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基于硅波导分布布拉格取样光栅的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列
1
作者 贾艳青 王海玲 +2 位作者 孟然哲 张建心 周旭彦 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期104-114,共11页
提出了一种波长间隔0.8 nm的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列。在四通道硅波导表面设计了两组分布布拉格取样光栅,分别作为前反射镜和后反射镜,形成Ⅲ-V/Si激光器的谐振腔。优化设计分布布拉格取样光栅的参数,选择四个通道的取样光栅的一阶子... 提出了一种波长间隔0.8 nm的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列。在四通道硅波导表面设计了两组分布布拉格取样光栅,分别作为前反射镜和后反射镜,形成Ⅲ-V/Si激光器的谐振腔。优化设计分布布拉格取样光栅的参数,选择四个通道的取样光栅的一阶子光栅对应的波长进行振荡和输出。采用直接晶片键合技术,将图案化的绝缘体上硅晶片和Ⅲ-V外延晶片非集成在一起,实现了Ⅲ-V波导与硅波导的自对准和高效倏逝波耦合。在室温下连续波条件下,制备的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列的硅波导输出功率均大于0.7 mW@60 mA,阈值电流均小于25 mA,激射波长分别为1 569.64 nm、1 570.45 nm、1 571.27 nm和1 572.08 nm,波长间距为0.8 nm±0.2 nm。这种四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列经优化后可应用于密集波分复用硅光学系统。 展开更多
关键词 取样光栅 分布布拉格反射 直接晶片键合 硅基激光器阵列 异质集成 倏逝波耦合
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大功率808 nm分布反馈激光器阵列研制
2
作者 孙春明 朱振 +4 位作者 任夫洋 陈康 苏建 夏伟 徐现刚 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第1期72-76,共5页
为了提高808 nm大功率半导体激光器阵列的波长稳定性,提出了带有二阶布拉格光栅的大功率宽条型808 nm分布反馈激光器阵列。相比于传统的一阶布拉格光栅,其可以显著抑制简并纵模的产生,提高器件的波长锁定范围。借助于金属有机化学气相... 为了提高808 nm大功率半导体激光器阵列的波长稳定性,提出了带有二阶布拉格光栅的大功率宽条型808 nm分布反馈激光器阵列。相比于传统的一阶布拉格光栅,其可以显著抑制简并纵模的产生,提高器件的波长锁定范围。借助于金属有机化学气相沉积、全息光刻、干法刻蚀以及湿法腐蚀等工艺,完成了器件的制备,并且在准连续条件(200 A、200μs、20 Hz)下,对所制备的激光器阵列进行了不同温度下的性能测试。测试结果表明:器件峰值输出功率可达到190 W,光电转换效率超过55%,光谱半高宽为0.6 nm,温漂系数为0.06 nm/K,波长锁定范围达到125℃(-35~90℃)。另外,对其进行了老化考评,结果显示,老化2 000 h后峰值功率衰减小于4%。 展开更多
关键词 温漂系数 二次外延 全息光刻 二阶光栅 激光器阵列
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激光器阵列的非本征理想因子 被引量：8
3
作者 张爽 郭树旭 +4 位作者 郭欣 曹军胜 郜峰利 单江东 任瑞治 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期768-773,共6页
研究了激光器阵列的电导数表征方法,建立了激光器阵列的等效电路模型,导出了理想情况下阵列的电导数公式.理论、PSPICE仿真和实验结果表明:一致性良好的阵列的非本征理想因子等于每个阵列单元的非本征理想因子,该结论可用于对阵列单元... 研究了激光器阵列的电导数表征方法,建立了激光器阵列的等效电路模型,导出了理想情况下阵列的电导数公式.理论、PSPICE仿真和实验结果表明:一致性良好的阵列的非本征理想因子等于每个阵列单元的非本征理想因子,该结论可用于对阵列单元非本征理想因子检测与阵列可靠性研究.导致单元本征理想因子变大,电流泄漏的可靠性问题均可导致阵列非本征理想因子变大. 展开更多
关键词 激光器阵列 等效电路模型 电特性 可靠性 理想因子 电导数
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大功率半导体激光器阵列稳态温度分布分析 被引量：7
4
作者 谢红云 陈国鹰 +2 位作者 安振峰 辛国锋 康志龙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1084-1088,共5页
通过对大功率激光器阵列热现象的分析 ,采用有限元分析法建立了大功率激光器稳态工作时的空间温度分布模型 ,给出了具体的温度分布曲线 ,由此模型得出大功率激光器阵列沿谐振腔方向有一定的温度差 .该模型给出的载体、芯片的温度分布 ,... 通过对大功率激光器阵列热现象的分析 ,采用有限元分析法建立了大功率激光器稳态工作时的空间温度分布模型 ,给出了具体的温度分布曲线 ,由此模型得出大功率激光器阵列沿谐振腔方向有一定的温度差 .该模型给出的载体、芯片的温度分布 ,可以指导阵列载体、散热器的设计 ,优化它们的尺寸 .样品的实验数据与模型的理论预测结果吻和得很好 . 展开更多
关键词 大功率 激光器阵列 热模型 温度分布
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高功率、高效率808nm半导体激光器阵列 被引量：7
5
作者 王贞福 杨国文 +3 位作者 吴建耀 宋克昌 李秀山 宋云菲 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第16期109-114,共6页
通过设计高效率808 nm非对称宽波导外延结构,减少P型波导层和包层的自由载流子光吸收,实现腔内光吸收损耗为0.63 cm^(-1).制备的808 nm半导体激光器阵列在室温25?C下,实现驱动电流135 A,工作电压1.76 V,连续输出功率大于150 W,斜率效率... 通过设计高效率808 nm非对称宽波导外延结构,减少P型波导层和包层的自由载流子光吸收,实现腔内光吸收损耗为0.63 cm^(-1).制备的808 nm半导体激光器阵列在室温25?C下,实现驱动电流135 A,工作电压1.76 V,连续输出功率大于150 W,斜率效率高达1.25 W/A,中心波长809.3 nm,器件最高电光转换效率为65.5%,这是目前国内报道的808 nm半导体激光器阵列的最高电光转换效率,达到国际同类器件最好水平. 展开更多
关键词 半导体激光器阵列 电光转换效率 光吸收损耗 非对称宽波导结构
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808nm高占空比大功率半导体激光器阵列 被引量：5
6
作者 李再金 胡黎明 +5 位作者 王烨 张星 王祥鹏 秦莉 刘云 王立军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1615-1618,共4页
采用渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构,通过降低非辐射复合、有源层载流子泄露、散射和吸收损耗来提高出射效率和降低激光阈值电流,从而提高半导体激光器阵列的输出功率;同时使P面具有更高的粒子掺杂数密度,优化N面合金条件,降低... 采用渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构,通过降低非辐射复合、有源层载流子泄露、散射和吸收损耗来提高出射效率和降低激光阈值电流,从而提高半导体激光器阵列的输出功率;同时使P面具有更高的粒子掺杂数密度,优化N面合金条件,降低半导体激光器的串联电阻,降低焦耳热,提高了半导体激光器阵列的转换效率。利用金属有机化学气相淀积技术生长GaInAsP/InGaP/AlGaAs渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构激光器材料,利用该材料制成半导体激光线阵列在20%高占空比的输入电流下,半导体激光器的输出峰值功率达到189.64 W(180 A),斜率效率为1.1 W/A,中心波长为805.0 nm,阈值电流为7.6 A,电光转换效率最高可达55.4%;在1%占空比的输入电流下,阵列的输出峰值功率可达324.9 W(300 A),斜率效率为1.11 W/A,阈值电流为7.8 A,电光转化效率最高达55.6%,中心波长为804.5 nm。 展开更多
关键词 半导体激光器 大功率 高占空比 激光器阵列
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2×2全光纤激光器阵列部分相干合成的实验研究 被引量：5
7
作者 赵保银 段开椋 +1 位作者 赵卫 钱凤臣 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第1期58-62,共5页
对2×2全光纤激光器阵列的部分相干合成进行了实验研究。将四台全光纤激光器阵列分为两组,组内两光纤激光器通过一个对激光波长具有一定反射率的光纤光栅实现腔模互注入相位锁定,而两组激光阵列元之间非相干。四束激光经一个四面直... 对2×2全光纤激光器阵列的部分相干合成进行了实验研究。将四台全光纤激光器阵列分为两组,组内两光纤激光器通过一个对激光波长具有一定反射率的光纤光栅实现腔模互注入相位锁定,而两组激光阵列元之间非相干。四束激光经一个四面直角棱镜反射后尽量接近并实现对称排布。获得两组清晰的干涉条纹,条纹最大可见度分别约为43%和38%。整个激光器阵列在泵浦光总功率为1624W时获得925W高功率部分相干输出。在合成光束占空比为0.54时,合成光束的光束质量BQ值约为1.95。激光器阵列由全光纤元件组成,系统结构紧凑,在长时间的高功率合成实验中,性能稳定,没有观察到光热损伤现象。 展开更多
关键词 全光纤激光器阵列 光束合成 部分相干 互注入相位锁定
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基于REC技术的激光器阵列光源模块设计 被引量：3
8
作者 倪屹 刘森 +1 位作者 陆骏 曾盼 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第11期23-27,共5页
近年来,单片集成的多波长激光器阵列作为波分复用(WDM)系统的理想光源而成为研究热点。通过重构-等效啁啾(REC)技术实现了一种低成本的分布反馈式(DFB)激光器阵列光源模块,采用掺铒光纤放大器(EDFA)对该激光器阵列的输出进行了光学放大... 近年来,单片集成的多波长激光器阵列作为波分复用(WDM)系统的理想光源而成为研究热点。通过重构-等效啁啾(REC)技术实现了一种低成本的分布反馈式(DFB)激光器阵列光源模块,采用掺铒光纤放大器(EDFA)对该激光器阵列的输出进行了光学放大,并通过PID控制程序对光源输出进行稳定化调节。光源模块中各通道激光器的中心波长间隔均匀,平均间隔为1.64 nm,波长间隔的误差小于0.2 nm。光源所输出的总光功率大于50 m W,输出光功率变化小于0.02 d Bm。 展开更多
关键词 DFB激光器 波分复用 激光器阵列 重构-等效啁啾
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激光器阵列调节装置及其控制系统设计 被引量：2
9
作者 徐鹏涛 刘阳 +2 位作者 贾振元 樊超楠 刘巍 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期2919-2926,共8页
针对基于视觉测量中激光器阵列辅助靶标投射模式切换及光条位置调节稳定性差、效率低,无法满足实际测量需求的问题,分析视觉测量中不同阶段对激光辅助靶标的投射及调节需求,同时考虑设备紧凑性、实用性及可靠性,设计加工1套激光器阵列... 针对基于视觉测量中激光器阵列辅助靶标投射模式切换及光条位置调节稳定性差、效率低,无法满足实际测量需求的问题,分析视觉测量中不同阶段对激光辅助靶标的投射及调节需求,同时考虑设备紧凑性、实用性及可靠性,设计加工1套激光器阵列调节装置,利用工作站及NI计数器驱动多台步进电机实现激光器独立及协调控制,最后根据调控需求及硬件装置基于LabVIEW开发相应的控制系统。研究结果表明:该装置及系统工作稳定,具有良好的调控效率和鲁棒性,实现了激光器阵列辅助靶标的高效自动化调节,为提高视觉测量效率奠定了良好的基础。 展开更多
关键词 激光器阵列 辅助靶标 LAB VIEW 调节装置 控制系统
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大功率半导体激光器阵列 被引量：3
10
作者 谢红云 安振峰 陈国鹰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期33-36,共4页
综合介绍了目前半导体大功率激光器普遍采用的材料结构、芯片结构、封装技术、散热致冷技术以及发展现状;给出了当前大功率半导体激光器的研究发展方向。
关键词 大功率 激光器阵列 封装 散热 发展现状 芯片结构
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新型垂直腔面发射半导体激光器阵列 被引量：4
11
作者 刘文莉 钟景昌 晏长岭 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期519-525,共7页
设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的方法,实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用。一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉格反射镜(DBR)两次较浅的质子注入形成高电阻区域实现对阵... 设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的方法,实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用。一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉格反射镜(DBR)两次较浅的质子注入形成高电阻区域实现对阵列中单元器件间的隔离,另一方面通过再次的两次较深度的可以达到有源区上表面的质子注入形成高电阻区域实现对单元器件注入电流的限制。由瞬态热传导方程对阵列中单元器件间的热相互作用进行了理论分析。采用四次质子注入工艺实现了2×2、3×3简单的二维GaAs/A lGaAs量子阱VCSEL阵列,并对器件的激射近场、光谱特性及功率等进行了测量。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 激光器阵列器件 质子注入
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高功率半导体激光器阵列微通道热沉的温度 被引量：2
12
作者 孙梅 苏周 +1 位作者 王景芹 赵红东 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期106-109,114,共5页
微通道热沉是解决高功率半导体激光器阵列散热有效的途径,本文利用有限元方法研究半导体激光器的温度,给出了横向尺寸为200μm×60μm单个及间距100μm的3,5,9的微通道热沉中的温度,得到微通道数量影响激光器最高温度变化。结果表明... 微通道热沉是解决高功率半导体激光器阵列散热有效的途径,本文利用有限元方法研究半导体激光器的温度,给出了横向尺寸为200μm×60μm单个及间距100μm的3,5,9的微通道热沉中的温度,得到微通道数量影响激光器最高温度变化。结果表明,单个微通道构成的热沉可以把注入电流为36A稳态工作的激光器阵列冷却到342K,9个微通道可以冷却到306K。仿真了增加微通道间距的温度分布,发现为间距260μm的5个微通道热沉,可以将激光器冷却到308K。 展开更多
关键词 高功率激光器阵列 微通道 温度 有限元法 激光器
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连续波工作大功率半导体激光器阵列的温度分布 被引量：1
13
作者 辛国锋 瞿荣辉 +3 位作者 陈晨 陈高庭 封惠忠 方祖捷 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期9-11,共3页
用Ansys软件模拟了大功率半导体激光器阵列的稳态温度分布,并对自行研制的半导体激光器阵列的温度变化进行了测试,结果表明理论计算与实验结果基本吻合。该模拟结果对大功率半导体激光器阵列的封装设计具有现实的指导意义。
关键词 半导体激光器阵列 连续波 温度分布 大功率
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激光器阵列测量小视场成像烟幕干扰效能 被引量：1
14
作者 陆斌 吕俊伟 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第5期1161-1165,共5页
为了解决在精确测量面源烟幕对小视场成像的干扰效能时,单束激光视场小、使用扫描方式时无法解决与烟幕扩散同步的问题,设计提出采用多个低功率的相同激光器,经过光束均匀化扩束整形排列形成激光器阵列,实现对烟幕透过率的空间探测,利... 为了解决在精确测量面源烟幕对小视场成像的干扰效能时,单束激光视场小、使用扫描方式时无法解决与烟幕扩散同步的问题,设计提出采用多个低功率的相同激光器,经过光束均匀化扩束整形排列形成激光器阵列,实现对烟幕透过率的空间探测,利用成像传感器测量烟幕的空间透过率的相对变化率。利用这种方法使用3×3均匀扩束激光光束阵列可以在113.4 m距离上实现面积为2.8 m×2.8 m的面源烟幕测量,成像CCD视场为10°×10°,灰度值小于230时的相对变化率误差不大于0.5%。 展开更多
关键词 激光器阵列 光束均匀化 整形 烟幕 测量
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Bar条不发光现象对半导体激光器阵列光束特性的影响 被引量：1
15
作者 董丽丽 许文海 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1595-1602,共8页
为了便于对半导体激光器阵列(LDA)光束整形系统的设计和光束质量的评价,研究了目前LDA应用时普遍存在的问题,即Bar条不发光现象对LDA光强分布等特性的影响。基于LDA中单个发光单元的远场双峰结构,建立了描述LDA远场分布的数学模型,在LD... 为了便于对半导体激光器阵列(LDA)光束整形系统的设计和光束质量的评价,研究了目前LDA应用时普遍存在的问题,即Bar条不发光现象对LDA光强分布等特性的影响。基于LDA中单个发光单元的远场双峰结构,建立了描述LDA远场分布的数学模型,在LDA能量分布95%的主要区域内,该理论模型拟合测量数据的误差<5%。结合该理论模型和对LDA光束特性的实验测试结果,分析了Bar条不发光对LDA光强分布模式以及其它光束特性的影响。结果表明,在传输达到一定距离后,单个或几个Bar条不发光不会改变LDA光强分布模式双峰结构的本质,但对于光强分布的其它特性,如峰值光强大小、峰值光强位置、中心轴光强大小都会产生影响。LDA的功率特性与不发光Bar条的数目呈反比,与不发光Bar条的位置无关。 展开更多
关键词 半导体激光器阵列 Bar条 光强分布 功率
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纳秒级脉宽砷化镓激光器阵列 被引量：1
16
作者 谭吉春 杜少军 刘少波 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 1996年第4期530-534,共5页
报导砷化镓激光器阵列的实验结果。该阵列光束的脉宽约０．７～５ｎｓ，近场光斑面积约１００ｍｍ×６ｍｍ；已被用于触发高功率电磁脉冲发生器中的半导体光导开关阵列。报导一种提高光脉冲重复率的方法—双脉冲序列法，用该方法使... 报导砷化镓激光器阵列的实验结果。该阵列光束的脉宽约０．７～５ｎｓ，近场光斑面积约１００ｍｍ×６ｍｍ；已被用于触发高功率电磁脉冲发生器中的半导体光导开关阵列。报导一种提高光脉冲重复率的方法—双脉冲序列法，用该方法使激光脉冲等效重复率达约１００ＭＨｚ；介绍一种使激光器阵列输出光斑中光能均匀分布的多光束叠加方案。 展开更多
关键词 激光器阵列 纳秒脉冲技术 半导体激光
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半导体激光器阵列光束准直和聚焦系统设计 被引量：8
17
作者 周崇喜 杜春雷 《光学仪器》 2000年第6期25-29,共5页
给出条阵半导体激光器光束消像散准直、聚焦的方法以及折 /衍混合准直微光学阵列系统和聚焦光学系统的设计方法 ,并设计了一准直聚焦光学系统 ,准直精度达 3mrad～ 4mrad,聚焦光斑尺寸小于 2 0
关键词 半导体激光器阵列 准直 聚焦 光学设计
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高温高效率半导体激光器阵列封装结构研究 被引量：1
18
作者 杨璠 刘刚明 +3 位作者 杨帆 吴寸雪 闫治晚 刘骁 《半导体光电》 北大核心 2021年第3期358-363,共6页
分析了热沉和陶瓷基板对背冷式封装结构半导体激光器阵列性能的影响。通过栅格化厚铜填充技术降低了复合金刚石热沉的等效电阻,并实现了热膨胀系数匹配;采用热沉和陶瓷基板嵌入焊接技术,提高了封装散热能力和稳定性。制作了间距为0.4mm... 分析了热沉和陶瓷基板对背冷式封装结构半导体激光器阵列性能的影响。通过栅格化厚铜填充技术降低了复合金刚石热沉的等效电阻,并实现了热膨胀系数匹配;采用热沉和陶瓷基板嵌入焊接技术,提高了封装散热能力和稳定性。制作了间距为0.4mm的5Bar条芯片阵列样品,在70℃热沉温度、200A工作电流(占空比为1%)条件下进行性能测试,结果显示器件输出功率为1065W、电光转换效率为59.2%。在高温大电流条件下进行了1824h寿命试验,器件表现出良好的可靠性。 展开更多
关键词 半导体激光器阵列 二极管激光器 高温 高效率 封装
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大面积半导体激光器阵列光束整形研究
19
作者 赵天卓 樊仲维 +3 位作者 崔建丰 麻云凤 冯承勇 周正生 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期291-293,299,共4页
在采用大面积半导体激光器阵列进行泵浦时,由于能量密度等因素,必须把泵浦光会聚到很小的面积上。而空心导光管作为一种良好的耦合器件,不仅能够实现匀光缩束的功能,还具有高效、简洁、可控制光斑形状等优点。在阐述了采用Duct进行半导... 在采用大面积半导体激光器阵列进行泵浦时,由于能量密度等因素,必须把泵浦光会聚到很小的面积上。而空心导光管作为一种良好的耦合器件,不仅能够实现匀光缩束的功能,还具有高效、简洁、可控制光斑形状等优点。在阐述了采用Duct进行半导体激光器阵列缩束整形的原理后,通过对Duct近似模型的分析,得到了Duct的优化结构参数,并通过光线追迹得到了Duct输出光斑的特性。 展开更多
关键词 半导体泵浦 激光器阵列 光束整形 耦合导光管
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半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀
20
作者 辛国锋 陈国鹰 +4 位作者 冯荣珠 花吉珍 安振峰 牛健 赵卫青 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1089-1092,共4页
研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程 ,其中HF(40 %) /CrO3 (33wt%)腐蚀液比较适合 ,用扫描电子显微镜 (SEM)对其腐蚀情况进行了分析 ,并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀的半导体激光器阵列隔离槽的图像 .通过调节HF/Cr... 研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程 ,其中HF(40 %) /CrO3 (33wt%)腐蚀液比较适合 ,用扫描电子显微镜 (SEM)对其腐蚀情况进行了分析 ,并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀的半导体激光器阵列隔离槽的图像 .通过调节HF/CrO3 腐蚀液的体积比 (从 0 0 2到 0 2 ) ,确定了AlxGa1-xAs组分渐变材料的腐蚀条件 (室温 2 3℃ ,腐蚀时间 4min)以及最佳配比 (体积比为 0 1) .利用这种腐蚀液得到的腐蚀图形可以满足激光器阵列的要求 . 展开更多
关键词 化学湿法腐蚀 半导体激光器阵列 扫描电子显微镜
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