第三代电流传输器CCⅢ(The Third Generation Current Conveyor)的基本模型由于采用基本电流镜,使得电路的DC和AC性能偏低。本文采用不同于原电路的电流镜结构,应用共源共栅电流镜和改进共源共栅电流镜(改进共源共栅电流镜具有较大的输...第三代电流传输器CCⅢ(The Third Generation Current Conveyor)的基本模型由于采用基本电流镜,使得电路的DC和AC性能偏低。本文采用不同于原电路的电流镜结构,应用共源共栅电流镜和改进共源共栅电流镜(改进共源共栅电流镜具有较大的输出阻抗)提出了一种高性能电流传输器电路结构。展开更多
介绍了一种纳米MOSFET(场效应管)栅电流和电容的统一模型,该模型基于Schr d inger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET。运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流,并进行了分析...介绍了一种纳米MOSFET(场效应管)栅电流和电容的统一模型,该模型基于Schr d inger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET。运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流,并进行了分析比较。模拟得出栅极电流和电容与实验结果符合。展开更多
文摘研究了最大栅电流应力 (即 p MOSFET最坏退化情况 )下 p MOSFET栅电流的退化特性 .实验发现 ,在最大栅电流应力下 ,p MOSFET栅电流随应力时间会发生很大下降 ,而且在应力初期和应力末期栅电流的下降规律均会偏离公认的指数规律 .给出了所有这些现象的详细物理解释 ,并在此基础上提出了一种新的用于 p
文摘第三代电流传输器CCⅢ(The Third Generation Current Conveyor)的基本模型由于采用基本电流镜,使得电路的DC和AC性能偏低。本文采用不同于原电路的电流镜结构,应用共源共栅电流镜和改进共源共栅电流镜(改进共源共栅电流镜具有较大的输出阻抗)提出了一种高性能电流传输器电路结构。
文摘介绍了一种纳米MOSFET(场效应管)栅电流和电容的统一模型,该模型基于Schr d inger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET。运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流,并进行了分析比较。模拟得出栅极电流和电容与实验结果符合。
