SiC MOSFET在车载逆变、充电设备上应用前景广阔,随着国家能源战略的转型升级,其市场规模有望进一步扩展。栅氧可靠性是SiC MOSFET最受关注的问题之一,但传统试验方法在应用于新产品时面临有效性低、时效性差的问题,本文讨论了3种可用...SiC MOSFET在车载逆变、充电设备上应用前景广阔,随着国家能源战略的转型升级,其市场规模有望进一步扩展。栅氧可靠性是SiC MOSFET最受关注的问题之一,但传统试验方法在应用于新产品时面临有效性低、时效性差的问题,本文讨论了3种可用于栅氧可靠性快速评估的试验方法,总结了不同方法的试验原理、典型试验现象,讨论了各方法的适用性,介绍了包括阈值电压、栅极漏电流的特征参数退化现象和提取方法。展开更多
SiC MOSFET可以提升电力电子器件的功率密度,在特高压直流输电、电动汽车等领域有较好的应用前景,但其特性参数的分散性会影响器件的长期稳定运行。对SiC MOSFET进行了168 h的高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验。结果表明,试验前后器...SiC MOSFET可以提升电力电子器件的功率密度,在特高压直流输电、电动汽车等领域有较好的应用前景,但其特性参数的分散性会影响器件的长期稳定运行。对SiC MOSFET进行了168 h的高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验。结果表明,试验前后器件的阈值电压和跨导变化较大,而导通电阻和极间电容变化较小。通过拟合分析得到试验前后器件导通电阻、阈值电压和跨导的变化率与各参数数值之间的拟合曲线。最后基于测试结果,提出了一种针对1200 V/20 A SiC MOSFET的筛选方法,以降低器件在高温可靠性试验前后的参数变化率,从而提升器件在长期高温环境中的可靠性。展开更多
文摘SiC MOSFET可以提升电力电子器件的功率密度,在特高压直流输电、电动汽车等领域有较好的应用前景,但其特性参数的分散性会影响器件的长期稳定运行。对SiC MOSFET进行了168 h的高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验。结果表明,试验前后器件的阈值电压和跨导变化较大,而导通电阻和极间电容变化较小。通过拟合分析得到试验前后器件导通电阻、阈值电压和跨导的变化率与各参数数值之间的拟合曲线。最后基于测试结果,提出了一种针对1200 V/20 A SiC MOSFET的筛选方法,以降低器件在高温可靠性试验前后的参数变化率,从而提升器件在长期高温环境中的可靠性。
