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分离式片上微摩擦测试机构及其制作
1
作者
郭占社
姜春福
+1 位作者
张欲晓
郑德智
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第21期2539-2542,共4页
为有效模拟基于单晶硅材料的微机电器件摩擦副的摩擦磨损状况,设计了一种分离式片上微摩擦测试机构。该测试机构利用微机电系统体硅工艺及键合技术,把加载机构、测试机构、摩擦副以及力传感器集成在一个单一的硅片上。对该机构的测试结...
为有效模拟基于单晶硅材料的微机电器件摩擦副的摩擦磨损状况,设计了一种分离式片上微摩擦测试机构。该测试机构利用微机电系统体硅工艺及键合技术,把加载机构、测试机构、摩擦副以及力传感器集成在一个单一的硅片上。对该机构的测试结果表明:摩擦副之间的静摩擦因数约为0.9,动态摩擦因数随着施加在摩擦副上正压力的变化而变化。
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关键词
片上微摩擦测试机构
体硅工艺
键合技术
动态
摩擦
因数
静态
摩擦
因数
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职称材料
题名
分离式片上微摩擦测试机构及其制作
1
作者
郭占社
姜春福
张欲晓
郑德智
机构
北京航空航天大学
北京信息高技术研究所
出处
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第21期2539-2542,共4页
文摘
为有效模拟基于单晶硅材料的微机电器件摩擦副的摩擦磨损状况,设计了一种分离式片上微摩擦测试机构。该测试机构利用微机电系统体硅工艺及键合技术,把加载机构、测试机构、摩擦副以及力传感器集成在一个单一的硅片上。对该机构的测试结果表明:摩擦副之间的静摩擦因数约为0.9,动态摩擦因数随着施加在摩擦副上正压力的变化而变化。
关键词
片上微摩擦测试机构
体硅工艺
键合技术
动态
摩擦
因数
静态
摩擦
因数
Keywords
on--chip micro--tribotester
bulk silicon technology
bonding process
dynamic fric tional coefficient
static frictional coefficient
分类号
TH117.3 [机械工程—机械设计及理论]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
分离式片上微摩擦测试机构及其制作
郭占社
姜春福
张欲晓
郑德智
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
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