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微波等离子体化学气相淀积纳米级 ZrO_2薄膜 被引量:4
1
作者 曹传宝 喻维杰 +1 位作者 彭定坤 孟广耀 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期323-328,共6页
以β-二酮螯合物 Zr(DPM)_4为挥发性源,利用微波等离子体化学气相淀积方法成功地在低温(<300℃)下合成了 ZrO_2薄膜,SEM 观测表明薄膜形貌呈细粒结构,其晶粒尺寸为纳米量级.XRD指出,淀积物中除单斜相 ZrO_2外,还存在亚稳态的四方相.X... 以β-二酮螯合物 Zr(DPM)_4为挥发性源,利用微波等离子体化学气相淀积方法成功地在低温(<300℃)下合成了 ZrO_2薄膜,SEM 观测表明薄膜形貌呈细粒结构,其晶粒尺寸为纳米量级.XRD指出,淀积物中除单斜相 ZrO_2外,还存在亚稳态的四方相.XPS 测量了 Zr3d 的电子结合能,发现较之标准 ZrO_2样品低约0.5eV,XPS 定量分析显示薄膜中含有一定量的 C 及过量的 O(?)对其原因以及在不同的淀积条件、薄膜的形成机制等进行了讨论. 展开更多
关键词 薄膜 化学 氧化锆
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微波等离子体化学气相淀积法生长取向性纳米氮化铝薄膜 被引量:3
2
作者 孟广耀 谢松 彭定坤 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期369-374,共6页
采用微波等离子体增强的化学气相淀积法,在Si(111)衬底上生长了(002)择优取向良好的AIN纳米薄膜研究淀积参数对膜的形貌、物相结构和生长速率的影响,发现在一定条件下。
关键词 微波等离子 化学 氮化铝膜 生长机制
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高频等离子体化学气相淀积法制备TiO_2超细粒子 被引量:8
3
作者 朱宏杰 王新 +1 位作者 李春忠 胡黎明 《华东理工大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1994年第5期591-594,共4页
利用TiCl_4+O_2体系,在高频等离子体化学气相淀积反应器中合成了纯度高、粒度细的TiO_2粒子。考察了工艺条件对TiO_2粒子物性的影响;探讨了TiO_2粒子晶型控制的方法。金红石型质量分数可通过工艺条件控制,... 利用TiCl_4+O_2体系,在高频等离子体化学气相淀积反应器中合成了纯度高、粒度细的TiO_2粒子。考察了工艺条件对TiO_2粒子物性的影响;探讨了TiO_2粒子晶型控制的方法。金红石型质量分数可通过工艺条件控制,减少TiO_2单体浓度可提高金红石型质量分数;也可通过在原料TiCl_4中添加AlCl_3等晶型转化剂,使产品转化为单一金红石型TiO_2。 展开更多
关键词 二氧化钛 化学 超细粒子
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等离子体化学气相淀积TiO_2薄膜材料 被引量:5
4
作者 沈瑜生 张俊颖 相承宗 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第1期1-6,共6页
本文报导了以钛酸丁酯((C_4H_9O)_4Ti)为反应源物质,采用等离子体化学气相淀积(P-CVD)技术,在不同衬底上淀积出性能良好的TiO_2薄膜材料,并对其结构和气敏特性进行了初步研究。
关键词 薄膜 TiO2 等离子化学 敏元件
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等离子增强型化学气相淀积氮化硅的淀积 被引量:3
5
作者 唐元洪 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1996年第1期42-44,共3页
等离子增强型化学气相淀积(PECVD)氮化硅是目前器件唯一能在合金化之后低温生长的氮化硅.本文研究了各种波积参数对薄膜性能的影响,提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件,对折射率随生长速率而变化给出了新的解释.
关键词 等离子 氮化硅 化学 薄膜
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等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究
6
作者 丁士进 张庆全 +2 位作者 王鹏飞 张卫 王季陶 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2001年第11期52-55,共4页
以正硅酸乙酯 (TEOS) /C4 F8/Ar为气源 ,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a SiCOF介质薄膜 ,并借助X射线光电子能谱 (XPS)和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究。
关键词 等离子体增强化学 a-SiCOF薄膜 稳定性 XPS FTIR 红外光谱 掺碳 掺氟 氧化硅薄膜
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等离子增强化学气相淀积硅化钛薄膜的特性
7
作者 严北平 周南生 +1 位作者 于宗光 杨林安 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期204-208,共5页
本文以四氯化钛(TiCl4)和硅烷(SiH4)为源物质,采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺结合常规热退火制备了优良的TiSi2薄膜.研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响.用四探针检测了退火前后薄膜的薄层电阻... 本文以四氯化钛(TiCl4)和硅烷(SiH4)为源物质,采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺结合常规热退火制备了优良的TiSi2薄膜.研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响.用四探针检测了退火前后薄膜的薄层电阻,用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射分析了薄膜的化学组成和晶体结构. 展开更多
关键词 等离子增强 硅化钛 薄膜
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等离子体化学气相淀积法(PCVD)生长氧传感器薄膜材料
8
作者 方起 彭定坤 +1 位作者 胡克鳌 孟广耀 《材料研究学报》 EI CAS 1987年第1期55-56,共2页
稳定化 ZrO2是目前已实用化的氧离子导体材料。由于工业过程自化的要求,传性感器的小型化、集成化、智能化已成为当前发展的趋势,各种薄膜型氧传感器元件的研制开始活跃起来[1]。在众多的薄膜工艺中,PCVD 法优点突出,控制方便,尤其低压... 稳定化 ZrO2是目前已实用化的氧离子导体材料。由于工业过程自化的要求,传性感器的小型化、集成化、智能化已成为当前发展的趋势,各种薄膜型氧传感器元件的研制开始活跃起来[1]。在众多的薄膜工艺中,PCVD 法优点突出,控制方便,尤其低压等离子体在低温所具有的高内能和活化能(其电子温度104~105K)。 展开更多
关键词 薄膜材料 等离子化学 PCVD 氧传感器 λ传感器
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聚焦离子束诱发金属有机化学气相淀积碳-铂薄膜 被引量:3
9
作者 江素华 唐凌 王家楫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1458-1463,共6页
通过一系列实验 ,对聚焦离子束诱发 MOCVD的成膜机理进行了研究 ,给出了淀积速率同离子束流等参数之间关系的理论模型 .发现随着离子束流的增大 ,薄膜淀积速率增大 ,但并非完全线性增加 ,薄膜中的 C/ Pt比例也随之变化 ,薄膜电阻率则随... 通过一系列实验 ,对聚焦离子束诱发 MOCVD的成膜机理进行了研究 ,给出了淀积速率同离子束流等参数之间关系的理论模型 .发现随着离子束流的增大 ,薄膜淀积速率增大 ,但并非完全线性增加 ,薄膜中的 C/ Pt比例也随之变化 ,薄膜电阻率则随之降低 ,最后趋向恒定 . 展开更多
关键词 聚焦离子 金属有机化学 薄膜
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等离子体增强化学气相沉积法制备类金刚石薄膜研究综述 被引量:6
10
作者 马会中 路军涛 张兰 《科学技术与工程》 北大核心 2023年第18期7597-7606,共10页
类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金... 类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金刚石薄膜的方法,因其对沉积温度要求低,对基底友好,同时还具有沉积速率快和无转移生长的优势,获得了越来越多的研究者关注。详细介绍了类金刚石薄膜优异的特性,阐述了在等离子化学气相沉积条件下,不同沉积条件对沉积类金刚石薄膜结构特性的影响。衬底的选择直接影响着沉积类金刚石薄膜的性能,不同的衬底直接决定着生成类金刚石结构中sp^(3)相的数量和质量;沉积参数是最为常见的控制条件,对沉积薄膜的总体效果影响也是最大的,改变沉积参数,沉积薄膜的表面将会变得更加光滑致密;常用的掺杂元素是硅和氮,掺杂元素的引入往往是为了降低沉积薄膜的内应力,提高与衬底间的结合力,延长使用寿命等;由于很难直接在金属上沉积类金刚石薄膜,所以常通过制备复合层来改善沉积效果。最后对类金刚石薄膜的发展以及今后研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 等离子体增强化学(pecvd) 类金刚石薄膜 条件 掺杂 复合层
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射频等离子体辅助化学气相沉积Ti-B-N薄膜的结构与性能 被引量:1
11
作者 马胜利 马青松 +3 位作者 牛新平 徐可为 P Karvankova S Veprek 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1985-1989,共5页
研究了射频等离子体辅助化学气相沉积获得的Ti B N薄膜的微观组织结构和力学性能。结果表明 :B的加入使Ti B N薄膜中出现TiN纳米晶、BN非晶和TiB2 非晶 (nc TiN/a BN/a TiB2 )的复相结构。Ti B N薄膜组织致密 ,晶粒细小 ,薄膜硬度显著... 研究了射频等离子体辅助化学气相沉积获得的Ti B N薄膜的微观组织结构和力学性能。结果表明 :B的加入使Ti B N薄膜中出现TiN纳米晶、BN非晶和TiB2 非晶 (nc TiN/a BN/a TiB2 )的复相结构。Ti B N薄膜组织致密 ,晶粒细小 ,薄膜硬度显著提高。用球盘式磨损实验考察了薄膜的摩擦学特性。与TiN相比 ,Ti B N薄膜抗磨损性能有显著提高 ,磨损机制为微观切削与疲劳磨损共同作用 。 展开更多
关键词 射频等离子体辅助化学沿 Ti-B-N薄膜 硬度 耐磨性
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高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺 被引量:3
12
《中国集成电路》 2007年第2期65-67,61,共4页
随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小,相应地也对芯片制... 随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小,相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求,其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充,以提供充分有效的隔离保护,包括浅槽隔离(Shallow—Trench—Isolation),金属前绝缘层(Pre—Met—al—Dielectric),金属层间绝缘层(Inter—Metal—Dielec—tric)等等。本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来,以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。 展开更多
关键词 等离子化学 制造工艺 高密度 超大规模集成电路 Metal 半导体技术 晶体管数量 半导体器件
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低温等离子体增强化学气相沉积技术制备碳纳米管 被引量:3
13
作者 李社强 江南 王太宏 《真空》 CAS 北大核心 2004年第4期40-46,共7页
由于等离子体在低温下具有高活性的特点 ,等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术可显著降低薄膜沉积的温度范围。通常条件下 ,高质量碳纳米管的生长要求 80 0℃以上的基片温度 ,若能使该温度降到4 0 0℃以下 ,则对许多应用非常有利 ,如... 由于等离子体在低温下具有高活性的特点 ,等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术可显著降低薄膜沉积的温度范围。通常条件下 ,高质量碳纳米管的生长要求 80 0℃以上的基片温度 ,若能使该温度降到4 0 0℃以下 ,则对许多应用非常有利 ,如可以在玻璃基片上沉积碳纳米管场发射电极。目前 ,碳纳米管基纳电子器件的研制这一课题备受关注 ,如果能实现低温原位制备碳纳米管 ,则可能将纳电子器件与传统的微电子加工工艺结合并实现超大容量的超大规模集成电路。本文主要介绍近年来生长碳纳米管所采用的各种等离子体化学气相沉积技术 。 展开更多
关键词 等离子体增强化学 pecvd 制备 碳纳米管 低温生长
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退火温度对等离子体增强化学气相沉积方法生长的ZnO薄膜质量的影响 被引量:1
14
作者 支壮志 王博 肇常胜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期187-190,共4页
研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系 ,为了获得高质量的晶体薄膜 ,采用PECVD方法在硅 (1 0 0 )衬底上生长ZnO薄膜 ,生长温度为 1 2 0℃ ,然后分别在氧气环境下退火 (6 0 0℃~ 1 0 0 0℃ ) 1h。X射线衍射谱和原子力显微镜 (AFM)照片结果... 研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系 ,为了获得高质量的晶体薄膜 ,采用PECVD方法在硅 (1 0 0 )衬底上生长ZnO薄膜 ,生长温度为 1 2 0℃ ,然后分别在氧气环境下退火 (6 0 0℃~ 1 0 0 0℃ ) 1h。X射线衍射谱和原子力显微镜 (AFM)照片结果表明随着退火温度的升高 ,晶体择优取向明显 ,晶粒平均尺寸增大 ,到 90 0℃时 ,晶粒平均尺寸达到 38nm。光致发光谱的结果表明 ,随着退火温度的升高 ,发光峰的半高宽 (FWHM)逐渐地变窄 ,到 90 0℃时 ,达到 92meV ,晶体质量得到了明显提高。通过对变温光谱的拟合计算 ,得到激子束缚能为 5 9meV 。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 等离子体增强化学 pecvd 退火温度 激子发射 蓝移
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先进的等离子增强化学汽相淀积系统 被引量:1
15
作者 戴永红 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第4期52-56,共5页
随着集成电路的制造向着高可靠和微细化方向发展,能低温生长优质薄膜的等离子增强化学汽相淀积(PECVD)工艺越来越受到重视。它不仅能满足硅集成电路亚微米级线宽工艺的要求,而且能满足其它电子产品薄膜淀积的要求。本文着重介... 随着集成电路的制造向着高可靠和微细化方向发展,能低温生长优质薄膜的等离子增强化学汽相淀积(PECVD)工艺越来越受到重视。它不仅能满足硅集成电路亚微米级线宽工艺的要求,而且能满足其它电子产品薄膜淀积的要求。本文着重介绍国外一些先进的PECVD装置系统。 展开更多
关键词 pecvd IC工艺 等离子 增强 化学 刻蚀
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光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析 被引量:5
16
作者 李培咸 孙建诚 胡辉勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期293-296,共4页
本文对光化学气相淀积 Si Ge/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论 .利用表面反应动力学的有关理论 ,结合光化学气相淀积的特点 ,推导出光化学气相淀积Si Ge/Si过程中的生长速率和生长压力的关系 .并给出该理论结果和... 本文对光化学气相淀积 Si Ge/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论 .利用表面反应动力学的有关理论 ,结合光化学气相淀积的特点 ,推导出光化学气相淀积Si Ge/Si过程中的生长速率和生长压力的关系 .并给出该理论结果和实际实验结果的比较 . 展开更多
关键词 SIGE/SI 反应 表面反应 化学 生长速率 生长压力 应变层异质结材料
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化学气相淀积技术合成AIN超细粉末 被引量:4
17
作者 李春忠 胡黎明 +2 位作者 陈敏恒 朱远征 程晓鸣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第1期93-99,共7页
在700~1000℃下,用无水AlCl_3和NH_3的化学气相淀积反应合成得到了AlN超细粉末,并研究了反应温度、总流量、AlCl_3浓度等对AlN粉末理化性质的影响。结果表明:(1)粉末的形态受反应温度和[NH_3]/[AlCl_3]的影响;⌒2)粉末的粒度与分布宽... 在700~1000℃下,用无水AlCl_3和NH_3的化学气相淀积反应合成得到了AlN超细粉末,并研究了反应温度、总流量、AlCl_3浓度等对AlN粉末理化性质的影响。结果表明:(1)粉末的形态受反应温度和[NH_3]/[AlCl_3]的影响;⌒2)粉末的粒度与分布宽度随反应温度的增加、总流量的增加以及AlCl_3浓度的减小而减小;(3)产物AlN粉末中晶态AlN的含量随反应温度的升高而增加;(4)产物A1N中副产物NH_4Cl可经600℃热处理除去;(5)非晶态AlN在1450℃下可转变为晶态AlN,其粒径小于250nm,几何标准方差GSD小于1.3,氮含量大于33.5%,氧含量小于1%,氯含量小于0.1%,阳离子杂质含量小于1.5×10^(-2)%。 展开更多
关键词 氮化铝 化学 超细粉末
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化学气相淀积反应器中超细粒子的形态控制 Ⅰ.TiO_2超细粒子的制备 被引量:7
18
作者 胡黎明 李春忠 +1 位作者 姚光辉 陈敏恒 《华东化工学院学报》 CSCD 1992年第4期428-433,共6页
利用Ti(OC)4H_9)4高温气相裂解反应合成了TiO_2超细粒子粉末,确立了无定形、锐钛、金红石三种形式的TiO_2粒子合成工艺条件。对淀积物进行了XRD、BET、TEM和激光光散射分析,系统地研究了反应温度、反应物初始浓度和停留时间对产物形态... 利用Ti(OC)4H_9)4高温气相裂解反应合成了TiO_2超细粒子粉末,确立了无定形、锐钛、金红石三种形式的TiO_2粒子合成工艺条件。对淀积物进行了XRD、BET、TEM和激光光散射分析,系统地研究了反应温度、反应物初始浓度和停留时间对产物形态、晶体组成的影响。 展开更多
关键词 二氧化钛 化学 超细粉
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化学气相淀积反应器内TiCl_4氧化反应动力学 被引量:5
19
作者 王松 胡黎明 +1 位作者 郑柏存 古宏晨 《华东化工学院学报》 CSCD 1992年第4期440-444,共5页
采用原位红外测试技术,在线观测了化学气相淀积反应器内TiCl<sub>4</sub>的均相氧化反应。捕获了两种重要活性中间体TiCl<sub>3</sub>和TiOCl<sub>2</sub>,从而导出该反应的机理模型。并采用尾气... 采用原位红外测试技术,在线观测了化学气相淀积反应器内TiCl<sub>4</sub>的均相氧化反应。捕获了两种重要活性中间体TiCl<sub>3</sub>和TiOCl<sub>2</sub>,从而导出该反应的机理模型。并采用尾气红外定量分析方法得到了TiCl<sub>4</sub>氧化反应的动力学方程及反应活化能。反应活化能:66.8 kJ/mol,指前因子:2.45×10<sup>2</sup>/s。 展开更多
关键词 四氟化钛 二氧化钛 化学
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TiCl_4-O_2-H_2O体系化学气相淀积TiO_2超细粒子 被引量:7
20
作者 姚光辉 李春忠 胡黎明 《华东化工学院学报》 CSCD 1992年第4期449-454,T001,共7页
研究了反应参数对TiO_2超细粒子化学成分、平均粒径、粒径分布、粒子形貌和结构等的影响规律。结果表明:粒径随着TiCl_4分压的降低、氧气分压和反应温度的升高而减小;随着水分压的变化,粒径存在一最小值。合成的TiO_2粒子呈锐钛型,经95... 研究了反应参数对TiO_2超细粒子化学成分、平均粒径、粒径分布、粒子形貌和结构等的影响规律。结果表明:粒径随着TiCl_4分压的降低、氧气分压和反应温度的升高而减小;随着水分压的变化,粒径存在一最小值。合成的TiO_2粒子呈锐钛型,经950℃热处理后转变为金红石。 展开更多
关键词 化学 二氧化钛 金红石
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