期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
激光掺杂制备晶体硅太阳电池研究进展 被引量：5
1
作者 李涛 周春兰 +4 位作者 赵雷 李海玲 刁宏伟 刘振刚 王文静 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第12期141-147,共7页
激光掺杂具有可控性强,工艺简单,对材料造成的激光诱导损伤小等优点,是制备高效晶体硅太阳电池理想的技术选择。本文总结了国内外激光掺杂的研究工作,介绍了掺杂制备晶体硅太阳电池主要激光技术,分析了激光能量密度、激光脉冲个数、激... 激光掺杂具有可控性强,工艺简单,对材料造成的激光诱导损伤小等优点,是制备高效晶体硅太阳电池理想的技术选择。本文总结了国内外激光掺杂的研究工作,介绍了掺杂制备晶体硅太阳电池主要激光技术,分析了激光能量密度、激光脉冲个数、激光波长,和材料表面织构与否对激光掺杂效果的影响,以及激光掺杂制备的晶体硅太阳电池的优势特点。 展开更多
关键词 激光掺杂 激光诱导损伤 掺杂浓度 掺杂深度 晶体硅太阳电池
在线阅读 下载PDF
双栅无结型场效应晶体管的设计与优化 被引量：1
2
作者 李为民 梁仁荣 王敬 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期384-387,共4页
利用三维数值仿真工具,对双栅无结型场效应晶体管进行了数值模拟,研究了沟道掺杂浓度深度分布对晶体管性能的影响,并对比分析了当沟道长度缩小到10nm及以下时器件的电学特性。仿真结果表明,相比于沟道为均匀掺杂分布的器件,具有中间低... 利用三维数值仿真工具,对双栅无结型场效应晶体管进行了数值模拟,研究了沟道掺杂浓度深度分布对晶体管性能的影响,并对比分析了当沟道长度缩小到10nm及以下时器件的电学特性。仿真结果表明,相比于沟道为均匀掺杂分布的器件,具有中间低的沟道掺杂深度分布的双栅无结型场效应晶体管具有更优的开关电流比、漏致势垒降低、亚阈值斜率等电学性能和短沟道特性。 展开更多
关键词 无结型场效应晶体管 掺杂深度分布 短沟道效应 双栅
在线阅读 下载PDF
高镍LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_(2)锂电正极材料的制备及界面改性研究 被引量：2
3
作者 王恩通 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期2161-2165,共5页
利用高温固相法和深度掺杂改性工艺,制备了具有空白和表面改性的高镍LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_(2)(NCM811)三元锂电正极材料。采用SEM、XRD和EDS等分别对空白和表面改性的NCM811正极材料的表面形貌、晶格结构、二次球颗粒内部元素... 利用高温固相法和深度掺杂改性工艺,制备了具有空白和表面改性的高镍LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_(2)(NCM811)三元锂电正极材料。采用SEM、XRD和EDS等分别对空白和表面改性的NCM811正极材料的表面形貌、晶格结构、二次球颗粒内部元素分布进行测试,并将材料组装成半电池进行电化学性能研究。结果表明,Al和Zr元素的深度掺杂对NCM811正极材料的一次颗粒生长产生了明显的影响,可改变材料的表层一次颗粒形貌,并造成材料峰位的偏移;Al和Zr元素掺杂主要集中在二次球颗粒表层,并且呈梯度分布,其表面扩散厚度可达1μm,远大于普通低温包覆工艺(扩散厚度<0.3μm);Al和Zr元素深度掺杂使NCM811正极材料的首次放电容量降低了1.8 mAh/g,5 C倍率放电保持率提高了1.6%,50圈循环容量保持率提高了9.7%,大幅提高了NCM811正极材料循环稳定性能。 展开更多
关键词 NCM811正极材料 表面改性 深度掺杂 电性能
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部