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高温超导体磁控溅射电极接点的研究
1
作者 徐净人 滕鑫康 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 1991年第3期42-45,共4页
本研究通过采用磁控溅射Ag膜和Ti+Ag膜以500℃/6小时通氧热处理方法,使电极接触电阻率达到10^(-5)Ωcm^2数量级。其特点是:与样品表面结合牢,不损坏样品性能,能经受多次的冷热温度循环。可焊性好,有一定的载流能力。试验证明,此方法是... 本研究通过采用磁控溅射Ag膜和Ti+Ag膜以500℃/6小时通氧热处理方法,使电极接触电阻率达到10^(-5)Ωcm^2数量级。其特点是:与样品表面结合牢,不损坏样品性能,能经受多次的冷热温度循环。可焊性好,有一定的载流能力。试验证明,此方法是获得高质量接点的有效方法,此接点已在直流法、脉冲法测I_c中得到应用。 展开更多
关键词 高温超导体 电极接点 磁控溅射
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电极耦接变化对分子器件电子输运特性影响的研究
2
作者 王利光 陈蕾 +3 位作者 李勇 郭良 田上胜规 塚田捷 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期20-24,共5页
利用基于Green函数的Tight-binding理论,对phenalenyl构成的单分子器件电极耦接点变化情况下的电子输运特性进行了研究。通过理论计算,得出了分子与原子线电极间接点变化对电子输运的影响。结果显示电子通过phenalenyl分子器件的概率随... 利用基于Green函数的Tight-binding理论,对phenalenyl构成的单分子器件电极耦接点变化情况下的电子输运特性进行了研究。通过理论计算,得出了分子与原子线电极间接点变化对电子输运的影响。结果显示电子通过phenalenyl分子器件的概率随着分子与电极的耦合点的变化而改变。当耦接点改变时,不仅电子通过phenalenyl分子的概率变化,而且无源正负能量开关器件的特征也发生变化。所得结果还揭示出在应用phenalenyl分子器件时,只需改变电极耦接,就可以获得具有不同电子学特性的分子器件。 展开更多
关键词 phenalenyl分子器件 电极耦接点 电子输运
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