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活性金属钎焊陶瓷基板散热性能仿真研究
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作者 陆敏菲 吴俊 朱凯 《印制电路信息》 2024年第S01期111-117,共7页
近年来,随着电动汽车的快速发展,作为“新三大件”之一的电驱模块中的功率模块的散热和可靠性问题成为了行业研究热点。活性金属钎焊(Active Metal Brazing,AMB)陶瓷基板由于可以实现无氧铜在高热导率的氮化物陶瓷上的可靠附着,表现出... 近年来,随着电动汽车的快速发展,作为“新三大件”之一的电驱模块中的功率模块的散热和可靠性问题成为了行业研究热点。活性金属钎焊(Active Metal Brazing,AMB)陶瓷基板由于可以实现无氧铜在高热导率的氮化物陶瓷上的可靠附着,表现出优良的冷热循环性能,因此正成为高性能车规功率模块中的关键材料之一。本文采用有限元分析的方法,首先研究了无氧铜层、氮化硅陶瓷、AgCuTi钎焊层厚度对AMB陶瓷基板散热性能及可靠性的影响,也研究了纯Ti钎焊料对AMB陶瓷基板散热性能的影响。研究表明,增加无氧铜厚度能最有效的降低芯片的工作温度,并应当避免陶瓷和无氧铜厚度接近的设计,当铜层厚度从0.05 mm增加到0.3 mm,芯片温度从209.37℃降低至150.88℃。研究也发现了增加AgCuTi焊料层厚度可以提高陶瓷基板的散热性能,但使用纯Ti焊料对陶瓷基板散热性能是不利的。 展开更多
关键词 活性金属钎焊 陶瓷基板 有限元仿真 散热
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大尺寸AlN活性金属焊接覆铜基板的界面结合机理 被引量:1
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作者 许海仙 曾祥勇 +3 位作者 朱家旭 周泽安 张振文 汤文明 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第5期573-577,584,共6页
基于190 mm×139 mm×0.635 mm的大尺寸AlN表面活性金属钎焊(AMB)覆铜板工艺制程,开展其界面显微组织、物相组成等的研究,确定钎焊界面结合机理,为制备大尺寸、低气孔、高剥离强度AlN-AMB覆铜板提供支持。结果表明,在大尺寸AlN-... 基于190 mm×139 mm×0.635 mm的大尺寸AlN表面活性金属钎焊(AMB)覆铜板工艺制程,开展其界面显微组织、物相组成等的研究,确定钎焊界面结合机理,为制备大尺寸、低气孔、高剥离强度AlN-AMB覆铜板提供支持。结果表明,在大尺寸AlN-AMB覆铜板钎焊过程中,Ag-Cu-Ti合金钎料中的Ag-Cu合金与Cu箔扩散溶合,形成强的冶金结合界面。同时,钎料中的活性Ti原子向AlN基板表面扩散,并与其反应,生成厚度为0.5~1μm的TiN反应层,形成强的反应结合界面。此外,钎料熔体难以填充基板的AlN晶界和凹坑,其中的Ti原子也不与Y-Al-O第二相颗粒反应,导致AlN基板表面TiN反应层不连续分布,形成气孔,降低大尺寸AlN-AMB覆铜板的界面结合强度及可靠性。 展开更多
关键词 氮化铝基板 活性金属钎焊 显微结构 相组成 AG-CU-TI钎料
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Cu-Ti复合焊料钎焊Si_(3)N_(4)陶瓷/Cu的显微结构和力学性能研究
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作者 杜仲杰 李丹 +1 位作者 张雨欣 肖勇 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2024年第3期566-574,共9页
本研究采用Cu-Ti复合焊料在不同温度和保温时间钎焊了Si_(3)N_(4)/Cu接头,研究了不同钎焊参数对接头显微组织和力学性能的影响。实验结果表明,接头的相组成主要是TiN、Ti_(5)Si_(3)和Cu-Ti化合物。在较低温度(890℃)下,Ti_(5)Si_(3)率... 本研究采用Cu-Ti复合焊料在不同温度和保温时间钎焊了Si_(3)N_(4)/Cu接头,研究了不同钎焊参数对接头显微组织和力学性能的影响。实验结果表明,接头的相组成主要是TiN、Ti_(5)Si_(3)和Cu-Ti化合物。在较低温度(890℃)下,Ti_(5)Si_(3)率先生长,较少的Ti扩散到了Cu里生成Cu_(3)Ti;当延长保温时间或提升钎焊温度(920℃)时,TiN在界面处沉积成薄层,Cu_(3)Ti也转变成了CuTi,同时,Ti_(5)Si_(3)在Cu里也有一定的扩散;当钎焊温度过高(950℃)时,Ti和Si_(3)N_(4)的反应程度较大,Cu-Ti化合物作为反应的中间相被消耗,剥离强度随着温度的升高呈现先升高后下降的趋势。在920℃钎焊60 min的接头中,TiN逐渐剥离出薄层,进一步优化界面组织,接头剥离强度最高,达到16.69 N·mm^(-1)。 展开更多
关键词 活性金属钎焊 氮化硅 铜钛焊料 陶瓷覆铜板 AMB
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SiC基材料自身及其与金属的连接 被引量:14
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作者 李树杰 张利 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期91-97,共7页
iC及SiC基复合材料作为先进高温结构陶瓷材料的典型代表 ,具有广阔的航空航天应用前景 ,研究SiC及SiC基复合材料的连接以及这些材料与金属的连接问题不仅具有重要的科学意义 ,而且具有极大的工程应用价值。本文综述了有关SiC及SiC基复... iC及SiC基复合材料作为先进高温结构陶瓷材料的典型代表 ,具有广阔的航空航天应用前景 ,研究SiC及SiC基复合材料的连接以及这些材料与金属的连接问题不仅具有重要的科学意义 ,而且具有极大的工程应用价值。本文综述了有关SiC及SiC基复合材料自身连接及其与金属连接的基本问题———陶瓷与金属连接的热错配应力、陶瓷与金属的润湿行为及陶瓷与金属接头界面问题 ,并介绍了几种主要的连接工艺———固相压力扩散焊、活性金属钎焊、局部过渡液相连接法、反应成形法、自蔓延高温合成焊接法及热压反应烧结连接法。 展开更多
关键词 复合材料 高温结构陶瓷 连接技术 固相压力扩散焊 活性金属钎焊 局部过渡液相连接法 反应成形法 自蔓延高温合成
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Si_3N_4陶瓷与金属的连接技术 被引量:5
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作者 翟建广 邹家生 《华东船舶工业学院学报》 2004年第2期65-70,共6页
Si_3N_4陶瓷与金属连接技术目前正处于基础性研究和实验室研究阶段,本文概述了近年来有关Si_3N_4陶瓷与金属连接的几种方法、原理及其工艺特点,包括活性金属钎焊法、玻璃相连接剂连接、固相扩散连接和部分瞬间液相连接等方法。
关键词 SI3N4陶瓷 金属 连接技术 活性金属钎焊 玻璃相连接剂连接 固相扩散连接 部分瞬间液相连接
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Ag-Cu-Ti系合金钎焊陶瓷覆铜基板界面结合强度研究进展 被引量:8
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作者 曾祥勇 许海仙 +4 位作者 朱家旭 张浩 崔嵩 李京伟 汤文明 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2022年第4期539-550,共12页
基板材料散热能力在很大程度上决定了电子器件的可靠性和寿命。陶瓷覆铜基板兼具优良的导热和绝缘性能,以及大电流承载能力和机械强度,成为大功率电子器件基板材料的不二选择,应用极其广泛。作为一种陶瓷与Cu箔结合的重要方法,活性金属... 基板材料散热能力在很大程度上决定了电子器件的可靠性和寿命。陶瓷覆铜基板兼具优良的导热和绝缘性能,以及大电流承载能力和机械强度,成为大功率电子器件基板材料的不二选择,应用极其广泛。作为一种陶瓷与Cu箔结合的重要方法,活性金属钎焊(AMB)的可靠性优于直接覆铜板(DBC),但其界面结合强度受脆性相、残余热应力等因素的影响很大,有进一步提高的必要。介绍了AMB中的界面润湿、反应和残余应力问题;综述了目前国内外在提高AMB基板界面结合强度方面的研究进展,并进行了简要评述;最后,对该研究今后的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 活性金属钎焊 陶瓷基板 结合强度 润湿性 残余应力 循环寿命
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陶瓷金属化工艺探究
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作者 国运之 《中国粉体工业》 2023年第5期21-22,28,共3页
陶瓷-金属封接工艺是将陶瓷材料与金属材料结合起来,在性能上可以形成优势互补,从而延伸、拓展各自的应用领域。陶瓷金属化的好坏直接影响到最终陶瓷-金属封接的气密性和强度等,是陶瓷-金属封接工艺中最重要的一环。本文对陶瓷金属化的... 陶瓷-金属封接工艺是将陶瓷材料与金属材料结合起来,在性能上可以形成优势互补,从而延伸、拓展各自的应用领域。陶瓷金属化的好坏直接影响到最终陶瓷-金属封接的气密性和强度等,是陶瓷-金属封接工艺中最重要的一环。本文对陶瓷金属化的几种技术方法进行了详细介绍。 展开更多
关键词 陶瓷金属 直接覆铜法 Mo-Mn法 活性金属钎焊
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AlN基板表面状态对AlN-AMB覆铜板剥离强度影响机理的研究
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作者 许海仙 曾祥勇 +3 位作者 朱家旭 耿春磊 詹俊 汤文明 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第8期988-993,共6页
为了探究AlN基板表面状态对AlN-AMB覆铜板剥离强度影响的机理,对研磨型和即烧型两类AlN基板表面的微观形貌及其制备的AlN-AMB覆铜板界面反应层、断面和断层微观显微结构进行分析。结果表明,即烧型AlN基板表面平整、致密,其制备的AlN-AM... 为了探究AlN基板表面状态对AlN-AMB覆铜板剥离强度影响的机理,对研磨型和即烧型两类AlN基板表面的微观形貌及其制备的AlN-AMB覆铜板界面反应层、断面和断层微观显微结构进行分析。结果表明,即烧型AlN基板表面平整、致密,其制备的AlN-AMB覆铜板界面反应层平整、致密,铜与AlN基板剥离的断层位于基体内部,Cu发生明显塑性变形,剥离强度高达19.053 N/mm。而研磨型AlN基板表面存在微裂纹和碎晶粒,由其制备的AlN-AMB覆铜板界面反应层凹凸不平,且不连续,钎料渗入AlN基板亚表层的微裂纹中,易于诱发应力集中,铜与AlN基板剥离的断层位于AlN基体的亚表层,Cu塑性变形小,剥离强度只有5.789 N/mm。 展开更多
关键词 氮化铝基板 AlN-AMB 活性金属钎焊 显微组织 剥离强度
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研磨型AlN基板表面腐蚀对AlN-AMB覆铜板剥离强度的影响 被引量:2
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作者 许海仙 曾祥勇 +2 位作者 王吕华 朱家旭 汤文明 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期246-251,共6页
为了解决研磨型氮化铝(AlN)基板制备的氮化铝活性金属钎焊(AlN-AMB)覆铜板剥离强度低的问题,采用浓度为0.25 mol/L的NaOH水溶液,在50℃条件下,对研磨型AlN基板表面进行腐蚀,开展腐蚀前后AlN基板表面微观形貌及AlN-AMB覆铜板界面剥离强... 为了解决研磨型氮化铝(AlN)基板制备的氮化铝活性金属钎焊(AlN-AMB)覆铜板剥离强度低的问题,采用浓度为0.25 mol/L的NaOH水溶液,在50℃条件下,对研磨型AlN基板表面进行腐蚀,开展腐蚀前后AlN基板表面微观形貌及AlN-AMB覆铜板界面剥离强度等的对比探究。结果表明,研磨型AlN基板表面存在大量破碎晶粒和微裂纹,所制备的AlN-AMB覆铜板气孔率较高,界面剥离强度只有5.787 N/mm。腐蚀可有效去除其表面破碎晶粒和微裂纹,提升AlN基板表面致密度和一致性。采用35 min腐蚀AlN基板制备的AlN-AMB覆铜板气孔率大幅降低,剥离强度提升至10.632 N/mm,相比处理前提升了83.7%。 展开更多
关键词 氮化铝基板 活性金属钎焊(AMB) 腐蚀 显微组织结构 剥离强度
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真空开关管陶瓷金属非匹配性一步封接 被引量:2
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作者 韩忠德 《真空电子技术》 2004年第4期32-34,共3页
简要介绍了活性合金焊料箔直接封接陶瓷 金属的基本特点及用于真空开关管陶瓷 金属非匹配性一步封接所获得的较好预期结果。
关键词 活性钎焊合金 陶瓷-金属活性钎焊 陶瓷-金属-步封接 真空开关管
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非氧化物陶瓷连接技术的进展 被引量:24
11
作者 张建军 李树杰 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期102-107,共6页
非氧化物陶瓷作为高温结构材料其应用前景非常广阔 ,但非氧化物陶瓷自身及其与金属的连接问题制约了它的工程使用 .与氧化物陶瓷连接相比 ,非氧化物陶瓷的连接目前基本上处于基础性研究和实验室研究阶段 .本文概述了近些年用于非氧化物... 非氧化物陶瓷作为高温结构材料其应用前景非常广阔 ,但非氧化物陶瓷自身及其与金属的连接问题制约了它的工程使用 .与氧化物陶瓷连接相比 ,非氧化物陶瓷的连接目前基本上处于基础性研究和实验室研究阶段 .本文概述了近些年用于非氧化物陶瓷连接的几种方法及其工艺特点 ,其中包括 :活性金属钎焊法、热压扩散连接法、过渡液相连接法、反应成形连接法、自蔓延高温合成 (SHS)焊接法、热压反应烧结连接法和直接敷铜 (DBC) 展开更多
关键词 陶瓷连接 陶瓷 金属连接 非氧化物陶瓷 活性金属钎焊 热压扩散连接法 过渡液相连接法
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氮化硅陶瓷覆铜基板制备及可靠性评估 被引量:5
12
作者 余晓初 张辉 +4 位作者 陆聪 王晓刚 刘国友 刘学建 黄政仁 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2020年第5期1614-1619,共6页
氮化硅陶瓷覆铜基板优异的高可靠性使其成为高铁、电动汽车等领域功率模块最有前途的基板材料之一,目前只有日本厂商具备量产能力,国内进口困难,阻碍了相关产业的发展。采用气压烧结实现了高性能氮化硅陶瓷基板的制备,并通过活性金属钎... 氮化硅陶瓷覆铜基板优异的高可靠性使其成为高铁、电动汽车等领域功率模块最有前途的基板材料之一,目前只有日本厂商具备量产能力,国内进口困难,阻碍了相关产业的发展。采用气压烧结实现了高性能氮化硅陶瓷基板的制备,并通过活性金属钎焊工艺获得了氮化硅陶瓷覆铜基板。氮化硅陶瓷的弯曲强度800 MPa,断裂韧性8.0 MPa·m1/2,热导率90 W/(m·K),交流击穿强度40 kV/mm和体积电阻率3.7×1014Ω·cm;氮化硅陶瓷覆铜基板的剥离强度达到130 N/cm。在-45~150℃高低温循环冲击下,氮化硅陶瓷覆铜基板的冲击次数分别达到氮化铝和氧化铝覆铜基板的10倍和100倍;在铜厚0.32 mm/0.25 mm冲击次数达5000次和铜厚0.5 mm/0.5 mm冲击次数达1000次的情况下,样品均完好无损;在铜厚0.8 mm/0.8 mm冲击次数达500次时,样品仍未产生微裂纹等缺陷,这与铜厚0.32 mm/0.25 mm时氮化铝覆铜基板的循环次数相当;氮化硅陶瓷覆铜基板的可靠性明显优于现有产品。 展开更多
关键词 氮化硅陶瓷 覆铜基板 活性金属钎焊 可靠性 功率器件
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高导热氮化硅覆铜板在功率器件中的应用可靠性 被引量:5
13
作者 杨春燕 李留辉 +1 位作者 郝沄 袁海 《电子工艺技术》 2022年第1期18-21,共4页
采用活性金属钎焊技术制备Cu/Si_(3)N_(4)/Cu陶瓷覆铜板,在-65~150℃温度条件下经历500次温度循环后,基板无裂纹、翘起、起皮等缺陷。对基板进行微电子组装和可靠性试验,基板与芯片的焊接浸润性较好,焊接强度及长期可靠性满足标准要求... 采用活性金属钎焊技术制备Cu/Si_(3)N_(4)/Cu陶瓷覆铜板,在-65~150℃温度条件下经历500次温度循环后,基板无裂纹、翘起、起皮等缺陷。对基板进行微电子组装和可靠性试验,基板与芯片的焊接浸润性较好,焊接强度及长期可靠性满足标准要求。基板粘接元器件后无渗胶现象,且环境组考核合格。在基板上键合4种常用规格的铝丝,键合后和N_(2)环境中热存试验后的键合强度均符合标准要求。研究结果表明,高导热氮化硅覆铜板满足功率器件的高可靠性应用需求。 展开更多
关键词 陶瓷基板 氮化硅 活性金属钎焊 高可靠
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IGBT用氮化铝覆铜衬板可靠性研究 被引量:5
14
作者 钱建波 黄世东 《大功率变流技术》 2017年第5期55-59,69,共6页
随着功率半导体器件特别是高压、大电流IGBT模块的快速发展和广泛应用,对封装材料中的陶瓷衬板提出了更高的要求,其中可靠性是其设计中最为关键的指标之一。活性金属钎焊工艺(AMB)制备的Al N陶瓷覆铜衬板因可靠性高而成为高压大功率IGB... 随着功率半导体器件特别是高压、大电流IGBT模块的快速发展和广泛应用,对封装材料中的陶瓷衬板提出了更高的要求,其中可靠性是其设计中最为关键的指标之一。活性金属钎焊工艺(AMB)制备的Al N陶瓷覆铜衬板因可靠性高而成为高压大功率IGBT模块封装中陶瓷衬板的首选。文章对比了AMB工艺和DBC工艺制备的Al N陶瓷覆铜衬板的剥离强度和热冲击性能,并提出了控制Ti N层厚度、增加铜箔边缘小孔深度和增加铜箔侧蚀量3种方法来提升AMB工艺制备的Al N覆铜衬板的可靠性。结果表明,可靠性提升后的Al N覆铜衬板耐热冲击可达到1 300次、剥离强度达到18 N/mm、空洞率达到0,性能优于国外产品,满足高压大功率IGBT模块封装技术要求。 展开更多
关键词 IGBT模块 A1N覆铜衬板 活性金属钎焊 可靠性
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机器视觉在AMB丝印机中的应用 被引量:1
15
作者 孙文涛 郝鹏飞 王瑞鹏 《电子工业专用设备》 2023年第5期50-54,85,共6页
丝印机是AMB工艺中的核心设备,在多道工序中均有应用,视觉对位精度直接影响印刷精度。通过分析不同印刷工序中各陶瓷基板的材质及表面情况,兼顾网版寿命与产品质量,设计了一种视觉对位系统,在单机设备上兼容实现了不同产品边角定位或Mar... 丝印机是AMB工艺中的核心设备,在多道工序中均有应用,视觉对位精度直接影响印刷精度。通过分析不同印刷工序中各陶瓷基板的材质及表面情况,兼顾网版寿命与产品质量,设计了一种视觉对位系统,在单机设备上兼容实现了不同产品边角定位或Mark点定位的需求。 展开更多
关键词 活性金属钎焊 丝网印刷 机器视觉 陶瓷基板
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