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GaN HFET中局域电子气产生的动态电流 被引量:4
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作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第3期149-154,共6页
从不同栅电压下异质结能带和电子气状态研究出发,研究了GaN HFET栅压变化时的异质结充放电过程。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算出不同偏置电压下内、外沟道的导带底。引入局域电子气势垒来甄别沟道中的漂移电子气和局域电... 从不同栅电压下异质结能带和电子气状态研究出发,研究了GaN HFET栅压变化时的异质结充放电过程。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算出不同偏置电压下内、外沟道的导带底。引入局域电子气势垒来甄别沟道中的漂移电子气和局域电子气的不同输运行为。详细研究了栅、漏偏置变化时的异质结充放电和局域电子气充放电。从这两种新的充放电效应出发,建立起描述沟道动态电流的电压控制模型,成功解释了陷阱俘获电荷模型不能解释的各类动态电流实验。 展开更多
关键词 异质结充放电 局域电子气充放电 局域电子气势垒 电压控制的动态电流模型 漂移电子气 局域电子气
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表面电荷密度及介电常数对AlGaN/GaN异质结中二维电子气性质的影响
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作者 王庆武 于白茹 郭华忠 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期178-184,共7页
通过在Al_(x)Ga_(1-x)N层引入离化电荷面密度,结合自发极化和压电极化引起的极化电荷面密度,利用变分法计算二维电子气面密度随Al组分和Al_(x)Ga_(1-x)N厚度的变化关系.研究了相对介电常数对电子气密度的影响,并与实验数据进行了比较.... 通过在Al_(x)Ga_(1-x)N层引入离化电荷面密度,结合自发极化和压电极化引起的极化电荷面密度,利用变分法计算二维电子气面密度随Al组分和Al_(x)Ga_(1-x)N厚度的变化关系.研究了相对介电常数对电子气密度的影响,并与实验数据进行了比较.通过在Al_(x)Ga_(1-x)N的相对介电常量中引入高阶项,使得计算结果更好地拟合了高Al组分的电子气密度.计算得到的离化电荷面电荷密度与极化电荷面电荷密度相当,从而证明离化面电荷密度对二维电子气形成的贡献. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN异质结 二维电子气 离化态 变分法
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特低频电磁波吸收与银河系自由电子气分布
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作者 卢颢 朱雨桐 +2 位作者 曹周键 丁优 韩文标 《天文学进展》 CSCD 北大核心 2024年第1期128-134,共7页
电磁环境中双黑洞并合可辐射与引力波同频率的电磁信号,但低频电磁波有可能被星系介质吸收。电磁波在穿越大气过程中会被吸收,某些频率的电磁波被吸收得多,某些频率的电磁波被吸收得少,被吸收得少的那些频率窗口被称为电磁波的大气窗口... 电磁环境中双黑洞并合可辐射与引力波同频率的电磁信号,但低频电磁波有可能被星系介质吸收。电磁波在穿越大气过程中会被吸收,某些频率的电磁波被吸收得多,某些频率的电磁波被吸收得少,被吸收得少的那些频率窗口被称为电磁波的大气窗口。类似地,电磁波在宇宙空间中传播会被星系介质吸收。着重探讨电磁波在银河系空间中传播的吸收问题。研究发现,电磁波穿越银河系空间到达地球存在下限截止频率。天球上不同方向上对应的下限截止频率不同,存在一个分布,该分布与银河系自由电子气的分布密切相关。该文通过对该截止频率分布进行测定从而确定银河系自由电子气的分布。 展开更多
关键词 电磁波 自由电子气 截止频率
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黏滞效应对带电粒子在双层二维电子气上方运动时受力情况的影响
4
作者 史欣如 李春芝 《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》 2024年第2期91-96,共6页
通过线性化量子流体动力学模型(Quantum hydrodynamic model QHD),探究了黏滞效应对带电粒子与双层二维电子气相互作用过程的影响。与Poisson方程相结合,推导出电子气密度、感应电势、阻止力和侧向力积分表达式。模拟结果表明,在入射粒... 通过线性化量子流体动力学模型(Quantum hydrodynamic model QHD),探究了黏滞效应对带电粒子与双层二维电子气相互作用过程的影响。与Poisson方程相结合,推导出电子气密度、感应电势、阻止力和侧向力积分表达式。模拟结果表明,在入射粒子速度一定时,随着黏滞系数的增大,2个平面内的电子气密度振荡的区域和幅值均变小。此外,对于阻止力随速度的变化情况,在速度小于波尔速度时,黏滞效应使阻止力变大,在速度较高时却使阻止力变小。对于侧向力,在速度较低区域,黏滞系数越大,侧向力越小,当速度增大到波尔速度的1.5倍时,黏滞效应对侧向力的影响逐渐消失。 展开更多
关键词 QHD模型 双层二维电子气 黏滞效应 静电激发
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GaN HFET中的局域电子气和瞬态电流谱 被引量:2
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作者 薛舫时 孔月婵 +1 位作者 李忠辉 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期409-419,共11页
比较了GaN体材料和GaN HFET中陷阱的不同行为,发现后一种陷阱不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释,由此建立起描述沟道电流的新局域电子气模型。运用这一局域电子气新概念解释了实验中观察到的各类瞬态电流谱,说明目前瞬态电流... 比较了GaN体材料和GaN HFET中陷阱的不同行为,发现后一种陷阱不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释,由此建立起描述沟道电流的新局域电子气模型。运用这一局域电子气新概念解释了实验中观察到的各类瞬态电流谱,说明目前瞬态电流研究把高密度局域电子气误认为"陷阱"而引入的各种误解。提出了通过能带剪裁来解决GaN HFET电流崩塌和可靠性难题的新途径。 展开更多
关键词 GAN HFET的陷阱 瞬态电流谱 外沟道中的能带畸变 局域电子气 陷阱与局域电子气的相互作用 电流
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GaN HFET中的陷阱和局域电子气 被引量:8
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作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期207-216,共10页
研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内电子产生的。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏... 研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内电子产生的。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰在其两侧产生巨大能带畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。运用这一局域电子气新概念解释了目前实验中观察到的各类陷阱实验,说明目前陷阱研究把高密度局域电子气误认为"陷阱"而引入的各种误解。提出了从局域电子气研究来解决GaN HFET电流崩塌和可靠性难题的新途径。 展开更多
关键词 氮化镓异质结场效应管的陷阱 外沟道中的能带畸变 局域电子气 陷阱与局域电子气的相互作用 电流崩塌
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低维电子气的费密能量与温度的关系
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作者 陈月明 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2001年第6期1154-1158,共5页
在探索新型材料的过程中 ,人们发现金属材料的一系列实验现象不能由三维电子气的费密能量与温度的关系来解释 ,但它们具有明显的低维特征 ,为此 ,该文研究了低维电子气的费密能量与温度之间的关系。研究结果表明 ,在低温情况下 ,低维电... 在探索新型材料的过程中 ,人们发现金属材料的一系列实验现象不能由三维电子气的费密能量与温度的关系来解释 ,但它们具有明显的低维特征 ,为此 ,该文研究了低维电子气的费密能量与温度之间的关系。研究结果表明 ,在低温情况下 ,低维电子气费密能量随着温度的变化关系与三维电子气是不相同的 ,尤其在一维情况下 ,电子气费密能量的变化量随着温度的变化规律与三维时恰恰相反。 展开更多
关键词 电子气 费密能量 状态数 金属材料 电子 金属自由电子气体模型 温度
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二维电子气等离激元太赫兹波器件 被引量:13
8
作者 秦华 黄永丹 +4 位作者 孙建东 张志鹏 余耀 李想 孙云飞 《中国光学》 EI CAS CSCD 2017年第1期51-67,共17页
固态等离激元太赫兹波器件正成为微波毫米波电子器件技术和半导体激光器技术向太赫兹波段发展和融合的重要方向之一。本综述介绍AlGaN/GaN异质结高浓度和高迁移率二维电子气中的等离激元调控、激发及其在太赫兹波探测器、调制器和光源... 固态等离激元太赫兹波器件正成为微波毫米波电子器件技术和半导体激光器技术向太赫兹波段发展和融合的重要方向之一。本综述介绍AlGaN/GaN异质结高浓度和高迁移率二维电子气中的等离激元调控、激发及其在太赫兹波探测器、调制器和光源中应用的近期研究进展。通过光栅和太赫兹天线实现自由空间太赫兹波与二维电子气等离激元的耦合,通过太赫兹法布里-珀罗谐振腔进一步调制太赫兹波模式,增强太赫兹波与等离激元的耦合强度。在光栅-谐振腔耦合的二维电子气中验证了场效应栅控的等离激元色散关系,实现了等离激元模式与太赫兹波腔模强耦合产生的等离极化激元模式,演示了太赫兹波的调制和发射。在太赫兹天线耦合二维电子气中实现了等离激元共振与非共振的太赫兹波探测,建立了太赫兹场效应混频探测的物理模型,指导了室温高灵敏度自混频探测器的设计与优化。研究表明,基于非共振等离激元激发可发展形成室温高速高灵敏度的太赫兹探测器及其焦平面阵列技术。然而,固态等离激元的高损耗特性仍是制约基于等离激元共振的高效太赫兹光源和调制器的主要瓶颈。未来的研究重点将围绕高品质因子等离激元谐振腔的构筑,包括固态等离激元物理、等离激元谐振腔边界的调控、新型室温高迁移率二维电子材料的运用和高品质太赫兹谐振腔与等离激元器件的集成等。 展开更多
关键词 二维电子气 等离激元 太赫兹 氮化镓
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RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 被引量:7
9
作者 胡国新 王晓亮 +6 位作者 孙殿照 王军喜 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期602-605,共4页
用射频等离子体辅助分子束外延技术 ( RF- MBE)在 c面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al N/Ga N超晶格结构极化感应二维电子气材料 .所获得的掺 Si的 Ga N膜室温电子浓度为 2 .2× 10 1 8cm- 3,相应的电子迁移率为 2 2 1cm2... 用射频等离子体辅助分子束外延技术 ( RF- MBE)在 c面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al N/Ga N超晶格结构极化感应二维电子气材料 .所获得的掺 Si的 Ga N膜室温电子浓度为 2 .2× 10 1 8cm- 3,相应的电子迁移率为 2 2 1cm2 /( V· s) ;1μm厚的 Ga N外延膜的 ( 0 0 0 2 ) X射线衍射摇摆曲线半高宽 ( FWHM)为 7′;极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到 10 86cm2 /( V· s) ,相应的二维电子气面密度为 7.5× 10 1 2 cm- 2 . 展开更多
关键词 RF-MBE 二维电子气 HFET ALGAN/GAN
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RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 被引量:3
10
作者 孙殿照 胡国新 +5 位作者 王晓亮 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1425-1428,共4页
用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF- MBE)在 C面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料 .所外延的 Ga N膜室温背景电子浓度为 2× 10 1 7cm- 3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /(V· s) ;... 用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF- MBE)在 C面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料 .所外延的 Ga N膜室温背景电子浓度为 2× 10 1 7cm- 3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /(V· s) ;Ga N (0 0 0 2 ) X射线衍射摇摆曲线半高宽 (FWHM)为 6′;Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为 730 cm2 /(V· s) ,相应的电子气面密度为 7.6× 10 1 2 cm- 2 ;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管 (HFET)室温跨导达 5 0 m S/mm (栅长 1μm) ,截止频率达 13GHz(栅长 0 .5 μm) 展开更多
关键词 RF-MBE生长 二维电子气 ALGAN/GAN 分子束外延生长 极化感应 氮化镓
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NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料 被引量:3
11
作者 孙殿照 刘宏新 +5 位作者 王军喜 王晓亮 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第4期350-353,共4页
介绍了用NH3 MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN AlN GaN极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气”。GaN单层膜的室温电子迁移率为 30 0cm2 Vs。二维电子气材料的迁移率为 ... 介绍了用NH3 MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN AlN GaN极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气”。GaN单层膜的室温电子迁移率为 30 0cm2 Vs。二维电子气材料的迁移率为 6 80cm2 Vs(RT)和 1 70 0cm2 Vs(77K) ,相应的二维电子气的面密度为 3.2× 1 0 13cm- 2 (RT)和 2 .6x1 0 13cm- 2 (77K ) . 展开更多
关键词 氮化镓 分子束外延 二维电子气 极化
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线性化AlGaN/GaN HEMT费米能级与二维电子气密度关系的解析模型 被引量:7
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作者 卢盛辉 杜江锋 +1 位作者 周伟 夏建新 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期225-228,共4页
通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率... 通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率a和截距EF0。计算结果表明,所述模型的线性EF-ns计算结果对非线性精确解近似效果较好,且基于该模型计算的ns-VG曲线与实验数据符合良好。 展开更多
关键词 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管 费米能级 线性近似 二维电子气
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AlGaN/GaN异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气输运的影响 被引量:5
13
作者 范隆 李培咸 郝跃 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期937-941,共5页
根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用 ,给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气 (2DEG)迁移率的散射模型 .计算了在不同沟道电子面密度下 ,界面态电荷密度与其所限制的迁移率之间的关系 .运用马德森定则分析了辐射感生界面... 根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用 ,给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气 (2DEG)迁移率的散射模型 .计算了在不同沟道电子面密度下 ,界面态电荷密度与其所限制的迁移率之间的关系 .运用马德森定则分析了辐射感生界面态电荷散射对总迁移率的影响 .分析表明 ,辐射感生界面态电荷在累积到一定量后 ,会显著影响迁移率 ,一定程度上提高 展开更多
关键词 A1GaN/GaN异质结 辐射 界面态电荷 二维电子气 迁移率
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GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气的回旋共振研究 被引量:2
14
作者 陈张海 胡灿明 +5 位作者 刘普霖 史国良 陆卫 张波 石晓红 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期107-113,共7页
采用栅压比谱的方法,研究了GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气(2DEG)的回旋共振。观察到由于子能带-朗道能级耦合所引起的回旋共振峰强度随磁场的振荡行为.由回旋共振频率ωc确定了子能带电子的回旋共振有效质量m*... 采用栅压比谱的方法,研究了GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气(2DEG)的回旋共振。观察到由于子能带-朗道能级耦合所引起的回旋共振峰强度随磁场的振荡行为.由回旋共振频率ωc确定了子能带电子的回旋共振有效质量m*,通过对共振峰线形的拟合,获得二维电子气浓度Ns、电子散射时间τ和迁移率μ.由子能带-朗道能级的共振耦合测量了不同栅压下的多个子能带间的能量间距. 展开更多
关键词 异质结 二维电子气 回旋共振 砷化镓 能带
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GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应 被引量:3
15
作者 张志国 杨瑞霞 +3 位作者 李丽 李献杰 王勇 杨克武 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期50-55,共6页
从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG浓度的关系以及提高2DEG浓度的方法。列举了三种典型的电流崩塌效应,分别介绍了其成因和抑制方法,并对各... 从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG浓度的关系以及提高2DEG浓度的方法。列举了三种典型的电流崩塌效应,分别介绍了其成因和抑制方法,并对各种抑制电流崩塌的方法进行了比较。 展开更多
关键词 氮化镓 异质结场效应晶体管 极化效应 二维电子气 电流崩塌效应
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低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善 被引量:2
16
作者 张东国 李忠辉 +3 位作者 彭大青 董逊 李亮 倪金玉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1406-1409,共4页
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发... 利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN 2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品在室温下2DEG的电子迁移率达到2110 cm2/V.s。 展开更多
关键词 MOCVD 缓冲层 ALGAN GAN 二维电子气
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HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究 被引量:2
17
作者 张兴宏 夏冠群 +3 位作者 徐元森 徐波 杨玉芬 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期292-297,共6页
本文通过变温的Hal测量系统地研究了GaAs基HEMT和PHEMT以及InP基HEMT三种结构材料的电子迁移率μn和二维电子浓度ns.仔细地分析了不同HEMT结构材料的散射机制对电子迁移率的影响以及不同HEMT材料结... 本文通过变温的Hal测量系统地研究了GaAs基HEMT和PHEMT以及InP基HEMT三种结构材料的电子迁移率μn和二维电子浓度ns.仔细地分析了不同HEMT结构材料的散射机制对电子迁移率的影响以及不同HEMT材料结构对电子浓度的影响.研究结果表明InP基HEMT的ns×μn值比GaAs基HEMT和PHEMT的ns×μn值都大,说明可以用ns×μn值来判断HEMT结构材料的性能好坏. 展开更多
关键词 HEMT 结构材料 晶体管 电子迁移率 二维电子气
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肖特基C-V法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结界面二维电子气 被引量:2
18
作者 周玉刚 沈波 +6 位作者 刘杰 俞慧强 周慧梅 钱悦 张荣 施毅 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1420-1424,共5页
通过对 Pt/ Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N肖特基二极管的 C- V测量 ,研究分析了 Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面二维电子气 (2 DEG)浓度及其空间分布 .测量结果表明 ,Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面 2 DEG浓度峰值对应的深度在界面... 通过对 Pt/ Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N肖特基二极管的 C- V测量 ,研究分析了 Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面二维电子气 (2 DEG)浓度及其空间分布 .测量结果表明 ,Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面 2 DEG浓度峰值对应的深度在界面以下 1.3nm处 ,2 DEG分布峰的半高宽为 2 .3nm ,2 DEG面密度为 6 .5× 10 1 2 cm- 2 .与 Alx Ga1 - x As/ Ga As异质结相比 ,其 2 DEG面密度要高一个数量级 ,而空间分布则要窄一个数量级 .这主要归结于 Alx Ga1 - x N层中~ MV / cm量级的压电极化电场和自发极化电场对 Alx Ga1 - x N/ Ga N异质结能带的调制和 Alx Ga1 - x N/ Ga 展开更多
关键词 异质结 肖特基C-V法 二维电子气 半导体材料
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AlGaN/GaN异质结极化行为与二维电子气 被引量:2
19
作者 薛丽君 刘明 +2 位作者 王燕 夏洋 陈宝钦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期63-65,56,共4页
AlGaN/GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点。2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切。本文主要从晶体微观结构角度介绍AlGaN/GaN异质结极化现象的产生、机理和方向性,着重讨论极化对异质结界面处诱生... AlGaN/GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点。2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切。本文主要从晶体微观结构角度介绍AlGaN/GaN异质结极化现象的产生、机理和方向性,着重讨论极化对异质结界面处诱生的二维电子气的影响。极化不仅可提高2DEG的浓度,而且还能使其迁移率得到提高。 展开更多
关键词 AIGAN/GAN 异质结 极化 二维电子气 2DEG
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Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展 被引量:9
20
作者 孔月婵 郑有炓 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2006年第2期127-145,共19页
本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二... 本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的影响,同时还涉及AlGaN/GaN/AlGaN,AlGaN/AlN/GaN和AlGaN/InGaN/GaN等异质结构二维电子气性质。 展开更多
关键词 Ⅲ族氮化物异质结构 二维电子气 综述 自发极化 压电极化 迁移率
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