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甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究 被引量:14
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作者 张晓丹 赵颖 +6 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 王岩 耿新华 熊绍珍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期1899-1903,共5页
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池 .电池的J V测试结果表明 :在实验的硅烷浓度和功率范围内 ,随硅烷浓度的降低和功率的加大 ,对应电池的开路电压逐渐变小 ;硅烷浓度的不... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池 .电池的J V测试结果表明 :在实验的硅烷浓度和功率范围内 ,随硅烷浓度的降低和功率的加大 ,对应电池的开路电压逐渐变小 ;硅烷浓度的不同对电池的短路电流密度有很大的影响 ,但功率的影响在实验研究的范围内不是很显著 .对于微晶硅电池 ,N层最好是非晶硅 ,这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应 ,另一方面也降低了电池的漏电概率 ,提高了电池的填充因子 . 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学沉积 微晶硅薄膜 太阳电池 硅烷浓度
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甚高频等离子体增强化学气相沉积大面积平行板电极间真空电势差分布研究 被引量:3
2
作者 葛洪 张晓丹 +2 位作者 岳强 赵静 赵颖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期5105-5110,共6页
采用二维准平面电路模型研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)大面积平行板电极间真空电势差分布.计算结果表明:随平行板电极尺寸增加和激发频率提高,电势驻波效应成为影响电极间电势差非均匀分布的重要因素.在尺寸为1.2m&#... 采用二维准平面电路模型研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)大面积平行板电极间真空电势差分布.计算结果表明:随平行板电极尺寸增加和激发频率提高,电势驻波效应成为影响电极间电势差非均匀分布的重要因素.在尺寸为1.2m×0.8m的大面积平行板电极上应用40.68和60MHz两种激发频率,通过功率馈入点数量和位置优化,计算获得非均匀性分别为±2.5%和±5.5%的真空电势差分布.这些数值计算结果为大面积平行板电极在VHF-PECVD中应用提供了重要的理论指导. 展开更多
关键词 二维准平面电路模型 甚高频等离子体增强化学沉积 电势驻波效应
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VHF-PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜 被引量:5
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作者 杨恢东 吴春亚 +7 位作者 黄君凯 麦耀华 张晓丹 薛俊明 任慧志 赵颖 耿新华 熊绍珍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期127-132,共6页
采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc Si∶H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不同沉积条件下VHF等离子体中SiH 和H 的发光峰强度与薄膜沉积速率之间的关系进行了分析与讨论。通过Raman... 采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc Si∶H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不同沉积条件下VHF等离子体中SiH 和H 的发光峰强度与薄膜沉积速率之间的关系进行了分析与讨论。通过Raman光谱、X射线衍射与扫描电子显微镜(SEM)测量,研究了μc Si∶H薄膜的结构特征与表面形貌。基于当前的沉积系统,对μc Si∶H薄膜沉积条件进行了初步优化,使μc Si∶H薄膜的沉积速率提高到2 0nm/s。 展开更多
关键词 光发射谱 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体化学沉积 高速沉积
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微晶硅材料和电池特性的相关研究 被引量:6
4
作者 张晓丹 赵颖 +4 位作者 魏长春 孙建 赵静 耿新华 熊绍珍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1304-1307,共4页
主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在10^(-8)s/cm量级上,光敏性大于1000,晶... 主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在10^(-8)s/cm量级上,光敏性大于1000,晶化率约50%。进行了制备电池的开路电压和表观带隙之间关系的研究。 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学沉积 高效率微晶硅薄膜太阳电池 表观带隙
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放电功率对VHF-PECVD沉积微晶硅薄膜的生长特性的仿真模拟 被引量:3
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作者 陈喜平 陈永生 +2 位作者 李新利 郝秀利 卢景霄 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期91-95,共5页
甚高频等离子体增强化学气相沉积技术是当前高速制备优质微晶硅(μc-Si:H)薄膜的主流方法,其生长机理也一直是研究的热点和难点。本文采用Comsol软件中的等离子模块和Chemkin软件中的AUROR模块相结合的方法,对H2和SiH4混合气体等离子体... 甚高频等离子体增强化学气相沉积技术是当前高速制备优质微晶硅(μc-Si:H)薄膜的主流方法,其生长机理也一直是研究的热点和难点。本文采用Comsol软件中的等离子模块和Chemkin软件中的AUROR模块相结合的方法,对H2和SiH4混合气体等离子体放电、气相反应和表面生长过程进行了数值模拟,研究了沉积功率对μc-Si:H薄膜沉积速率和结构特性的影响。首先,通过一维的放电模型,获得电子温度和电子浓度等等离子体参数。随后,将该参数带入气相和表面反应模型,得到各种粒子的气相浓度和薄膜的特性参数。模拟过程涉及24个电子碰撞反应、42个气相反应和43个表面反应。同时利用光发射谱对实验过程中等离子辉光特性进行了在线检测,并制备了实验样品。将模拟的SiH3基团、H原子的气相浓度以及它们的比值,生长速率,薄膜中的氢含量和薄膜生长取向等同实验进行了对比,发现能够较好的吻合。 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学沉积 微晶硅薄膜 模拟 光发射谱
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甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究 被引量:13
6
作者 郭学军 卢景霄 +5 位作者 陈永生 张庆丰 文书堂 郑文 申陈海 陈庆东 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期6002-6006,共5页
采用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜样品,重点研究了硅烷浓度、功率密度、沉积气压和气体总流量对薄膜沉积速率和结晶状态的影响,绘制了沉积气压和功率密度双因素相图.以0.75nm/s的高速沉积了器件质... 采用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜样品,重点研究了硅烷浓度、功率密度、沉积气压和气体总流量对薄膜沉积速率和结晶状态的影响,绘制了沉积气压和功率密度双因素相图.以0.75nm/s的高速沉积了器件质量级的微晶硅薄膜,并以该沉积速率制备出了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜电池. 展开更多
关键词 微晶硅薄膜 高速沉积 甚高频化学气相沉积
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VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池 被引量:7
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作者 张晓丹 赵颖 +7 位作者 朱锋 魏长春 高艳涛 孙健 侯国付 薛俊明 耿新华 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期952-957,共6页
采用VHF PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料... 采用VHF PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要.采用VHF PECVD技术制备的微晶硅电池效率为5%,Voc=0 45V,Jsc=22mA/cm2,FF=50%,Area=0 253cm2. 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学沉积 微晶硅薄膜 微晶硅电池
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1nm/s高速率微晶硅薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用 被引量:14
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作者 张晓丹 张发荣 +5 位作者 赵颖 陈飞 孙建 魏长春 耿新华 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期209-212,共4页
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在相对较高气压和较高功率条件下,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料.材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知:获得了沉积速率超过1nm/s高速率器件质量级... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在相对较高气压和较高功率条件下,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料.材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知:获得了沉积速率超过1nm/s高速率器件质量级微晶硅薄膜,并且也初步获得了效率达6.3%的高沉积速率微晶硅太阳电池. 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学沉积 微晶硅薄膜太阳电池 沉积速率 化学沉积技术
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VHF-PECVD制备微晶硅薄膜及其微结构表征研究 被引量:6
9
作者 张晓丹 高艳涛 +5 位作者 赵颖 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期475-478,共4页
采用VHFPECVD技术制备了系列不同衬底温度的硅薄膜。运用微区拉曼散射(MicroRaman)和X射线衍射(XRD)对薄膜进行了结构方面的测试分析。MicroRaman测试结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大。XRD的结... 采用VHFPECVD技术制备了系列不同衬底温度的硅薄膜。运用微区拉曼散射(MicroRaman)和X射线衍射(XRD)对薄膜进行了结构方面的测试分析。MicroRaman测试结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大。XRD的结果显示样品的择优取向随衬底温度的升高而变化,(220)方向计算得出样品的晶粒尺寸逐渐变大。 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学沉积(VHF-PECVD) 微晶硅 衬底温度
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本征微晶硅材料及其在电池中的应用 被引量:5
10
作者 高艳涛 张晓丹 +5 位作者 赵颖 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期388-390,395,共4页
采用VHF-PECVD技术制备了系列不同硅烷浓度和功率的微晶硅薄膜。材料的电学特性和结构特性测试结果表明:制备出了符合太阳电池用的本征微晶硅薄膜。材料应用于电池中,制备出了效率达6.6%的微晶硅电池,没有ZnO背反射电极,而且电池的厚度... 采用VHF-PECVD技术制备了系列不同硅烷浓度和功率的微晶硅薄膜。材料的电学特性和结构特性测试结果表明:制备出了符合太阳电池用的本征微晶硅薄膜。材料应用于电池中,制备出了效率达6.6%的微晶硅电池,没有ZnO背反射电极,而且电池的厚度仅为1.0μm。 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学沉积 微晶硅薄膜 微晶硅电池
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非晶/微晶过渡区内材料性能及电池的研究 被引量:2
11
作者 陈飞 张晓丹 +2 位作者 赵颖 魏长春 孙建 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期119-122,128,共5页
本文采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,通过调节硅烷浓度,获得了系列硅薄膜材料,并用拉曼散射光谱和X射线衍射光谱对材料的结构特性进行了测试分析,同时还使用原子力显微镜观察比较了薄膜的表面形貌。结果发现:在非晶/... 本文采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,通过调节硅烷浓度,获得了系列硅薄膜材料,并用拉曼散射光谱和X射线衍射光谱对材料的结构特性进行了测试分析,同时还使用原子力显微镜观察比较了薄膜的表面形貌。结果发现:在非晶/微晶过渡区内存在着一个光敏性较大的区域,这个区域内的材料晶化率为零,但是表面存在一些微小的晶粒;与拉曼散射光谱相比,X射线衍射光谱对微小的晶化更加敏感。以这部分材料作为太阳电池的本征层,在SnO2衬底上制备了p-i-n型太阳电池,电池的初始开路电压(Voc)达到了0.891V。 展开更多
关键词 甚高频等离子增强化学沉积 过渡区 太阳电池
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大面积VHF-PECVD用多点馈入平行板电极馈入点优化的数值研究 被引量:5
12
作者 葛洪 张晓丹 +3 位作者 岳强 张发荣 赵影 赵颖 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期281-285,共5页
本文采用二维准平面电路模型,对大面积甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)用多点馈入平行板电极馈入点的优化进行了数值研究,讨论了不同的多点馈入模式对平行板电极间真空电势分布均匀性的影响。研究结果表明:对于给定激发频率... 本文采用二维准平面电路模型,对大面积甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)用多点馈入平行板电极馈入点的优化进行了数值研究,讨论了不同的多点馈入模式对平行板电极间真空电势分布均匀性的影响。研究结果表明:对于给定激发频率和尺度的大面积平行板电极,功率馈入连接点位置分布和数量成为影响电极间电势分布均匀性的两个重要可控参量,通过优化功率馈入连接点数量和连接点位置分布,可以抑制电势驻波效应及功率馈入点对数奇点效应,很大程度上有效地改善了电极间电势分布的均匀性。本文数值计算结果在一定程度上为VHF-PECVD技术用平行板电极实现大面积薄膜均匀沉积的系统设计提供了理论指导。 展开更多
关键词 多点功率馈入 甚高频等离子体增强化学沉积 电势驻波效应 电报效应
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VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池初步研究 被引量:4
13
作者 张晓丹 朱锋 +4 位作者 赵颖 薛俊明 孙建 耿新华 熊绍珍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期789-793,共5页
研究了用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法制备的不同沉积气压下的微晶硅薄膜样品。随着沉积气压的逐渐增大,样品的沉积速率也逐渐增大;样品的光敏性和激活能测试结果表明:随气压的变化两者发生了规律性一致的变化;傅立... 研究了用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法制备的不同沉积气压下的微晶硅薄膜样品。随着沉积气压的逐渐增大,样品的沉积速率也逐渐增大;样品的光敏性和激活能测试结果表明:随气压的变化两者发生了规律性一致的变化;傅立叶变换红外(FTIR)测试表明制备的样品中含有一定量的氧,使得样品呈现弱n型;室温微区喇曼光谱测试分析得到样品的微晶化特征与IR的分析是一致的,用高斯函数对喇曼谱解谱分析定量得出了晶化程度;分析了H处理p/I界面对电池性能的影响;首次在国内用VHF-PECVD制备出效率达4.24%的微晶硅电池。 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学沉积 微晶硅薄膜 微晶硅电池 微区喇曼光谱 傅立叶变换红外光谱
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VHF-PECVD制备不同衬底温度微晶硅薄膜结构研究 被引量:2
14
作者 张晓丹 赵颖 +5 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新 熊绍珍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期920-922,共3页
 采用微区拉曼散射、傅立叶变换红外吸收和光热偏转谱对VHF PECVD制备的不同衬底温度硅薄膜进行了微结构分析.结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大,样品中的氢含量逐渐降低.在200~250℃条件下制...  采用微区拉曼散射、傅立叶变换红外吸收和光热偏转谱对VHF PECVD制备的不同衬底温度硅薄膜进行了微结构分析.结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大,样品中的氢含量逐渐降低.在200~250℃条件下制备的微晶硅薄膜具有低的缺陷密度.通过优化工艺条件制备出了效率达7.1%的单结微晶硅太阳电池,电池厚度仅为1.2μm,且没有ZnO背反射电极. 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学沉积 微晶硅 衬底温度
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硅烷浓度对微晶硅太阳电池的影响 被引量:1
15
作者 高艳涛 张晓丹 +3 位作者 朱锋 魏长春 孙建 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期514-517,共4页
采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响。结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开... 采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响。结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开路电压随硅烷浓度的提高而增加,这些变化来源于有源层材料结构的改变。电池的填充因子几乎不受硅烷浓度的影响,但受前电极的影响很大。不同系列电池转化效率的最高点虽然处于非晶到微晶的过渡区,但对应电池的晶化率不同。另外,研究结果也给出非晶/微晶过渡区随着辉光功率的提高和沉积气压的降低向高硅烷浓度方向转移。 展开更多
关键词 甚高频等离子化学沉积 微晶硅太阳电池 硅烷浓度
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辉光功率对VHF-PECVD制备的硅基薄膜特性的影响(英文) 被引量:4
16
作者 张晓丹 赵颖 +6 位作者 朱锋 魏长春 孙建 侯国付 薛俊明 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期662-666,共5页
本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品。喇曼测试结果显示 :在不同硅烷浓度 (SC)条件下 ,非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点 ;暗电导随晶化率也体现出不同的变化 ,此结果表明不同SC、不同功率制备... 本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品。喇曼测试结果显示 :在不同硅烷浓度 (SC)条件下 ,非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点 ;暗电导随晶化率也体现出不同的变化 ,此结果表明不同SC、不同功率制备样品的结构特性和电学特性的内在规律是不同的 ;另外 ,扫描电子显微镜的测试结果表明样品的表面呈“菜花”状和剖面为柱状的结构特征。 展开更多
关键词 辉光功率 VHF-PECVD方法 制备 硅基薄膜 甚高频等离子体增强化学沉积 过渡区 微区喇曼光谱 扫描电子显微镜
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微晶硅电池的制备及提高其效率的优化 被引量:2
17
作者 张晓丹 赵颖 +6 位作者 朱锋 高艳涛 麦耀华 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期419-422,共4页
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同硅烷浓度系列的微晶硅电池。结果表明:电池的开路电压随着硅烷浓度的增大而逐渐增加,而电池的短路电流则先增加后减小,在转折点电池的效率达到最大,填充因子则变化不明显;(... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同硅烷浓度系列的微晶硅电池。结果表明:电池的开路电压随着硅烷浓度的增大而逐渐增加,而电池的短路电流则先增加后减小,在转折点电池的效率达到最大,填充因子则变化不明显;(220)择优取向出现,I(220)/I(111)比值大,电池的短路电流密度也大,电池的效率也最高;在实验的范围内,电池的短路电流密度和厚度成正比例关系;首次在国内制备出了效率达7.3%,短路电流密度(Jsc)为21.7mA/cm2,开路电压(Voc)为0.52V,填充因子(FF)为65%的微晶硅电池。 展开更多
关键词 微晶硅电池 甚高频等离子体增强化学沉积 短路电流密度
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弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响 被引量:5
18
作者 黄君凯 杨恢东 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1164-1168,共5页
研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜(μc-Si∶H)及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si∶H薄膜的沉积速率先减小后增加,变化范围约为0.7~0.8nm/s.相比较而言,材料的结晶度... 研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜(μc-Si∶H)及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si∶H薄膜的沉积速率先减小后增加,变化范围约为0.7~0.8nm/s.相比较而言,材料的结晶度以及晶粒的平均颗粒尺寸则呈现出先增后减的变化,且变化的幅度较大,当弱硼补偿剂量大于2.5ppm时,过度的弱硼补偿将导致μc-Si∶H薄膜的结晶状况恶化.此外,光敏性、暗电导及电导激活能的测量结果进一步表明,弱硼补偿显著影响μcSi∶H薄膜的光电特性,弱硼补偿剂量为2.5ppm左右时,材料的光电特性最为理想.因此,优化弱硼补偿剂量是获得器件级质量μc-Si∶H材料的有效途径. 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学沉积 氢化微晶硅薄膜 弱硼掺杂补偿
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大面积VHF-PECVD反应室喷淋式平板电极间电场和流场数值模拟 被引量:4
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作者 葛洪 张晓丹 +1 位作者 赵静 赵颖 《真空》 CAS 北大核心 2010年第2期40-43,共4页
以大面积喷淋式平板电极甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)反应室为研究对象,利用FlexPDE和CFD-ACE+商业软件,对反应室电极间的电场和流场分布进行了数值模拟。根据数值模拟结果可知:对于大面积喷淋式平板电极VHF-PECVD反应室... 以大面积喷淋式平板电极甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)反应室为研究对象,利用FlexPDE和CFD-ACE+商业软件,对反应室电极间的电场和流场分布进行了数值模拟。根据数值模拟结果可知:对于大面积喷淋式平板电极VHF-PECVD反应室,电极间气体流速分布呈现管流特征,而气压分布和电场分布具有类似的分布规律,即在大面积电极中央区域电场较强气压较高,而电极边缘区域电场较弱气压较低;另外,反应室采用喷淋式平板电极进行反应气体馈入,气体总流量、工作气压和电极间距是调节电极间气压分布均匀性的重要参量,采用大电极间距、高工作气压,以及小的气体总流量有助于获得均匀的气压分布。 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学沉积 喷淋式平板电极 数值模拟 CFD-ACE+
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Doped-Chamber Deposition of Intrinsic Microcrystalline Silicon Thin Films and Its Application in Solar Cells 被引量:1
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作者 孙福河 张晓丹 +9 位作者 赵颖 王世峰 韩晓艳 李贵军 魏长春 孙建 侯国付 张德坤 耿新华 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期855-858,共4页
A series of microcrystalline silicon thin films were fabricated by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) at different silane concentrations in a P chamber. Through analysis of the... A series of microcrystalline silicon thin films were fabricated by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) at different silane concentrations in a P chamber. Through analysis of the structural and electrical properties of these materials,we conclude that the photosensitivity slightly decreased then increased as the silane concentration increased,while the crystalline volume fraction indicates the opposite change. Results of XRD indicate that thin films have a (220) preferable orientation under certain conditions. Microcrystalline silicon solar cells with conversion efficiency 4. 7% and micromorph tandem solar cells 8.5% were fabricated by VHF-PECVD (p layer and i layer of microcrystalline silicon solar cells were deposited in P chamber), respectively. 展开更多
关键词 VHF-PECVD intrinsic microcrystalline silicon solar cells
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