碳化硅 肖特基势垒二极管 高温 钛 掺杂
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SiC肖特基势垒二极管的反向特性 被引量：2
9
作者 杨霏 闫锐 +8 位作者 陈昊 张有润 彭明明 商庆杰 李亚丽 张雄文 潘宏菽 杨克武 蔡树军 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第1期6-9,共4页
在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响。场板(FP)结构有利于提高反向阻断电压,减小反向泄漏电流。当场板... 在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响。场板(FP)结构有利于提高反向阻断电压,减小反向泄漏电流。当场板长度从5μm变化到25μm,反向阻断电压随着场板长度的增加而增加。SiO2厚度对于反向阻断电压有重要的影响,当厚度为0.5μm,即大约为外延层厚度的1/20时,可以得到较大的反向阻断电压。当场限环的离子注入区域宽度从10μm变化到70μm,反向阻断电压也随之增加。FLR和FP复合结构对于改善反向阻断电压以及反向泄漏电流都有作用,同时反向阻断电压对于场板长度不再敏感。采用复合结构,在10μA反向泄漏电流下最高阻断电压达到1 300V。讨论了离子注入剂量对于反向阻断电压的影响,注入离子剂量和反向电压的关系表明SBD结构不同于传统PIN结构的要求。当采用大约为150%理想剂量的注入剂量时才可达到最高的反向阻断电压而不是其他报道的75%理想剂量,此时的注入剂量远高于PIN结构器件所需的注入剂量。 展开更多
关键词 碳化硅 肖特基势垒二极管 反向阻断电压 反向泄漏电流 场限环 场板 离子注入
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Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析 被引量：1
10
作者 钟德刚 徐静平 +1 位作者 高俊雄 于军 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期26-28,共3页
　采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺,制作了N型6H-SiC肖特基势垒二极管,对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究。实验结果表明,该器件具有很好的整流特性,反向电流小、击穿电压高,且在高温下器件波动很小,能够稳... 　采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺,制作了N型6H-SiC肖特基势垒二极管,对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究。实验结果表明,该器件具有很好的整流特性,反向电流小、击穿电压高,且在高温下器件波动很小,能够稳定地工作,适合于在高温(600°C)等恶劣环境下长期可靠地工作。 展开更多
关键词 碳化硅 6H—SiC肖特基势垒二极管 宽禁带半导体 肖特基势垒二极管 直流磁控溅射 碳化硅
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AlGaN肖特基势垒二极管的研制 被引量：1
11
作者 邵庆辉 叶志镇 +3 位作者 黄靖云 赵炳辉 江红星 林景瑜 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1244-1247,共4页
为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用Au和Ti/Al分别作为肖特基接触和欧姆接触的电极,制备了AlGaN肖特基二极管,并对其工艺过程和器件特性进行... 为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用Au和Ti/Al分别作为肖特基接触和欧姆接触的电极,制备了AlGaN肖特基二极管,并对其工艺过程和器件特性进行了研究.IV测试表明该AlGaN肖特基二极管具有明显的整流特性和较高的反向击穿电压(95V),理想因子为1.93.经300℃1min退火,该器件正、反向IV特性都得到明显改善.采用变温IV法对Au/AlGaN接触的肖特基势垒高度进行了标定,其势垒高度高达1.08eV,更适合在高压、大电流条件下工作. 展开更多
关键词 ALGAN 肖特基势垒二极管 势垒高度
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6H-SiC高压肖特基势垒二极管 被引量：1
12
作者 王姝睿 刘忠立 +3 位作者 徐萍 葛永才 姚文卿 高翠华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1052-1056,共5页
在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖特基势垒二极管 .测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,结果表明 ,肖特基二极管具有较好的整流特性 :反... 在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖特基势垒二极管 .测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,结果表明 ,肖特基二极管具有较好的整流特性 :反向击穿电压约为 45 0 V,室温下 ,反向电压 VR=- 2 0 0 V时 ,反向漏电流 JL=5× 10 - 4 A· cm- 2 ;理想因子为 1.0 9,肖特基势垒高度为 1.2 4— 1.2 6 e V ,开启电压约为 0 . 展开更多
关键词 碳化硅 肖特基势垒二极管 6H-SIC
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基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制 被引量：2
13
作者 张发生 李欣然 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期146-149,共4页
采用高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触,离子注入形成结终端扩展表面保护,研制出Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。I-V特性测量说明,Ni/4H-SiCSBD有较好的整流特性,热电子发射是其主要的运输机理。实验测量其反向击... 采用高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触,离子注入形成结终端扩展表面保护,研制出Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。I-V特性测量说明,Ni/4H-SiCSBD有较好的整流特性,热电子发射是其主要的运输机理。实验测量其反向击穿电压达1800V,且反向恢复特性为32ns。 展开更多
关键词 碳化硅 肖特基势垒二极管 结终端扩展 欧姆接触
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基于肖特基势垒二极管整流的功率指示计设计 被引量：1
14
作者 李琰 肖知明 +2 位作者 俞航 刘少华 Amara AMARA 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期484-487,共4页
设计了一种适用于低中频接收机的功率指示计。采用肖特基势垒二极管作为整流器件,降低了电路设计的复杂度,减小了系统功耗;功率指示计中的限幅放大器采用交流耦合的方式,消除了输入直流失调的影响,降低了设计难度。电路基于0.18μm CMO... 设计了一种适用于低中频接收机的功率指示计。采用肖特基势垒二极管作为整流器件,降低了电路设计的复杂度,减小了系统功耗;功率指示计中的限幅放大器采用交流耦合的方式,消除了输入直流失调的影响,降低了设计难度。电路基于0.18μm CMOS工艺进行设计,测试结果表明,设计的功率指示计针对-50~0dBm的10 MHz中频信号可以产生0.25~1.65V的直流电压,线性误差小于±1dB,在1.8V电源电压下,整体功耗仅为1.4mW。 展开更多
关键词 限幅放大器 功率指示计 肖特基势垒二极管 整流器
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对具有结终端保护的4H-SiC肖特基势垒二极管的研究 被引量：1
15
作者 张发生 李欣然 《中南林业科技大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期179-183,共5页
在对4H—SiC高压肖特基势垒二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的4H—SiC高压肖特基势垒二极管耐压特性进行了模拟仿真计算,并取得了很多有价值的计算结果。利用平面制造工艺,结合仿真提取的参数,试制... 在对4H—SiC高压肖特基势垒二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的4H—SiC高压肖特基势垒二极管耐压特性进行了模拟仿真计算,并取得了很多有价值的计算结果。利用平面制造工艺,结合仿真提取的参数,试制了4H—SiC肖特基势垒二极管。实验测试结果表明,仿真计算的结果与实际样品测试的数据一致性较好,实测器件反向耐压值已达到1 800 V。 展开更多
关键词 肖特基势垒二极管 结终端技术 模拟 反向耐压 工艺
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终端场板结构对GaN基肖特基势垒二极管击穿电压的影响 被引量：1
16
作者 朱友华 薛海峰 +1 位作者 王美玉 李毅 《南通大学学报（自然科学版）》 CAS 2021年第3期82-87,共6页
为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD。基于Silvaco TCAD软件,采用控制变量法即分别在不同场板长度(L_(FP))和绝缘层厚度(T_(FP))及GaN漂移区掺杂... 为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD。基于Silvaco TCAD软件,采用控制变量法即分别在不同场板长度(L_(FP))和绝缘层厚度(T_(FP))及GaN漂移区掺杂浓度(N_(D))条件下仿真了器件的击穿电压,通过器件表面电场分布情况确认了BV的变化趋势。结果表明:当T_(FP)=0.3μm,N_(D)=1×10^(16)cm^(-3),L_(FP)从0增加到2.0μm时,SBD的BV逐渐升高,在L_(FP)=1.6μm时达到阈值;当L_(FP)=1.6μm,N_(D)=1×10^(16)cm^(-3),T_(FP)从0.1μm增加到0.4μm,SBD的BV先上升后减小,在T_(FP)=0.3μm时达到最大值;当L_(FP)=1.6μm,T_(FP)=0.3μm,N_(D)从1×10^(16)cm^(-3)增加到1×10^(19)cm^(-3)时,SBD的BV逐渐减小。相比于传统无场板型GaN-SBD,该终端场板型GaN-SBD的BV在L_(FP)=1.6μm,T_(FP)=0.3μm,N_(D)=1×10^(16)cm^(-3)的条件下可达到840 V。研究进一步表明:通过优化器件结构,其场板效应可延伸至阳极下方的耗尽区,有效减缓了阳极边角处的电流拥挤。 展开更多
关键词 场板结构 氮化镓 肖特基势垒二极管 击穿电压
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一种超结高压肖特基势垒二极管
17
作者 龚红 马奎 +2 位作者 傅兴华 丁召 杨发顺 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期666-670,共5页
改善反向击穿电压和正向导通电阻之间的矛盾关系一直以来都是功率半导体器件的研究热点之一。介绍了一种超结肖特基势垒二极管(SJ-SBD),将p柱和n柱交替构成的超结结构引入肖特基势垒二极管中作为耐压层,在保证正向导通电阻足够低的同时... 改善反向击穿电压和正向导通电阻之间的矛盾关系一直以来都是功率半导体器件的研究热点之一。介绍了一种超结肖特基势垒二极管(SJ-SBD),将p柱和n柱交替构成的超结结构引入肖特基势垒二极管中作为耐压层,在保证正向导通电阻足够低的同时提高了器件的反向耐压。在工艺上通过4次n型外延和4次选择性p型掺杂实现了超结结构。基于相同的外延层厚度和相同的外延层杂质浓度分别设计和实现了常规SBD和SJ-SBD,测试得到常规SBD的最高反向击穿电压为110 V,SJ-SBD的最高反向击穿电压为229 V。实验结果表明,以超结结构作为SBD的耐压层能保证正向压降等参数不变的同时有效提高击穿电压,且当n柱和p柱中的电荷量相等时SJ-SBD的反向击穿电压最高。 展开更多
关键词 肖特基势垒二极管(sbd) 击穿电压 超结结构 超结肖特基二极管(SJ-sbd) 功率器件
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截止频率1.2 THz的GaN肖特基二极管及其三倍频单片集成电路
18
作者 代鲲鹏 纪东峰 +4 位作者 李俊锋 李传皓 张凯 吴少兵 章军云 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第5期384-389,F0002,共7页
通过设计不同掺杂浓度和厚度的GaN低掺杂外延层,制造了两款SiC基GaN肖特基势垒二极管(Schott⁃ky barrier diode,SBD)。结果显示在低掺杂层厚度为80 nm,掺杂浓度为8×10^(17)cm^(−3)条件下制备的GaN SBD截止频率高达1.2 THz。基于该... 通过设计不同掺杂浓度和厚度的GaN低掺杂外延层,制造了两款SiC基GaN肖特基势垒二极管(Schott⁃ky barrier diode,SBD)。结果显示在低掺杂层厚度为80 nm,掺杂浓度为8×10^(17)cm^(−3)条件下制备的GaN SBD截止频率高达1.2 THz。基于该SBD管芯制备了平衡式三倍频单片集成电路,室温下三倍频电路在305~330 GHz频段内连续波饱和输出功率大于10 mW,带内最大输出功率达25 mW,最高倍频效率达到3.3%。 展开更多
关键词 GaN肖特基势垒二极管 三倍频 单片集成电路 太赫兹 梁式引线
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Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究 被引量：1
19
作者 王胜 黄伟 +1 位作者 张树丹 许居衍 《电子与封装》 2010年第10期24-27,共4页
文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600℃～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为... 文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600℃～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物的转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650℃～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。 展开更多
关键词 Ni(W)Si 肖特基势垒二极管 XRD RAMAN光谱 快速热退火
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III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制
20
作者 俞慧强 张荣 +4 位作者 周玉刚 沈波 顾书林 施毅 郑有炓 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第7期50-53,共4页
研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管。测量了器件的电流 电压特性 。
关键词 III族氮化物 肖特基势垒二极管 氮化钾 半导体材料 氮化铝 理想因子 势垒高度 能带
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