应用电子背散射衍射(EBSD)和取向成像显微技术(OIM)研究了材料初始状态、冷轧压下量和1100℃退火对690合金晶界特征分布(GBCD)的影响。低层错能面心立方金属镍基690合金,冷轧5%后在1100℃退火5min可使低ΣCSL(coincidence site lattice...应用电子背散射衍射(EBSD)和取向成像显微技术(OIM)研究了材料初始状态、冷轧压下量和1100℃退火对690合金晶界特征分布(GBCD)的影响。低层错能面心立方金属镍基690合金,冷轧5%后在1100℃退火5min可使低ΣCSL(coincidence site lattice,Σ≤29)晶界比例提高到70%以上(Palumbo-Aust标准),同时形成大尺寸的晶粒团簇。低ΣCSL晶界比例和这种晶粒团簇的尺寸随冷轧压下量的增加而下降。初始状态的固溶或时效对690合金在1100℃再结晶退火后的晶界特征分布无明显影响。展开更多
研究晶界工程处理过程中的冷轧变形量和再结晶退火对白铜B10合金晶界特征分布的影响,采用电子背散射衍射(EBSD)技术表征分析晶界网络的变化。结果表明:白铜B10合金经冷轧7%后在800℃退火10 min可使低ΣCSL(Coincidence site lattice,Σ...研究晶界工程处理过程中的冷轧变形量和再结晶退火对白铜B10合金晶界特征分布的影响,采用电子背散射衍射(EBSD)技术表征分析晶界网络的变化。结果表明:白铜B10合金经冷轧7%后在800℃退火10 min可使低ΣCSL(Coincidence site lattice,Σ≤29)晶界比例提高到75%以上,同时形成尺寸较大的"互有Σ3n取向关系晶粒的团簇"显微组织。当变形量小于7%时,经800℃退火后没有完全再结晶;当变形量大于7%时,低ΣCSL晶界比例和平均晶粒团簇的尺寸随冷轧变形量的增加而下降。展开更多
运用扫描电子显微镜(SEM)、电子背散射衍射(EBSD)和取向成像显微技术(OIM)研究了690合金的晶界特征分布及晶界特征分布对晶间腐蚀性能的影响。低ΣCSL(coincidence site lattice,Σ≤29)晶界比例高(72.5%)时会出现大尺寸的晶粒团簇,团...运用扫描电子显微镜(SEM)、电子背散射衍射(EBSD)和取向成像显微技术(OIM)研究了690合金的晶界特征分布及晶界特征分布对晶间腐蚀性能的影响。低ΣCSL(coincidence site lattice,Σ≤29)晶界比例高(72.5%)时会出现大尺寸的晶粒团簇,团簇内部晶粒互有Σ3n取向差关系。当低ΣCSL晶界比例低(46.7%)时,这种晶粒团簇的大小和内含Σ3n晶界数量都降低。运用Palumbo-Aust标准统计晶界特征分布时,大尺寸的晶粒团簇之间的随机晶界的连通性几乎不会被打断;但运用Brandon标准统计时,这些随机晶界连通性明显被一些相对偏差较大的低ΣCSL晶界打断。低ΣCSL晶界比例高的样品比低ΣCSL晶界比例低的样品明显耐晶间腐蚀。展开更多
文摘应用电子背散射衍射(EBSD)和取向成像显微技术(OIM)研究了材料初始状态、冷轧压下量和1100℃退火对690合金晶界特征分布(GBCD)的影响。低层错能面心立方金属镍基690合金,冷轧5%后在1100℃退火5min可使低ΣCSL(coincidence site lattice,Σ≤29)晶界比例提高到70%以上(Palumbo-Aust标准),同时形成大尺寸的晶粒团簇。低ΣCSL晶界比例和这种晶粒团簇的尺寸随冷轧压下量的增加而下降。初始状态的固溶或时效对690合金在1100℃再结晶退火后的晶界特征分布无明显影响。
文摘研究晶界工程处理过程中的冷轧变形量和再结晶退火对白铜B10合金晶界特征分布的影响,采用电子背散射衍射(EBSD)技术表征分析晶界网络的变化。结果表明:白铜B10合金经冷轧7%后在800℃退火10 min可使低ΣCSL(Coincidence site lattice,Σ≤29)晶界比例提高到75%以上,同时形成尺寸较大的"互有Σ3n取向关系晶粒的团簇"显微组织。当变形量小于7%时,经800℃退火后没有完全再结晶;当变形量大于7%时,低ΣCSL晶界比例和平均晶粒团簇的尺寸随冷轧变形量的增加而下降。
文摘运用扫描电子显微镜(SEM)、电子背散射衍射(EBSD)和取向成像显微技术(OIM)研究了690合金的晶界特征分布及晶界特征分布对晶间腐蚀性能的影响。低ΣCSL(coincidence site lattice,Σ≤29)晶界比例高(72.5%)时会出现大尺寸的晶粒团簇,团簇内部晶粒互有Σ3n取向差关系。当低ΣCSL晶界比例低(46.7%)时,这种晶粒团簇的大小和内含Σ3n晶界数量都降低。运用Palumbo-Aust标准统计晶界特征分布时,大尺寸的晶粒团簇之间的随机晶界的连通性几乎不会被打断;但运用Brandon标准统计时,这些随机晶界连通性明显被一些相对偏差较大的低ΣCSL晶界打断。低ΣCSL晶界比例高的样品比低ΣCSL晶界比例低的样品明显耐晶间腐蚀。
