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一种单片集成的CMOS数/模接口电路的设计
1
作者
黄林
崔福良
洪志良
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期702-705,共4页
介绍了一种单片集成的数模接口电路。它主要由两个8位D/A转换器、8个比较器通道和片上带隙基准源组成。设计中,采用了一种规则的全NMOS管构成的M-2M梯形电路,以及本文提出的电流-电压转换电路。电路采用1.2μm双层多晶双层金属N阱CMO...
介绍了一种单片集成的数模接口电路。它主要由两个8位D/A转换器、8个比较器通道和片上带隙基准源组成。设计中,采用了一种规则的全NMOS管构成的M-2M梯形电路,以及本文提出的电流-电压转换电路。电路采用1.2μm双层多晶双层金属N阱CMOS工艺实现,芯片面积3.5mm×2.7mm。系统采用5V双电源,正常工作时功耗约为500mW。D/A转换器的有效工作位为7位,实现了确定的-3V到+3.5V的输出幅度,满摆幅输出建立时间小于1μs。比较器通道的传输延迟小于10ns。
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关键词
数/模接口电路
NMOS
M-2M梯形
电
路
电
流-
电
压转换
电
路
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职称材料
题名
一种单片集成的CMOS数/模接口电路的设计
1
作者
黄林
崔福良
洪志良
机构
复旦大学微电子学系
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期702-705,共4页
文摘
介绍了一种单片集成的数模接口电路。它主要由两个8位D/A转换器、8个比较器通道和片上带隙基准源组成。设计中,采用了一种规则的全NMOS管构成的M-2M梯形电路,以及本文提出的电流-电压转换电路。电路采用1.2μm双层多晶双层金属N阱CMOS工艺实现,芯片面积3.5mm×2.7mm。系统采用5V双电源,正常工作时功耗约为500mW。D/A转换器的有效工作位为7位,实现了确定的-3V到+3.5V的输出幅度,满摆幅输出建立时间小于1μs。比较器通道的传输延迟小于10ns。
关键词
数/模接口电路
NMOS
M-2M梯形
电
路
电
流-
电
压转换
电
路
Keywords
D/A interface
NMOS-only M-2M ladder
Current-to-voltage converter
分类号
TN792 [电子电信—电路与系统]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种单片集成的CMOS数/模接口电路的设计
黄林
崔福良
洪志良
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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