本文基于一维纳米材料的气—液—固(Vapor-Liquid-Solid,VLS)生长机理,采用简单的物理气相沉积法,以硒化铟(In_(2)Se_(3))粉末为前驱体,在镀金(Au)的泡沫钛基底上实现生长出高密度的一维In_(2)Se_(3)纳米棒.通过扫描电子显微镜(Scanning...本文基于一维纳米材料的气—液—固(Vapor-Liquid-Solid,VLS)生长机理,采用简单的物理气相沉积法,以硒化铟(In_(2)Se_(3))粉末为前驱体,在镀金(Au)的泡沫钛基底上实现生长出高密度的一维In_(2)Se_(3)纳米棒.通过扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)的结果表明,相比于普通的单晶硅基底,在泡沫钛基底上生长的一维In_(2)Se_(3)纳米棒具有更高的密度,且泡沫钛基底能够重复使用,在提高制备效率的同时极大降低了制备成本.展开更多
文摘本文基于一维纳米材料的气—液—固(Vapor-Liquid-Solid,VLS)生长机理,采用简单的物理气相沉积法,以硒化铟(In_(2)Se_(3))粉末为前驱体,在镀金(Au)的泡沫钛基底上实现生长出高密度的一维In_(2)Se_(3)纳米棒.通过扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)的结果表明,相比于普通的单晶硅基底,在泡沫钛基底上生长的一维In_(2)Se_(3)纳米棒具有更高的密度,且泡沫钛基底能够重复使用,在提高制备效率的同时极大降低了制备成本.
