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玻璃表面处理综述
被引量：
8
1
作者
王琦
万法琦
+3 位作者
赵会峰
熊春荣
文峰
姜宏
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期1047-1055,1060,共10页
本文归纳了近年实验室研究与工业生产中玻璃表面常用的处理方法主要包括化学刻蚀、物理刻蚀、表面镀膜等的研究进展,梳理了不同种类玻璃表面处理工艺的优劣,介绍了表征玻璃表面结构、化学组成及电子态的常用分析方法。在未来的玻璃表面...
本文归纳了近年实验室研究与工业生产中玻璃表面常用的处理方法主要包括化学刻蚀、物理刻蚀、表面镀膜等的研究进展,梳理了不同种类玻璃表面处理工艺的优劣,介绍了表征玻璃表面结构、化学组成及电子态的常用分析方法。在未来的玻璃表面处理研究中,除改进现有的表面处理工艺外,还需开发新的表面处理技术。此外,微观上需重视表面化学组成与结构对玻璃性能的影响。
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关键词
表面处理
化学
刻蚀
物理刻蚀
表面镀膜
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职称材料
ICP设备光刻胶灰化工艺中膜层残留的改善
2
作者
查甫德
徐纯洁
+8 位作者
李根范
张木
崔立加
冯耀耀
朱梅花
杨增乾
刘增利
陈正伟
郑载润
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第12期1264-1269,共6页
为改善TFT特性,采用感应耦合等离子体(ICP)设备进行4-Mask光刻胶(PR)灰化工艺,光刻胶剥离后源/漏数据线边缘、TFT沟道和其他像素区出现了线性的a-Si膜层残留。本文研究了光刻胶灰化工艺条件对a-Si膜层残留的影响,结果表明压力、偏压射...
为改善TFT特性,采用感应耦合等离子体(ICP)设备进行4-Mask光刻胶(PR)灰化工艺,光刻胶剥离后源/漏数据线边缘、TFT沟道和其他像素区出现了线性的a-Si膜层残留。本文研究了光刻胶灰化工艺条件对a-Si膜层残留的影响,结果表明压力、偏压射频功率是产生膜层残留的主要因素,O2用量为次要因素。通过光刻胶灰化工艺优化得出了改善膜层残留的条件压力≥2.66 Pa,源极功率∶偏压功率≥3∶1,qv(SF6)∶qv(O2)≥1∶60,对感应耦合等离子体设备在光刻胶灰化工艺中的进一步应用具有非常重要的意义。
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关键词
感应耦合等离子体
灰化
膜层残留
物理刻蚀
氧化
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职称材料
题名
玻璃表面处理综述
被引量：
8
1
作者
王琦
万法琦
赵会峰
熊春荣
文峰
姜宏
机构
海南大学材料科学与工程学院
海南中航特玻科技有限公司
特种玻璃国家重点实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期1047-1055,1060,共10页
基金
海南省重点研发计划资助项目(ZDYF2020015)
国家自然科学基金资助项目(51761010)。
文摘
本文归纳了近年实验室研究与工业生产中玻璃表面常用的处理方法主要包括化学刻蚀、物理刻蚀、表面镀膜等的研究进展,梳理了不同种类玻璃表面处理工艺的优劣,介绍了表征玻璃表面结构、化学组成及电子态的常用分析方法。在未来的玻璃表面处理研究中,除改进现有的表面处理工艺外,还需开发新的表面处理技术。此外,微观上需重视表面化学组成与结构对玻璃性能的影响。
关键词
表面处理
化学
刻蚀
物理刻蚀
表面镀膜
Keywords
Surface treatment
Chemical etching
Physical etching
Surface coating
分类号
TQ171 [化学工程—玻璃工业]
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职称材料
题名
ICP设备光刻胶灰化工艺中膜层残留的改善
2
作者
查甫德
徐纯洁
李根范
张木
崔立加
冯耀耀
朱梅花
杨增乾
刘增利
陈正伟
郑载润
机构
合肥鑫晟光电科技有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第12期1264-1269,共6页
文摘
为改善TFT特性,采用感应耦合等离子体(ICP)设备进行4-Mask光刻胶(PR)灰化工艺,光刻胶剥离后源/漏数据线边缘、TFT沟道和其他像素区出现了线性的a-Si膜层残留。本文研究了光刻胶灰化工艺条件对a-Si膜层残留的影响,结果表明压力、偏压射频功率是产生膜层残留的主要因素,O2用量为次要因素。通过光刻胶灰化工艺优化得出了改善膜层残留的条件压力≥2.66 Pa,源极功率∶偏压功率≥3∶1,qv(SF6)∶qv(O2)≥1∶60,对感应耦合等离子体设备在光刻胶灰化工艺中的进一步应用具有非常重要的意义。
关键词
感应耦合等离子体
灰化
膜层残留
物理刻蚀
氧化
Keywords
inductively coupled plasma
ashing
film residue
physical etch
oxidation
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
玻璃表面处理综述
王琦
万法琦
赵会峰
熊春荣
文峰
姜宏
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021
8
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
ICP设备光刻胶灰化工艺中膜层残留的改善
查甫德
徐纯洁
李根范
张木
崔立加
冯耀耀
朱梅花
杨增乾
刘增利
陈正伟
郑载润
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2020
0
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