检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

共找到7篇文章

< 1 >

每页显示 20 50 100

已选择0条

导出题录引用分析

统计分析

显示方式：

文摘详细列表

相关度排序被引量排序时效性排序

考夫曼离子源多极磁场结构设计与数值模拟: 1; 作者陈长琦张建国 +1 位作者王君郭江涛《真空》 CAS 北大核心 2008年第4期83-86,共4页; 论述了考夫曼离子源中两种磁场结构的特点。在采用多极磁场的离子源中,由于放电室内低磁场区的存在,可获得均匀性好的离子束流。采用环形永久磁体改进设计了考夫曼离子源的多极磁场,简化了磁路结构。运用Ansoft软件对多极磁场进行了数... 展开更多; 关键词考夫曼离子源多极磁场环形永久磁体结构设计数值模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

薄膜加工用考夫曼离子源的几个问题被引量：1: 2; 作者尤大纬《微细加工技术》 1992年第2期21-27,共7页; 近十年来,我国采用离子束刻蚀进行微细加工以及离子束辅助镀膜在电子和光学工业中获得了广泛应用。采用离子束增强镀膜制造超导膜、贮氢合金膜以及离子束注入表面改性等都得到了广泛的研究及应用。在这些先进的工艺中基本上都使用了考... 展开更多; 关键词考夫曼离子源薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

提高考夫曼型离子源束流密度的研究被引量：3: 3; 作者赵光兴杨国光陈洪璆《真空电子技术》北大核心 1995年第5期13-16,共4页; 本文依据金属的索未菲自由电子模型的量子统计理论结果，对提高考夫曼型离子源束流密度进行了研究，取得了一些有价值的结果。; 关键词考夫曼离子源束流密度微光学元件离子束刻蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

离子源辅助电子枪蒸发制备Ge_(1-x)C_x薄膜被引量：4: 4; 作者王彤彤高劲松 +5 位作者王笑夷宋琦郑宣明徐颖陈红申振峰《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期715-718,共4页; 应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/（CH4＋Ar）的气体流量比（G）,制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪（XRD）测量了Ge1-xC... 展开更多; 关键词 Ge1-xCx薄膜电子枪蒸发离子辅助沉积(IAD) 考夫曼离子源; 在线阅读下载PDF 职称材料

正交电磁场离子源及其在PVD法制备硬质涂层中的应用被引量：3: 5; 作者范迪雷浩 +1 位作者宫骏孙超《真空》 CAS 2014年第4期48-52,共5页; 离子源是离子束产生的关键部件,正交电磁场离子源是以霍尔电流为理论基础的一类低能离子源。本文综述了考夫曼离子源、霍尔离子源以及阳极层线性离子源的发展历程及其在结构与功能方面的区别,分析了各种离子源在PVD法制备不同体系超硬... 展开更多; 关键词考夫曼离子源霍尔离子源阳极层线性离子源 PVD; 在线阅读下载PDF 职称材料

深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术: 6; 作者成立王振宇 +3 位作者武小红范木宏祝俊赵倩《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期35-40,共6页; 综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及... 展开更多; 关键词超大规模集成电路纳米CMOS器件离子束蚀刻考夫曼离子源电子回旋共振电感耦合等离子体蚀刻器; 在线阅读下载PDF 职称材料

254nm低通滤光片的研制被引量：4: 7; 作者张睿智付秀华 +1 位作者牟光远唐吉龙《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期317-321,共5页; 根据紫外光学系统的设计要求,在K9基底上研制了254 nm高反射率、可见光谱区高透过率的低通滤光片。根据膜系设计理论,通过针法优化,获得了干涉型低通滤光片的膜系;对电子束蒸镀HfO2和MgF2材料进行了研究,解决了材料喷溅的问题,减少了薄... 展开更多; 关键词紫外低通滤光片考夫曼离子源电子束蒸发材料吸收; 在线阅读下载PDF 职称材料

已选择0条

导出题录引用分析

统计分析

上一页 1 下一页到第页

使用帮助返回顶部