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PTC半导瓷用欧姆接触电极的研究 被引量：5
1
作者 何晓明 刘胜利 +1 位作者 张绍彬 祝炳和 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第5期407-411,共5页
制备了六种含不同玻璃的铝电极浆料，研究了这些玻璃料对接触电阻的影响。结果表明，含ＮＯ．２玻璃料的烧渗铝电极试样显现出低的接触电阻和良好的抗老化特性。
关键词 PTC陶瓷 欧姆接触电极 铝浆料 半导瓷
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PTCR欧姆接触电极制备方法现状 被引量：3
2
作者 郝永德 熊炫 +1 位作者 钟海波 周东祥 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2004年第12期8-10,共3页
从半导瓷和金属电极的欧姆接触理论出发 ,详细的叙述了PTCR欧姆接触电极的各种主要制备方法。通过对这些方法的优缺点的分析 ,指出磁控溅射法由于具有制备工艺简单、无工业污染、电极成本低廉、膜层致密均匀、附着力强等优点 ,将在PTCR... 从半导瓷和金属电极的欧姆接触理论出发 ,详细的叙述了PTCR欧姆接触电极的各种主要制备方法。通过对这些方法的优缺点的分析 ,指出磁控溅射法由于具有制备工艺简单、无工业污染、电极成本低廉、膜层致密均匀、附着力强等优点 ,将在PTCR欧姆接触电极的制备工艺中占据重要地位 。 展开更多
关键词 PTCR 欧姆接触电极 磁控溅射
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多晶硅接触薄发射极欧姆接触电极的研究
3
作者 徐静平 余岳辉 +1 位作者 彭昭廉 陈涛 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1995年第8期11-14,共4页
提出了制备新型多晶硅接触薄发射极晶闸管薄发射极欧姆电极的新结构──Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｏｌｙｓｉ。结构。通过实验研究和对Ａｌ－Ｔｉ－Ｓｉ系统反应动力学的分析，解决了此结构的关键问题──Ｔｉ层厚度的确定方法及其制备工艺条件；... 提出了制备新型多晶硅接触薄发射极晶闸管薄发射极欧姆电极的新结构──Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｏｌｙｓｉ。结构。通过实验研究和对Ａｌ－Ｔｉ－Ｓｉ系统反应动力学的分析，解决了此结构的关键问题──Ｔｉ层厚度的确定方法及其制备工艺条件；对此结构的有效性和质量，即浅结的完整性以及欧姆接触电阻的大小进行了实验检查。采用此结构，已成功地制备出低损耗、快速薄发射极晶闸管管芯样品。 展开更多
关键词 欧姆接触电极 薄发射极 多晶硅 晶闸管
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2.5G DFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究
4
作者 李秉臣 彭晔 朱洪亮 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期289-292,共4页
对2.5GDFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究，在退火温度400℃，退火时间30s进行快速热退火条件下，对AuPtTiInAsp＋－InGaAs(掺Zn>1×1019cm－3)MQWnInP和AuPtTip＋－InGaAs(掺Zn>1×101... 对2.5GDFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究，在退火温度400℃，退火时间30s进行快速热退火条件下，对AuPtTiInAsp＋－InGaAs(掺Zn>1×1019cm－3)MQWnInP和AuPtTip＋－InGaAs(掺Zn>1×1019cm－3)MQWnInP两种结构进行了p型欧姆接触试验研究，并对两者串联电阻进行了比较，其结果前者的串联电阻阻值为后者的1/4。 展开更多
关键词 能带工程 串联电阻 量子阱激光器 欧姆接触电极
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丝网印刷欧姆接触电极浆料的研制 被引量：1
5
作者 朱莉华 《声学与电子工程》 1999年第2期40-42,共3页
采用分子银粉与强还原性贱金属铝粉和锌粉按一定比例组合,选择适当的有机载体,并加入硼酸铅和氧化铋作为烧结助熔剂,三乙醇胺作为表面活性剂,制成了一种用丝网印刷法形成欧姆电极所用的浆科。
关键词 电极浆料 欧姆接触电极 丝网印刷
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欧姆接触锌电极的研制 被引量：4
6
作者 罗小巧 邓传益 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期74-75,共2页
对贱金属锌浆料进行了实验研究。材料配方的选择和工艺的优化是实验的关键。研制出的锌浆料可在大气中烧结在PTCR等半导瓷上构成电极。该贱金属铸电极能牢固地附着于陶瓷体上并具有优良的欧姆接触性能。
关键词 PTCR 半导瓷 敏感元件 欧姆接触电极 锌电极
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n-GaN上Au/Zr和Au/Ti金属电极的界面反应和金属间互扩散行为对比研究 被引量：1
7
作者 张可欣 李庚伟 +1 位作者 杨少延 魏洁 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第21期120-125,共6页
电极接触是制作半导体器件中非常重要的问题。金属电极与半导体形成的欧姆接触是器件高效率、低功耗服务的保障,直接影响了器件性能的优劣。前人关于欧姆接触的研究主要集中在金属电极体系和处理条件的选择,寻求比接触电阻率最低的方案... 电极接触是制作半导体器件中非常重要的问题。金属电极与半导体形成的欧姆接触是器件高效率、低功耗服务的保障,直接影响了器件性能的优劣。前人关于欧姆接触的研究主要集中在金属电极体系和处理条件的选择,寻求比接触电阻率最低的方案。而本工作突破桎梏,从欧姆接触的形成机制出发讨论金属欧姆接触的可行性,研究了低温(650℃)退火60 s和高温(850℃)退火30 s条件下,Au(300 nm)/Zr(30 nm)/n-GaN和Au(300 nm)/Ti(30 nm)/n-GaN结构的接触机理。采用紫外光刻法定义圆点型传输线模型,并且利用磁控溅射设备在GaN上制备金属电极样品,分析了电极样品的互扩散行为及界面反应情况。研究结果表明:与Au/Ti/n-GaN相比,Au/Zr/n-GaN样品受温度影响小,界面固相反应生成的Zr-N化合物热稳定性更优异,可以帮助器件在高温高压下更加稳定地工作;Zr与氮化镓接触时产生的Ga合金相更少,有利于器件利用隧道机制传输载流子;Au/Zr/n-GaN样品具有更小的界面孔隙,与氮化镓的界面反应适中;Au/Zr/n-GaN样品具有更平整的表面,适合大功率高电流工作。此外,根据本工作的对比研究可以得出:金属的制备与提纯、阻挡层金属的添加、制作金属电极的方法、势垒层金属的稳定性、金属与氮化镓的界面反应程度以及电极的表面粗糙度都会影响器件性能。Zr替代Ti作为n型GaN欧姆接触电极可以实现器件更高的性能要求,是一种具有广阔应用前景的金属材料,对于GaN器件的研发和改善有很大帮助。 展开更多
关键词 N型GAN Au/Zr欧姆接触电极 互扩散行为 界面反应
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电极对PTCR热敏电阻常温断续负荷的影响
8
作者 关旭迎 周东祥 +1 位作者 姜胜林 龚树萍 《现代技术陶瓷》 CAS 2000年第4期3-5,共3页
本文研究了在彩电消磁用PTCR热敏电阻分别烧渗Ag-Zn电极和Al电极,研究了两种电极对PTCR元件常温断续负荷的影响,分析了失效机理,根据结果我们选取合适的电极作为实际生产中的电极。
关键词 PTCR元件 欧姆接触电极 热敏电阻 铝电极 银锌电极 负荷
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InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ) 被引量：1
9
作者 齐志华 李献杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期821-827,共7页
关键词 GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管 技术发展现状 欧姆接触电极 INGAAS 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺
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Si衬底AlGaN／GaN功率开关场效应晶体管研制
10
作者 姚尧 贺致远 +1 位作者 李佳林 刘扬 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2012年第12期87-89,共3页
研究了Si衬底AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)器件尺寸参数,包括源(漏)极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响。基于此,在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40 mm的原型AlGaN/GaN HFETs,其输出电流约为20 A,导通电阻为... 研究了Si衬底AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)器件尺寸参数,包括源(漏)极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响。基于此,在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40 mm的原型AlGaN/GaN HFETs,其输出电流约为20 A,导通电阻为0.4Ω(比导通电阻8.29 mΩ·cm^2)。 展开更多
关键词 场效应晶体管 功率开关 栅宽 欧姆接触电极厚度
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