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题名高介电常数栅极电介质材料的研究进展
被引量：4
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作者
张化福
祁康成
吴健
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机构
电子科技大学光电信息学院
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期37-39,51,共4页
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基金
电子科技大学青年基金(基金编号 YF020503)
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文摘
随着半导体技术的飞速发展,作为硅基集成电路核心器件的 MOSFET 的特征尺寸正以摩尔定律的速度缩小。然而,当传统栅介质层 SiO_2的厚度减小到原子尺寸时,由于量子隧穿效应的影响,SiO_2将失去介电性能,致使器件无法正常工作。因此,必须寻找新的高介电常数材料来替代它。目前,高介电常数材料是微电子行业最热门的研究课题之一。主要介绍了栅介质层厚度减小所带来的问题(即研究高介电常数材料的必要性)、新型栅电介质材料的性能要求,并简要介绍和评述了近期主要高介电常数栅介质材料的研究状况及其应用前景。
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关键词
栅介质
栅极
高介电常数材料
特征尺寸
栅电介质材料
MOSFET
集成电路
正常
研究进展
层厚
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Keywords
high dielectric constant
gate dielectric
equivalent oxide thickness
annealing
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分类号
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名应用于MOS场效应管的栅电介质材料氮铝酸锆薄膜
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出处
《科技开发动态》
2004年第5期52-52,共1页
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关键词
MOS场效应管
栅电介质材料
氮铝酸锆薄膜
氧化锆
半导体
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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题名高介电系数栅电介质材料铝酸铪薄膜
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出处
《科技开发动态》
2004年第5期52-52,共1页
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关键词
介电系数
栅电介质材料
铝酸铪薄膜
热力学稳定性
脉冲激光沉积技术
场效应管
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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