氟化钴具有良好的库伦效率、理论比容量、循环稳定性以及容量保持能力,表现出较好的电化学性能,在化学储能领域引起了研究人员的关注。以六水氯化钴为钴源、氟化铵为氟源,采用一步溶剂热法在活性碳布表面负载氟化钴晶体纳米片阵列,用TEM...氟化钴具有良好的库伦效率、理论比容量、循环稳定性以及容量保持能力,表现出较好的电化学性能,在化学储能领域引起了研究人员的关注。以六水氯化钴为钴源、氟化铵为氟源,采用一步溶剂热法在活性碳布表面负载氟化钴晶体纳米片阵列,用TEM、SEM和XRD考察了氟化钴的微观形貌结构和物相组成,利用电化学工作站得到了氟化钴的电化学循环稳定、比电容等性能。结果表明:该纳米片厚10~30 nm,垂直生长在碳布纤维表面呈交错网络状分布;在1 m A/cm^(2)的电流密度下,复合电极的比电容为826.6 F/g,循环充放电1000次后,比容量保持率为93.7%。本研究为氟化物基复合材料的短路径合成提供了一种可行方案,在碳布表面阵列式生长氟化物晶体,构筑全电化学活性的无粘结剂型复合电极,为优化氟化物的电化学性能提供了一种新的研究思路。展开更多
文摘氟化钴具有良好的库伦效率、理论比容量、循环稳定性以及容量保持能力,表现出较好的电化学性能,在化学储能领域引起了研究人员的关注。以六水氯化钴为钴源、氟化铵为氟源,采用一步溶剂热法在活性碳布表面负载氟化钴晶体纳米片阵列,用TEM、SEM和XRD考察了氟化钴的微观形貌结构和物相组成,利用电化学工作站得到了氟化钴的电化学循环稳定、比电容等性能。结果表明:该纳米片厚10~30 nm,垂直生长在碳布纤维表面呈交错网络状分布;在1 m A/cm^(2)的电流密度下,复合电极的比电容为826.6 F/g,循环充放电1000次后,比容量保持率为93.7%。本研究为氟化物基复合材料的短路径合成提供了一种可行方案,在碳布表面阵列式生长氟化物晶体,构筑全电化学活性的无粘结剂型复合电极,为优化氟化物的电化学性能提供了一种新的研究思路。
