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题名具有多晶阻挡层的浮空P区IGBT开关特性研究
被引量：1
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作者
肖蝶
冯全源
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机构
西南交通大学微电子研究所
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出处
《电子元件与材料》
CAS
北大核心
2024年第1期67-72,共6页
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基金
国家自然科学基金(62090012)
四川省重点研发项目(2023YFG0004)。
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文摘
为了减少浮空P区IGBT结构的栅极空穴积累,改善结构的电磁干扰(EMI)噪声问题,从而提高结构电磁干扰噪声与开启损耗(Eon)之间的折中关系,研究提出了一种具有多晶硅阻挡层的FD-IGBT结构。新结构在传统结构的浮空P区上方引入一块多晶硅阻挡层,阻挡层接栅极,形成与N型漂移区的电势差。新结构在器件开启过程中,多晶硅阻挡层下方会积累空穴,导致栅极附近积累的空穴数量减少,从而降低浮空P区对栅极的反向充电电流。通过TCAD软件仿真结果表明,相比于传统FD-IGBT,新结构开启瞬态的过冲电流(I_(CE))和过冲电压(V_(GE))的峰值分别下降26.5%和8.6%,且在栅极电阻(R_(g))增加时有更好的电流电压可控性;相同开启损耗下,新结构的dI_(CE)/dt、dV_(CE)/dt和dV_(KA)/dt最大值分别降低26.5%,15.1%和26.1%。
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关键词
电磁干扰噪声
开启损耗
浮空P区
多晶硅阻挡层
栅极反向充电电流
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Keywords
electromagnetic interference noise
turn-on energy losses
floating P-base
poly barrier layer
gate reverse charge current
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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