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用大面积立式旋转盘MOVPE反应器生长Ⅲ族氮化物材料(英文)
1
作者 Ramer J Parekh R +2 位作者 Ronan B Loftus C Gurary A 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期95-98,共4页
为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本 ,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器。本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的立式反应器 ,其中的衬底片载盘直径为 32 5mm。每次沉积过程中 ,载盘上可以放置 2 1片 2英寸直径的衬底片... 为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本 ,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器。本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的立式反应器 ,其中的衬底片载盘直径为 32 5mm。每次沉积过程中 ,载盘上可以放置 2 1片 2英寸直径的衬底片。反应器的内壁通过水冷 ,其温度可保持在 5 0～ 6 0℃之间。衬底片可用电热丝加热 ,沉积中衬底载盘的旋转速度可达 1 0 0 0～ 1 5 0 0rpm。本文给出了用这种 32 5mmGaN生长系统生长的未掺杂GaN ,InGaN和 p GaN外延层的相关结果。这些结果表明 ,这种旋转盘的反应器是一种很适合大尺寸载盘的系统 ,完全满足Ⅲ族氮化物材料体系生长的要求。与在小反应器中生长的材料相比 ,用这种大反应器生长的材料具有相同的质量。这种 32 5mm的GaN反应器将使制备蓝光和绿光LED所用的Ⅲ族氮化外延材料的生产成本得到显著的降低。 展开更多
关键词 Ⅲ族氮化物材料 MOVPE外延生长 立式旋转盘反应器
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用大面积立式旋转盘MOVPE反应器生长Ⅲ族氮化物材料(英文)
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作者 Ramer J Parekh R +2 位作者 Ronan B Loftus C Gurary A 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期95-98,共4页
为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本 ,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器。本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的立式反应器 ,其中的衬底片载盘直径为 32 5mm。每次沉积过程中 ,载盘上可以放置 2 1片 2英寸直径的衬底片... 为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本 ,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器。本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的立式反应器 ,其中的衬底片载盘直径为 32 5mm。每次沉积过程中 ,载盘上可以放置 2 1片 2英寸直径的衬底片。反应器的内壁通过水冷 ,其温度可保持在 5 0～ 6 0℃之间。衬底片可用电热丝加热 ,沉积中衬底载盘的旋转速度可达 1 0 0 0～ 1 5 0 0rpm。本文给出了用这种 32 5mmGaN生长系统生长的未掺杂GaN ,InGaN和 p GaN外延层的相关结果。这些结果表明 ,这种旋转盘的反应器是一种很适合大尺寸载盘的系统 ,完全满足Ⅲ族氮化物材料体系生长的要求。与在小反应器中生长的材料相比 ,用这种大反应器生长的材料具有相同的质量。这种 32 5mm的GaN反应器将使制备蓝光和绿光LED所用的Ⅲ族氮化外延材料的生产成本得到显著的降低。 展开更多
关键词 Ⅲ族氮化物材料 MOVPE外延生长 立式旋转盘反应器
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TurboDisc MOCVD设备的理论和应用:流体动力学方法(英文)
3
作者 Li S Ramer J +1 位作者 WalkerR C Fabiano P 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期99-102,共4页
报道了EMCORE公司的旋转盘反应器 ,或TurboDisc反应器 ,这是一种带有旋转盘的立式反应器。衬底片放置在高速旋转的盘上并被加热到合适的生长温度。反应物在初始阶段因高速旋转盘的牵引力被竖直向下地泵入 ,然后偏斜形成一个与衬底片托... 报道了EMCORE公司的旋转盘反应器 ,或TurboDisc反应器 ,这是一种带有旋转盘的立式反应器。衬底片放置在高速旋转的盘上并被加热到合适的生长温度。反应物在初始阶段因高速旋转盘的牵引力被竖直向下地泵入 ,然后偏斜形成一个与衬底片托盘平行的流动区域。在“GaNzilla” ,EMCORE公司的一种新型 32 5mm的GaN生产反应器中外延生长了GaN材料。为在蓝宝石衬底上得到高质量的GaN ,采用高的生长压力和高旋转速度 ,可以在这种旋转盘反应器中实现必要的生长条件。还对 p GaN ,InGaN ,InGaN多量子阱 ,以及LED器件进行了类似的实验 ,都能获得最佳的生长条件。 展开更多
关键词 Ⅲ-Ⅴ族薄膜材料 MOCVD理论 流体动力学方法 立式旋转盘反应器
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TurboDisc MOCVD设备的理论和应用:流体动力学方法(英文)
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作者 Li S Ramer J +1 位作者 Walker R C Fabiano P 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期99-102,共4页
报道了EMCORE公司的旋转盘反应器 ,或TurboDisc反应器 ,这是一种带有旋转盘的立式反应器。衬底片放置在高速旋转的盘上并被加热到合适的生长温度。反应物在初始阶段因高速旋转盘的牵引力被竖直向下地泵入 ,然后偏斜形成一个与衬底片托... 报道了EMCORE公司的旋转盘反应器 ,或TurboDisc反应器 ,这是一种带有旋转盘的立式反应器。衬底片放置在高速旋转的盘上并被加热到合适的生长温度。反应物在初始阶段因高速旋转盘的牵引力被竖直向下地泵入 ,然后偏斜形成一个与衬底片托盘平行的流动区域。在“GaNzilla” ,EMCORE公司的一种新型 32 5mm的GaN生产反应器中外延生长了GaN材料。为在蓝宝石衬底上得到高质量的GaN ,采用高的生长压力和高旋转速度 ,可以在这种旋转盘反应器中实现必要的生长条件。还对 p GaN ,InGaN ,InGaN多量子阱 ,以及LED器件进行了类似的实验 ,都能获得最佳的生长条件。 展开更多
关键词 Ⅲ-V族薄膜材料 MOCVD理论 流体动力学方法 立式旋转盘反应器
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