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分子束外延GaAs/Si(001)材料反相畴的湮灭机理 被引量：3
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作者 肖春阳 王俊 +10 位作者 李家琛 王海静 贾艳星 马博杰 刘倬良 明蕊 白一鸣 黄永清 任晓敏 罗帅 季海铭 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第23期33-38,共6页
从第一性原理出发,计算了不同温度下GaAs材料中沿{110}、{111}和{112}面传播的反相畴(APD)形成能,探索了反相畴的湮灭机理。结果表明,当温度达到660 K以上时,APD最稳定的传播晶面从{110}转变到{112}。通过分子束外延(MBE)技术,在无偏角S... 从第一性原理出发,计算了不同温度下GaAs材料中沿{110}、{111}和{112}面传播的反相畴(APD)形成能,探索了反相畴的湮灭机理。结果表明,当温度达到660 K以上时,APD最稳定的传播晶面从{110}转变到{112}。通过分子束外延(MBE)技术,在无偏角Si(001)衬底上生长了1.4μm厚的GaAs外延层。测试结果表明,随着生长温度的升高,APD密度降低,不同传播面的湮灭现象增加。反相畴在较高的生长温度下更易于扭折到{112}面,从而与其他反相畴相遇并发生湮灭。该结果对全MBE生长高性能无偏角硅基激光器研究具有重要意义。 展开更多
关键词 材料 硅基激光器 第一性原理 分子束外延 反相畴 无偏角si(001)
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用于单片集成的硅基外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子点激光器研究
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作者 王俊 葛庆 +11 位作者 刘帅呈 马博杰 刘倬良 翟浩 林枫 江晨 刘昊 刘凯 杨一粟 王琦 黄永清 任晓敏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期766-782,共17页
硅基光电子技术以光电子与微电子的深度融合为特征,是后摩尔时代的核心技术。硅基光电子芯片可以利用成熟的微电子平台实现量产,具有功耗低、集成密度大、传输速率快、可靠性高等优点,广泛应用于数据中心、通信系统等领域。除硅基激光器... 硅基光电子技术以光电子与微电子的深度融合为特征,是后摩尔时代的核心技术。硅基光电子芯片可以利用成熟的微电子平台实现量产,具有功耗低、集成密度大、传输速率快、可靠性高等优点,广泛应用于数据中心、通信系统等领域。除硅基激光器外,硅基光探测器、硅基光调制器等硅基光电子器件技术已经基本成熟,但作为最有希望实现低成本、大尺寸单片集成的硅基外延激光器仍然面临着诸多挑战。在此背景下,本文从直接外延无偏角Ⅲ-Ⅴ/Si(001)衬底、无偏角硅基激光器材料、外延技术,以及单片集成等方面探讨了近些年国内外硅基光源的研究进展,重点介绍了本研究组在硅基外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子点激光器方面的研究进展,包括无反相畴GaAs/Si(001)衬底的制备、硅基InGaAs/AlGaAs量子阱激光器材料外延、硅基InAs/GaAs量子点激光器材料外延和新型并联方式共面电极硅基激光器芯片制作等。 展开更多
关键词 硅基光电子 硅基外延激光器 无偏角si(001)衬底 量子阱激光器 量子点激光器 对称负极芯片结构
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