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可用于近紫外LED芯片的铕-铱双金属配合物红光共聚荧光粉
1
作者 王子豪 杨亚敏 +2 位作者 张爱琴 贾虎生 贾静 《中国光学(中英文)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期468-480,共13页
本研究以Ir配合物FIrPic作为Eu离子的配体,合成了一种新的Eu-Ir双金属配合物Eu(FIrPic)_(2)(Phen)UA,并通过自由基聚合成功制备了红色发光荧光共聚物PM-Eu-Ir,适用于商用近紫外芯片型LED。在不影响Eu^(3+)离子的荧光发射特性的前提下,加... 本研究以Ir配合物FIrPic作为Eu离子的配体,合成了一种新的Eu-Ir双金属配合物Eu(FIrPic)_(2)(Phen)UA,并通过自由基聚合成功制备了红色发光荧光共聚物PM-Eu-Ir,适用于商用近紫外芯片型LED。在不影响Eu^(3+)离子的荧光发射特性的前提下,加入Ir-配合物可以有效地敏化Eu^(3+)离子,增强其对400 nm紫外光的吸收。在365 nm紫外光激发下,共聚物PM-Eu-Ir在612 nm处显示出最强的发射峰,其CIE坐标为(0.461,0.254),这与365 nm近紫外芯片非常吻合。红色共聚荧光粉PM-Eu-Ir的微观形貌为典型的多层空间网络结构,除了表现出明显的红光发射和634.54μs的荧光寿命外,还在25~250℃的宽温范围内具有优异的热稳定性。使用共聚物PM-Eu-Ir制作的LED发出的红光亮度为149800 cd/m^(2)。研究结果表明,所制备的共聚荧光粉可作为红光元件用于制造近紫外芯片白光LED。 展开更多
关键词 稀土发光离子 双金属配合物 共聚型高分子荧光粉 紫外led
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Al组分阶梯型渐变电子阻挡层深紫外LED性能研究
2
作者 陈颖 黄丽莹 +2 位作者 张悦 冯镜如 钟伟 《赣南师范大学学报》 2024年第3期85-89,共5页
为减少电子泄漏改善发光性能,本文基于深紫外发光二极管(LED)提出了一种Al组分阶梯型渐变电子阻挡层(EBL)结构.通过数值研究,对比分析了不同EBL结构对深紫外LED发光性能的影响规律.结果表明,相较于传统EBL结构的深紫外LED(样品A),Al组... 为减少电子泄漏改善发光性能,本文基于深紫外发光二极管(LED)提出了一种Al组分阶梯型渐变电子阻挡层(EBL)结构.通过数值研究,对比分析了不同EBL结构对深紫外LED发光性能的影响规律.结果表明,相较于传统EBL结构的深紫外LED(样品A),Al组分阶梯型渐变EBL结构的深紫外LED(样品B、样品C)最大内量子效率(IQE)分别提高了7.9%、14.2%,光输出功率(LOP)在200 mA下分别提升了73.3%、80.1%.这是因为Al组分阶梯型渐变EBL结构有效改善了EBL处极化效应引起的电场强度,进而减少了电子泄漏. 展开更多
关键词 紫外led 极化效应 电子泄漏 电子阻挡层 光输出功率
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四层插入层量子垒AlGaN深紫外LED研究
3
作者 方文浚 万垂铭 +2 位作者 李深海 谢子敬 谭礼军 《赣南师范大学学报》 2024年第3期90-94,共5页
本文通过对不同量子垒结构的AlGaN深紫外LED进行数值研究,对比分析了量子垒结构与其发光性能之间的关联.结果表明,相较于传统量子垒结构的样品A,四层插入层量子垒结构的样品B和样品C,内量子效率峰值分别提升了27.04%和18.8%,光输出功率... 本文通过对不同量子垒结构的AlGaN深紫外LED进行数值研究,对比分析了量子垒结构与其发光性能之间的关联.结果表明,相较于传统量子垒结构的样品A,四层插入层量子垒结构的样品B和样品C,内量子效率峰值分别提升了27.04%和18.8%,光输出功率在200 mA下分别提升了31.04%和21.62%.这主要是因为四层插入层量子垒结构可有效增加有源区内量子垒的能带势垒高度,提升量子阱对载流子的束缚能力. 展开更多
关键词 AlGaN深紫外led 量子垒 插入层 内量子效率 辐射复合率
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高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展 被引量:11
4
作者 陈航洋 刘达艺 +8 位作者 李金钗 林伟 杨伟煌 庄芹芹 张彬彬 杨闻操 蔡端俊 李书平 康俊勇 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2013年第2期43-56,共14页
随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟,人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6.2 eV,可覆盖短至210 nm的深紫外波长范围,具有耐高温、抗辐射、波长易调控等独特优点... 随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟,人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6.2 eV,可覆盖短至210 nm的深紫外波长范围,具有耐高温、抗辐射、波长易调控等独特优点,因而是制备紫外发光器件的理想材料。目前,高Al组分Ⅲ族氮化物材料质量不高,所制备的深紫外LED发光器件仍存在内量子效率、载流子注入效率和沿c轴方向正面出光效率较低的难题,因而制约了高效紫外发光器件的制备。本文着重介绍了近年来在高Al组分Ⅲ族氮化物生长动力学方面的研究进展,总结和梳理了量子结构设计、内电场调控以及晶体场调控等方面的相关研究,以期实现高质量深紫外LED的制备。 展开更多
关键词 Ⅲ族氮化物 ALGAN ALN MOVPE 紫外led
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高功率密度紫外LED封装模组及其光固化应用 被引量:18
5
作者 韩秋漪 李思琪 +2 位作者 李明昊 荆忠 张善端 《照明工程学报》 2017年第1期21-29,共9页
紫外LED芯片技术的快速进步,推动了其在光固化领域的应用。为了更好地满足工业生产应用的要求,开发了由铜板和Al N板构成的三明治结构的高功率密度紫外LED封装模组,兼顾了高效导电和导热性能。实现了单模组6颗芯片封装,辐射面积0.6 cm^2... 紫外LED芯片技术的快速进步,推动了其在光固化领域的应用。为了更好地满足工业生产应用的要求,开发了由铜板和Al N板构成的三明治结构的高功率密度紫外LED封装模组,兼顾了高效导电和导热性能。实现了单模组6颗芯片封装,辐射面积0.6 cm^2,输入功率432 W,功率密度720 W·cm^(-2),辐出度230 W·cm^(-2),辐射效率32%。由此制造出了性能卓越的大功率紫外LED光固化设备,在装饰板生产线以及光纤拉丝塔上得到应用。结果表明,紫外LED光固化设备具有节能>80%的节能效果,且能大幅度提高产能,将为紫外光固化行业带来更多的革新和机遇。 展开更多
关键词 紫外led 光固化 千瓦级功率 结温测试 辐射效率
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氮化物紫外LED研究与应用 被引量:9
6
作者 薛斌 王军喜 +2 位作者 曾一平 李晋闽 闫建昌 《照明工程学报》 2020年第1期1-7,共7页
随着Ⅲ-族氮化物材料与器件技术的不断发展,基于高Al组分氮化物的紫外LED受到广泛关注。本文主要介绍近年来紫外LED在外延、芯片及应用方面的研究进展。紫外LED的量子效率受晶体质量、掺杂效率、光提取等技术难题的制约,还有很大的发展... 随着Ⅲ-族氮化物材料与器件技术的不断发展,基于高Al组分氮化物的紫外LED受到广泛关注。本文主要介绍近年来紫外LED在外延、芯片及应用方面的研究进展。紫外LED的量子效率受晶体质量、掺杂效率、光提取等技术难题的制约,还有很大的发展潜力。随着研究的不断深入,紫外LED的性能将进一步提升,并在消毒净化、环境监测、光固化、无创光疗、非视距保密通信等领域得到广泛应用。 展开更多
关键词 紫外led ALGAN ALN 氮化物发光二极管
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高Al组分AlGaN基紫外LED结构材料 被引量:3
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作者 张彬彬 李书平 +4 位作者 李金钗 蔡端俊 陈航洋 刘达艺 康俊勇 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期17-21,共5页
采用金属有机物气相外延(MOVPE)技术在c面蓝宝石衬底上,引入脉冲原子层外延技术,制备了一系列表面平整度较高的高Al组分AlGaN基异质结构外延片.并采用电子束金属蒸镀技术及优化热退火方法,获得了良好的欧姆接触电极,进一步将外延片制备... 采用金属有机物气相外延(MOVPE)技术在c面蓝宝石衬底上,引入脉冲原子层外延技术,制备了一系列表面平整度较高的高Al组分AlGaN基异质结构外延片.并采用电子束金属蒸镀技术及优化热退火方法,获得了良好的欧姆接触电极,进一步将外延片制备成LED管芯.通过对量子结构有源层量子阱混晶组分的设计和调整,掌握并实现了主波长260~330nm紫外LED结构材料的制备. 展开更多
关键词 ALGAN 量子阱 欧姆接触 紫外led
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紫外LED与计量技术 被引量:6
8
作者 刘慧 赵伟强 +1 位作者 闫劲云 苏颖 《照明工程学报》 2020年第2期6-10,共5页
紫外LED是一种新型的紫外辐射源,具有小巧便携、环保安全的特点。COVID-19疫情的出现加深了人们对深紫外LED杀菌消毒产品的认知。紫外LED与气体放电灯的光谱分布、照射距离、均匀性、功率水平等方面不同,基于传统紫外辐射源形成的计量... 紫外LED是一种新型的紫外辐射源,具有小巧便携、环保安全的特点。COVID-19疫情的出现加深了人们对深紫外LED杀菌消毒产品的认知。紫外LED与气体放电灯的光谱分布、照射距离、均匀性、功率水平等方面不同,基于传统紫外辐射源形成的计量测试方法,并不能直接套用于紫外LED的测量。本文介绍了现有紫外辐射测量仪器,分析了其用于紫外LED测量时影响测量结果不确定度的关键因素,给出了从仪器标定方法、标准器选择、积分球涂层选择和荧光评价等方面出发,提高测量结果准确度的方法,并对积分型紫外辐射照度计的改进方向提出了建议。 展开更多
关键词 计量学 辐射照度 总光谱辐射通量 紫外辐射照度计 变角辐射计 紫外led
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紫外LED在消毒应用中的效果及影响因素研究 被引量:5
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作者 于礼 王劲 +3 位作者 肖潇 安伟 高迪 佟颖 《首都公共卫生》 2022年第6期324-328,共5页
目的测试一款新型紫外发光二极管(LED)设备对载体上测试菌的杀灭能力,对其可能影响消毒效果的因素进行深入分析。方法以金黄色葡萄球菌滴染载体作为研究对象,经紫外LED在各参数条件下照射作用,采用载体定量杀菌试验测定其消毒效果。结... 目的测试一款新型紫外发光二极管(LED)设备对载体上测试菌的杀灭能力,对其可能影响消毒效果的因素进行深入分析。方法以金黄色葡萄球菌滴染载体作为研究对象,经紫外LED在各参数条件下照射作用,采用载体定量杀菌试验测定其消毒效果。结果紫外LED随着辐照距离增加,光强度与消毒效果均呈明显的下降趋势,以10 cm照射2~3 s,对光滑玻片上测试菌杀灭对数值>3.0,延长至60 cm杀灭对数值下降为2.84,将辐照时间延长至5 s又可达到消毒效果。不同载体分析表明LED紫外对玻片和不锈钢片等清洁光滑表面消毒效果较好,对纸张也有一定的消毒效果,而布片消毒效果较差。低温环境下紫外LED消毒能力有所下降,需近距离直接照射方可达到一定消毒效果。结论紫外LED在短距离直接照射于光滑表面,可达到良好的消毒效果,但多种影响因素的存在对其现场应用的可靠性和规范性提出了挑战。 展开更多
关键词 紫外led 载体定量杀菌试验 影响因素
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利用紫外LED光源测量SO_2气体浓度 被引量:2
10
作者 王华山 李徐佳 李楠 《热力发电》 CAS 北大核心 2015年第3期48-52,共5页
采用LED作为探测光源,可以进一步降低SO2检测设备的成本,增加其使用寿命。以中心波长为300 nm的紫外LED为光源,基于SO2的吸收光谱特性,建立了光学吸收参量与SO2浓度之间的理论模型。试验表明,采用新的数据处理方法进行SO2气体浓度评价,... 采用LED作为探测光源,可以进一步降低SO2检测设备的成本,增加其使用寿命。以中心波长为300 nm的紫外LED为光源,基于SO2的吸收光谱特性,建立了光学吸收参量与SO2浓度之间的理论模型。试验表明,采用新的数据处理方法进行SO2气体浓度评价,可以显著降低光源及探测器电子噪声对测量结果的影响,当信噪比等于2时其检测限可达0.2μL/L,通过长时间的浓度测量验证了该检测方法的稳定性及精确性。 展开更多
关键词 SO2浓度 紫外led 测量 吸收光谱 光学吸收参量 信噪比
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Eu^(2+)/Ce^(3+)激活的近紫外LED用发光材料研究进展 被引量:3
11
作者 王育华 张强 +3 位作者 李泽彬 康润天 刘政强 王浩洋 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期1186-1201,共16页
作为新一代固态照明光源,白光LED在能量转换效率、亮度、化学稳定性和环保性等多方面显示出突出的性能优势,广泛应用于照明领域。而在其多种白光构筑方式中,“近紫外LED+多色荧光粉”更有利于实现高显色指数和低色温的健康照明,这种方... 作为新一代固态照明光源,白光LED在能量转换效率、亮度、化学稳定性和环保性等多方面显示出突出的性能优势,广泛应用于照明领域。而在其多种白光构筑方式中,“近紫外LED+多色荧光粉”更有利于实现高显色指数和低色温的健康照明,这种方法受到高度关注,高品质多色发光材料的开发和性能调控也是近年来的研究热点。本文主要介绍了Eu^(2+)/Ce^(3+)激活的近紫外LED用发光材料的最新进展,包括商用荧光粉的性能优化和新体系的开发,讨论了材料设计和性能调控的手段。最后,对近紫外LED用发光材料的部分机遇和挑战进行了讨论,从而对白光LED的发展提供一定的参考和指导。 展开更多
关键词 稀土元素 发光材料 紫外led 性能调控
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应用于角膜胶原交联术的紫外LED照射仪的设计 被引量:1
12
作者 史明坤 胡兵 +3 位作者 应花山 余安澜 沈政伟 姜黎 《医疗卫生装备》 CAS 2015年第1期19-22,共4页
目的:设计一种应用于角膜胶原交联术的紫外LED照射仪,可进行光强均匀的照射,以满足角膜胶原术的需求。方法:以资源丰富的C8051F410单片机作为控制系统核心,采用触摸屏作为人机交互界面,并通过精密电阻对工作电流进行采样,以实时监控紫外... 目的:设计一种应用于角膜胶原交联术的紫外LED照射仪,可进行光强均匀的照射,以满足角膜胶原术的需求。方法:以资源丰富的C8051F410单片机作为控制系统核心,采用触摸屏作为人机交互界面,并通过精密电阻对工作电流进行采样,以实时监控紫外LED的工作状态;通过使用光学设计软件ZEMAX设计和优化的非球面镜匀光系统,实现紫外LED均匀照明。结果:在距离透镜45 mm、直径约为12 mm的范围内实现了均匀光强分布。最大辐照度为90.223 5 m W/cm2,探测器光通量为247.3 m W,光源能量利用率为60%。结论:该紫外LED照射仪在均匀度和辐照度方面均达到了角膜胶原交联术的需求,并在医院眼科中心通过对小白兔眼睛的照射实验已经验证了照射仪的性能,可以满足角膜胶原交联术的需求。 展开更多
关键词 紫外led 角膜胶原交联术 非球面镜 触摸屏
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紫外LED调制特性研究 被引量:2
13
作者 王少水 孙权社 黄刚 《现代电子技术》 2013年第21期15-17,共3页
与低压汞灯相比,紫外LED具有体积小、寿命长、低压供电等特点,广泛应用于杀菌消毒、生物分析/检测等领域。介绍了紫外LED在紫外光通信领域的国内外发展现状,对紫外LED的调制速率及调制光谱进行了测试。实验结果表明,紫外LED调制速率可达... 与低压汞灯相比,紫外LED具有体积小、寿命长、低压供电等特点,广泛应用于杀菌消毒、生物分析/检测等领域。介绍了紫外LED在紫外光通信领域的国内外发展现状,对紫外LED的调制速率及调制光谱进行了测试。实验结果表明,紫外LED调制速率可达10 MHz,调制状态下相对光谱与直流状态相吻合。实验数据可为紫外LED在紫外光通信中的应用提供理论依据。 展开更多
关键词 紫外led 紫外光通信 调制速率 调制光谱
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紫外LED协同纳米TiO_2光催化处理水中PPCPs的研究综述 被引量:2
14
作者 冉治霖 方远航 +1 位作者 唐婧 李绍峰 《深圳信息职业技术学院学报》 2018年第2期72-77,共6页
以纳米TiO_2作为光催化剂的非均相半导体光催化法被视为最具应用前景的有机污染物处理技术,在被大于或等于禁带能的光子激发后,TiO_2可产生价带空穴和导带电子,其中价带空穴能够直接氧化吸附的化学物质或者通过和表面键合的OH-离子和或... 以纳米TiO_2作为光催化剂的非均相半导体光催化法被视为最具应用前景的有机污染物处理技术,在被大于或等于禁带能的光子激发后,TiO_2可产生价带空穴和导带电子,其中价带空穴能够直接氧化吸附的化学物质或者通过和表面键合的OH-离子和或吸附的H_2O分子反应产生强氧化性的羟基自由基,从而无选择性降解多种污染物。紫外LED技术相比于传统紫外汞灯,具有能耗低、寿命长、构造简单、波长不唯一、无二次污染等优势,无毒无汞的紫外LED已成为未来紫外光发射器研制的重点发展方向。本文综述了水中PPCPs处理技术研究现状和紫外LED协同纳米TiO_2光催化技术处理水中PPCPs的可行性,为探寻一种高效稳定的PPCPs处理技术,开发绿色节能的PPCPs降解方法提供了参考意义。 展开更多
关键词 紫外led 纳米TIO2 光催化
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近紫外LED封装器件的热稳定性及可靠性 被引量:5
15
作者 樊嘉杰 曹建武 +3 位作者 刘杰 经周 孙博 胡爱华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期871-878,共8页
紫外发光二极管(紫外LED)已经在许多超越照明领域展示出了特殊的应用优势,例如健康医疗、消毒杀菌、环保及传感等领域。本文采用仿真和实验相结合的方法研究了具有不同封装结构的近紫外LED封装器件的热稳定性,并对其进行了高温老化可靠... 紫外发光二极管(紫外LED)已经在许多超越照明领域展示出了特殊的应用优势,例如健康医疗、消毒杀菌、环保及传感等领域。本文采用仿真和实验相结合的方法研究了具有不同封装结构的近紫外LED封装器件的热稳定性,并对其进行了高温老化可靠性测试评估。研究结果表明:LED器件的辐射功率和正向电压随温度的升高而下降,其中,具有倒装结构的器件下降趋势明显小于正装结构,这表明其热稳定性较好;经过55℃恒温额定电流条件下的可靠性测试发现具有倒装结构的器件光-色特性衰减速率小于正装器件。通过本文研究可以得出结论:具有低热阻、小尺寸等优点的的倒装封装结构有助于提高近紫外LED器件的光-热稳定性和可靠性。 展开更多
关键词 紫外led 封装 光热性能 热稳定性 可靠性
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应变补偿InGaN/AlGaN超晶格改善近紫外LED性能
16
作者 尹以安 章勇 +1 位作者 范广涵 李述体 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第8期42-46,共5页
通过应变平衡理论设计出应变补偿的In0.1Ga0.9N/Al0.2Ga0.8N超晶格结构。为了验证该结构具有低的应变,实验生长了相应的样品,并通过双晶衍射(XRD)和拉曼(Raman)光谱实验证实其具有低应力。最后把该结构用于近紫外LED的两处构建,一是替... 通过应变平衡理论设计出应变补偿的In0.1Ga0.9N/Al0.2Ga0.8N超晶格结构。为了验证该结构具有低的应变,实验生长了相应的样品,并通过双晶衍射(XRD)和拉曼(Raman)光谱实验证实其具有低应力。最后把该结构用于近紫外LED的两处构建,一是替代量子阱中的Ga N垒层,二是作p型层的接触层。实验发现,该结构的应用不但可以减弱量子阱的Stark效应和抑制电子泄露,而且降低p型接触层的欧姆接触电阻。且发现不用电子阻挡层情况下,其输出功率、PL光谱和I-V特性等都得到极大改善。 展开更多
关键词 应变平衡 InGaN/AlGaN超晶格 应变补偿 极化效应 p型欧姆接触电阻 紫外led
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氮极性AlGaN基隧道结深紫外LED
17
作者 张源涛 邓高强 孙瑜 《吉林大学学报(信息科学版)》 CAS 2023年第5期767-772,共6页
针对AlGaN(Aluminum Gallium Nitride)基深紫外LED(Light Emitting Diode)发光效率低、工作偏压较大的问题,设计了一种带有n^(+)-GaN/Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p^(+)-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构。该结构由n-Al_(0.65)Ga_(0.3... 针对AlGaN(Aluminum Gallium Nitride)基深紫外LED(Light Emitting Diode)发光效率低、工作偏压较大的问题,设计了一种带有n^(+)-GaN/Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p^(+)-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构。该结构由n-Al_(0.65)Ga_(0.35)N电子提供层、 Al_(0.65)Ga_(0.35)N/Al_(0.5)Ga_(0.5)N多量子阱、组分渐变p-Al_(x)Ga_(1-x)N和n^(+)-GaN/Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p^(+)-GaN隧道结构成。研究结果表明,相比于无隧道结的参考LED,隧道结LED具有更高的内量子效率和光输出功率,同时其具有更低的开启电压。隧道结LED光电特性的改善,归因于隧道结的引入提升了LED的空穴注入效率,提高了LED器件的电流扩展能力。通过模拟软件对半导体器件载流子输运、光电特性的模拟,有助于加深对半导体器件物理特性的理解。若在“半导体器件物理”学习课程加入对半导体器件模拟软件的学习,能有效提升学生对半导体器件物理知识的理解和探索。 展开更多
关键词 紫外led 隧道结 铝镓氮 氮化物半导体
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日盲紫外LED实时视频传输系统设计 被引量:9
18
作者 杨宇 陈晓红 +1 位作者 尤波 韦玮 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第10期227-232,共6页
针对当前紫外光通信中气体灯与激光光源调制速率慢、体积较大,光电倍增管工作电压过高等问题,提出了一种基于现场可编程门阵列技术的日盲紫外LED实时视频传输系统,其发射光源采用波长为265 nm的单紫外LED,探测器采用紫外PIN;通过电路和... 针对当前紫外光通信中气体灯与激光光源调制速率慢、体积较大,光电倍增管工作电压过高等问题,提出了一种基于现场可编程门阵列技术的日盲紫外LED实时视频传输系统,其发射光源采用波长为265 nm的单紫外LED,探测器采用紫外PIN;通过电路和逻辑模块设计搭建了视频传输系统,研究了系统的光功率密度与通信距离之间的关系;基于二进制开关键控调制方式,实现日盲紫外LED实时视频传输系统最大传输速率为2.88 Mbit/s,当通信距离为4 m时,传输速率达到1.92 Mbit/s。 展开更多
关键词 日盲紫外光通信 紫外led 紫外PIN 视频传输 FPGA
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深紫外LED封装技术现状与展望 被引量:19
19
作者 彭洋 陈明祥 罗小兵 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期542-559,共18页
深紫外发光二极管(Deep-ultraviolet light-emitting diode,DUV-LED)具有环保无汞、寿命长、功耗低、响应快、结构轻巧等诸多优势,在杀菌消毒、生化检测、医疗健康、隐秘通讯等领域具有重要应用价值。近年来,深紫外LED技术取得了快速发... 深紫外发光二极管(Deep-ultraviolet light-emitting diode,DUV-LED)具有环保无汞、寿命长、功耗低、响应快、结构轻巧等诸多优势,在杀菌消毒、生化检测、医疗健康、隐秘通讯等领域具有重要应用价值。近年来,深紫外LED技术取得了快速发展,主要体现在光效和可靠性的不断提高,这一方面得益于芯片制造过程中氮化物材料外延和掺杂技术的进步,另一方面归功于深紫外LED封装技术的发展。但是,与波长较长的近紫外和蓝光LED相比,深紫外LED的光效和可靠性仍有很大提升空间。本综述重点对深紫外LED封装关键技术进行了系统分析,包括封装材料选择、封装结构设计、封装工艺优化、反射光损耗机制以及结温和热管理等,同时从提高光效与器件可靠性角度阐述了深紫外LED封装的最新研究进展,并对后续技术发展进行了展望。 展开更多
关键词 紫外led 封装技术 光效 可靠性
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V形坑尺寸对硅衬底InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的影响 被引量:3
20
作者 聂晓辉 王小兰 +3 位作者 莫春兰 张建立 潘拴 刘军林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期735-741,共7页
使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了InGaN/AlGaN近紫外LED,通过改变低温GaN插入层的厚度调控V形坑尺寸,系统地研究了V形坑尺寸对InGaN/AlGaN近紫外LED(395 nm)光电性能的影响。结果表明,低温GaN插入层促进了V形坑的形成,并且V形坑尺寸随... 使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了InGaN/AlGaN近紫外LED,通过改变低温GaN插入层的厚度调控V形坑尺寸,系统地研究了V形坑尺寸对InGaN/AlGaN近紫外LED(395 nm)光电性能的影响。结果表明,低温GaN插入层促进了V形坑的形成,并且V形坑尺寸随着插入层厚度的增加而增大。在电学性能方面,随着V形坑尺寸的增大,-5 V下的漏电流从5.2×10^(-4)μA增加至6.5×10~2μA;350 mA下正向电压先从3.55 V降至3.44 V,然后升高至3.60 V。在光学性能方面,随着V形坑尺寸的增大,35 A/cm^2下的归一化外量子效率先从0.07提高至最大值1,然后衰退至0.53。对V形坑尺寸影响InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的物理机理进行了分析,结果表明:InGaN/AlGaN近紫外LED的光电性能与V形坑尺寸密切相关,最佳的V形坑尺寸为120~190 nm,尺寸太大或者太小都会降低器件性能。 展开更多
关键词 硅衬底 紫外led 低温GaN插入层 V形坑尺寸 光电性能
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