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碳化硅压力传感器欧姆接触电阻率的测量方法 被引量：1
1
作者 任向阳 张治国 +6 位作者 刘宏伟 李永清 李颖 贾文博 祝永峰 王卉如 钱薪竹 《微处理机》 2024年第1期5-8,共4页
鉴于碳化硅离子扩散系数低、杂质离化能高,难以形成可靠的欧姆接触,为了解决碳化硅压力传感器芯片的高温欧姆接触可靠性问题,对其电阻率测量问题进行探讨。通过对T-LTM测试原理的介绍与分析,结合芯片生产工艺流程,制备Ni/Au电极与N型碳... 鉴于碳化硅离子扩散系数低、杂质离化能高,难以形成可靠的欧姆接触,为了解决碳化硅压力传感器芯片的高温欧姆接触可靠性问题,对其电阻率测量问题进行探讨。通过对T-LTM测试原理的介绍与分析,结合芯片生产工艺流程,制备Ni/Au电极与N型碳化硅的T-LTM测试图形,在氮气氛围下进行了700℃和1000℃的合金实验。最终实验结果显示合金温度对I-V线性关系的显著影响,结合T-LTM测试分析,测定接触电阻率值,验证是否形成良好的欧姆接触。该研究为碳化硅压阻式高温压力传感器的开发提供了技术参考。 展开更多
关键词 碳化硅 压力传感器 欧姆接触 接触电阻率 线性传输线模型
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基于非接触电阻率测量法的水泥基材料早期水化特性研究
2
作者 于超胜 《混凝土与水泥制品》 2024年第3期21-25,共5页
采用非接触电阻率测量法,基于电阻率与温差曲线,研究了硅灰掺量(5%、10%)和粉煤灰掺量(20%、40%)对水泥基材料早期水化的影响。结果表明:掺粉煤灰组水泥浆体的电阻率在约580 min前高于C组(基准组),在580 min后低于C组,而掺硅灰组水泥浆... 采用非接触电阻率测量法,基于电阻率与温差曲线,研究了硅灰掺量(5%、10%)和粉煤灰掺量(20%、40%)对水泥基材料早期水化的影响。结果表明:掺粉煤灰组水泥浆体的电阻率在约580 min前高于C组(基准组),在580 min后低于C组,而掺硅灰组水泥浆体正相反,在580 min后,掺硅灰组水泥浆体的电阻率高于C组;与C组相比,掺入粉煤灰后,水泥浆体的放热量减少,放热峰对应的时间延迟,而掺入硅灰后,水泥浆体的水化反应明显加快,放热峰对应的时间也随着硅灰掺量的增加而提前;相比于C组,掺粉煤灰组水泥浆体的凝结时间略微延长,掺硅灰组水泥浆体的凝结时间缩短;相较于掺入粉煤灰,掺入硅灰可以促进水泥水化,使水泥浆体微观结构更加致密。 展开更多
关键词 水泥基材料 硅灰 粉煤灰 非接触电阻率测量法 水化
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p型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量 被引量：6
3
作者 薛松 韩彦军 +1 位作者 吴震 罗毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期965-969,共5页
采用多种传输线模型方法,测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率.通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异,得出了一个准确、可靠测量p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率的方法———圆点传输线模型方法.利用该方法优化了p型Ga... 采用多种传输线模型方法,测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率.通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异,得出了一个准确、可靠测量p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率的方法———圆点传输线模型方法.利用该方法优化了p型GaN上欧姆接触的退火温度,在氧气气氛中650℃退火后获得了最优的欧姆接触,其比接触电阻率为5 12×10-4Ω·cm2. 展开更多
关键词 p型氮化镓 比接触电阻率 传输线模型 圆形传输线模型
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CTLM测量金属/半导体欧姆接触电阻率 被引量：6
4
作者 孙燕杰 何山虎 +3 位作者 甄聪棉 龚恒翔 杨映虎 王印月 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期241-244,共4页
系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ 的影响。测量得到 Ａｌ／ Ｓｉ 欧姆接触电阻率的... 系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ 的影响。测量得到 Ａｌ／ Ｓｉ 欧姆接触电阻率的最小值约为２ ．４ ×１０ － ５ Ω·ｃｍ ２ 。 展开更多
关键词 圆形传输线模型 金属/半导体接触 接触电阻率
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Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量 被引量：3
5
作者 卫静婷 冯玉春 +5 位作者 李炳乾 杨建文 刘文 王质武 施炜 杨清斗 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期655-659,共5页
通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,... 通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5Ω.cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用。 展开更多
关键词 p型氮化镓 镍/金 比接触电阻率
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欧姆接触中接触电阻率的计算 被引量：8
6
作者 甄聪棉 李秀玲 +2 位作者 潘成福 聂向富 王印月 《大学物理》 北大核心 2005年第6期10-13,共4页
从欧姆接触电阻率的定义出发,先从理论上介绍了热离子发射、热离子场发射和场发射三种不同情况下欧姆接触电阻率的计算公式,然后详细地从实验上综合各种测试方法,并讨论了其利弊.
关键词 欧姆接触 接触电阻率 传输线模型
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测量计算金属-半导体接触电阻率的方法 被引量：13
7
作者 李鸿渐 石瑛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期155-159,共5页
如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳。... 如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳。综合多种因素考虑,认为圆点传输线模型是一种较好的测量金属半导体接触电阻率的方法。 展开更多
关键词 金属-半导体接触 接触电阻率 传输线模型
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欧姆接触电阻率测量方法的比较研究 被引量：4
8
作者 赵安邦 谭开洲 吴国增 《重庆邮电大学学报（自然科学版）》 2006年第z1期238-241,共4页
根据材料的厚度对金属-半导体间的欧姆接触电阻率的测量方法做了分类,并分别介绍了各种方法的原理。分析了它们的误差形成原因以及对结果的影响,比较了它们的优劣,探讨了在不同情况下最合适的办法。
关键词 金属-半导体 欧姆接触 接触电阻率 传输线模型法
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两种欧姆接触电阻率测量方法的研究 被引量：1
9
作者 崔虹云 吴云飞 +3 位作者 张海丰 韩海生 朱雪彤 李金鑫 《佳木斯大学学报（自然科学版）》 CAS 2012年第5期746-748,共3页
用低压化学气相淀积的方法制备了欧姆接触的样品,分别对退火前后的样品采用两种测量方法线性传输线模型和原点传输线模型法进行测试分析,得出在制备工艺相同的条件下,从精度上看,线性传输线模型这种测试结构更能真实地反映实际的比接触... 用低压化学气相淀积的方法制备了欧姆接触的样品,分别对退火前后的样品采用两种测量方法线性传输线模型和原点传输线模型法进行测试分析,得出在制备工艺相同的条件下,从精度上看,线性传输线模型这种测试结构更能真实地反映实际的比接触电阻率的大小. 展开更多
关键词 欧姆接触电阻率 线性传输线模型 原点传输线模型
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接触电阻率测量方法的研究 被引量：2
10
作者 茅保华 盛永喜 鲍希茂 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期294-302,共9页
对于金属-半导体欧姆接触,本文介绍了两种接触电阻率的测量方法:两直径法和回归分析法,测量结果较准确.对同一样品,用多种方法测显,比较其结果并对各种测量方法进行了评述.
关键词 金属-半导体 接触电阻率 测量法
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欧姆接触电阻率的精确测量方法 被引量：3
11
作者 曹春海 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期276-279,共4页
分析了一般测量接触电阻率的TLM模型以及“端电阻”修正模型的缺点,提出了一种新的接触电阻率的测试方法。此方法模型精确,常规测试条件下容易得到误差小于1%的相关测试量的值,使接触电阻率的测试误差小于5%。
关键词 传输线模型 接触电阻率 测量方法
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测量金属-半导体接触电阻率的三点法 被引量：1
12
作者 陈存礼 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第3期409-414,共6页
本文提出一种测量金属-半导体接触电阻率的方法——三点法。样品制备简单,无需台面绝缘,用硅进行实验验证,结果与文献报道的相符。实验表明接触电阻与接触半径在双对数座标中是一条斜率为“-2”的直线。
关键词 IC 接触电阻率 电阻率 三点法
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无接触电阻率法在水泥基材料水化过程中的应用进展
13
作者 徐文迪 费逸伟 +3 位作者 孙世安 卞森 墙奕吉 雷雪峰 《广州化工》 CAS 2015年第4期30-32,共3页
介绍了无接触电阻率法在水泥基材料中的应用情况,总结了无接触电阻率法研究水泥基材料的水化过程,概述了电阻率与水泥基材料水化凝结时间、强度的关系,以及外加剂对电阻率的影响,最后对无接触电阻率法存在的问题及今后的应用方向提出了... 介绍了无接触电阻率法在水泥基材料中的应用情况,总结了无接触电阻率法研究水泥基材料的水化过程,概述了电阻率与水泥基材料水化凝结时间、强度的关系,以及外加剂对电阻率的影响,最后对无接触电阻率法存在的问题及今后的应用方向提出了建议。 展开更多
关键词 无接触电阻率 水泥基材料 水化过程 凝结时间 强度
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光导开关欧姆接触电阻率测量方法研究 被引量：1
14
作者 许世峰 何晓雄 孙飞翔 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期929-933,共5页
光导开关对重掺杂半导体基底与多层金属电极形成的欧姆接触有很高的要求,欧姆接触的质量直接影响光导开关的效率、增益和开关速度等性能,因此准确地测量光导开关欧姆接触的参数非常重要。文章对适合光导开关的欧姆接触电阻率的测量方法... 光导开关对重掺杂半导体基底与多层金属电极形成的欧姆接触有很高的要求,欧姆接触的质量直接影响光导开关的效率、增益和开关速度等性能,因此准确地测量光导开关欧姆接触的参数非常重要。文章对适合光导开关的欧姆接触电阻率的测量方法进行了系统的归纳和整理,分析了各种测试方法的优点和局限性,明确了各测试方法的适用范围,对后续测试方法的改进提出了建议。 展开更多
关键词 光导开关 欧姆接触电阻率 矩形传输线模型 圆形传输线模型
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Au电极与CdMnTe晶体的表面接触电阻率研究
15
作者 沈敏 张继军 +3 位作者 王林军 闵嘉华 汪琳 梁小燕 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期8217-8221,共5页
采用圆形传输线模型研究了金(Au)电极与碲锰镉(CdMnTe)晶体的欧姆接触特性,Au电极采用AuCl3化学镀金法制备,计算了其接触电阻率。实验探讨了表面处理和退火对Au/CdMnTe接触电阻率的影响。结果表明,CdMnTe晶体经过化学抛光和化学机械抛光... 采用圆形传输线模型研究了金(Au)电极与碲锰镉(CdMnTe)晶体的欧姆接触特性,Au电极采用AuCl3化学镀金法制备,计算了其接触电阻率。实验探讨了表面处理和退火对Au/CdMnTe接触电阻率的影响。结果表明,CdMnTe晶体经过化学抛光和化学机械抛光后Au/CdMnTe的接触电阻率分别为544.5和89.0Ω·cm2。通过AFM与XPS分析了晶体表面的形貌与成分,发现表面粗糙度和富Te成分对CdMnTe薄层电阻和载流子传输长度有较大的影响,决定了接触电阻率的大小。在150℃空气气氛退火1h后,经CP和CMP表面处理的样品,Au/CdMnTe接触电阻率均减小,分别为313.6和30.2Ω·cm2。退火促进了Au向CdMnTe晶体的扩散,使接触电阻率进一步降低,欧姆接触性能提高。 展开更多
关键词 碲锰镉 接触电阻率 化学抛光 化学机械抛光 退火
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传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率 被引量：4
16
作者 王印月 甄聪棉 +5 位作者 龚恒翔 阎志军 王亚凡 刘雪芹 杨映虎 何山虎 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期1348-1351,共4页
采用传输线模型测量了重B掺杂 p型金刚石薄膜 (约 10 2 0 cm-3 )上Ti/Au欧姆接触电阻率 ρc,测试了 5 0 0℃退火前后及大电流情况下的I V特性 ,研究了退火对 ρc 的影响 .结果表明 ,重掺杂和退火工艺是改善欧姆接触的有效手段 .ρc 随... 采用传输线模型测量了重B掺杂 p型金刚石薄膜 (约 10 2 0 cm-3 )上Ti/Au欧姆接触电阻率 ρc,测试了 5 0 0℃退火前后及大电流情况下的I V特性 ,研究了退火对 ρc 的影响 .结果表明 ,重掺杂和退火工艺是改善欧姆接触的有效手段 .ρc 随测试温度的变化表明金属 /半导体接触界面载流子输运机制为隧道穿透 .而光照对 ρc 影响的分析表明金刚石可作为理想窗口材料 .测试得到的最低 ρc 值约为 10 -4 Ωcm2 . 展开更多
关键词 金刚石薄膜 欧姆接触 接触电阻率 传输线模型
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半绝缘SiC单晶电阻率均匀性研究 被引量：2
17
作者 王香泉 洪颖 +3 位作者 吴华 冯玢 郝建民 严如岳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期121-124,共4页
采用非接触电阻率面分布（COREMA）方法对本实验室生长得到的2英寸（50mm）4H和6H晶型半绝缘SiC单晶片进行电阻率测试，结果发现数据的离散性大，低者低于测试系统下限10^5Ω·cm高者高于其上限10^12Ω·cm，甚至在同一晶片内... 采用非接触电阻率面分布（COREMA）方法对本实验室生长得到的2英寸（50mm）4H和6H晶型半绝缘SiC单晶片进行电阻率测试，结果发现数据的离散性大，低者低于测试系统下限10^5Ω·cm高者高于其上限10^12Ω·cm，甚至在同一晶片内会出现小于10^5Ω·cm，10^5～10^12Ω·cm和大于10^12^12Ω·cm的不同区域，而有的晶片则电阻率的均匀性较好。将SiC电阻率测试结果与二次离子质谱（SIMS）对晶体内主要杂质V，B和N含量测试结果相结合，初步探讨得到引起掺钒SiC单晶电阻率的高低及均匀性的变化由补偿方式决定，在深受主补偿浅施主模式下，V的浓度控制在2×10^16-3×10^17cm-3，N的浓度控制在1×10^16cm-3左右，深受主钒充分补偿浅施主氮，制备得到的SiC单晶具有半绝缘性，且电阻率均匀性好。 展开更多
关键词 碳化硅 电阻率 均匀性 非接触电阻率面分布 二次离子质谱
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SiC光导开关欧姆接触制备与性能研究
18
作者 丁蕾 罗燕 +3 位作者 袁涛 尚吉扬 魏紫东 周义 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第4期357-362,共6页
Ni/W膜层作为SiC光导开关的欧姆接触膜系,具有接触电阻低、热稳定性好、抗烧蚀能力强等优良性能。通过接触势垒分析、难熔金属选择、欧姆接触膜系优化、热稳定性以及抗烧蚀性能的研究,优选出W膜层作为难熔金属的最佳膜层,此时击穿电压... Ni/W膜层作为SiC光导开关的欧姆接触膜系,具有接触电阻低、热稳定性好、抗烧蚀能力强等优良性能。通过接触势垒分析、难熔金属选择、欧姆接触膜系优化、热稳定性以及抗烧蚀性能的研究,优选出W膜层作为难熔金属的最佳膜层,此时击穿电压达到了23 kV,Ni/W膜层厚度为100 nm/100 nm~100 nm/150 nm时,比接触电阻率降低到1.6×10^(-4)Ω·cm^(2),且在后续试验验证中,Ni/W膜层表现出良好的高温稳定性及抗大电流烧蚀性能。 展开更多
关键词 光导开关 碳化硅 欧姆接触 难熔金属 比接触电阻率
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Yb_(0.3)Co_4Sb_(12)/Mo-Cu热电元件的界面结构与界面电阻 被引量：8
19
作者 唐云山 柏胜强 +3 位作者 任都迪 廖锦城 张澜庭 陈立东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期256-260,共5页
通过放电等离子烧结(SPS)实现阻挡层Ti-Al、过渡焊接层Ni与热电臂Yb0.3Co4Sb12的一体化烧结,使用Ag-Cu-Zn共晶合金完成热电元件Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al/Ni与Mo-Cu电极的钎焊连接。扫描电镜(SEM)显示出Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al/Ni/Ag-Cu-Zn/Mo-Cu... 通过放电等离子烧结(SPS)实现阻挡层Ti-Al、过渡焊接层Ni与热电臂Yb0.3Co4Sb12的一体化烧结,使用Ag-Cu-Zn共晶合金完成热电元件Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al/Ni与Mo-Cu电极的钎焊连接。扫描电镜(SEM)显示出Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al/Ni/Ag-Cu-Zn/Mo-Cu接头中各界面结合良好,无裂纹,成分分析发现Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al界面存在Al Co、TiCo Sb及Ti Sb2等金属间化合物(IMC)。500℃下等温时效30 d后,Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al界面处的金属间化合物厚度无明显变化;Ag-Cu-Zn/Ni界面处Cu、Zn扩散趋于稳定,Cu-Zn扩散层厚度达到约40μm。界面接触电阻测试结果表明,等温时效前后Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al/Ni/Ag-Cu-Zn/Mo-Cu元件的界面接触电阻率均低于10μΩ·cm2。 展开更多
关键词 热电元件 放电等离子烧结 钎焊 接触电阻率
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p型GaAs欧姆接触性能研究 被引量：5
20
作者 刘梦涵 崔碧峰 +3 位作者 何新 孔真真 黄欣竹 李莎 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期578-582,共5页
为了研究半导体光电器件p-GaAs欧姆接触的特性,利用磁控溅射在p-GaAs上生长Ti厚度在10-50 nm范围、Pt厚度在30-60 nm范围的Ti/Pt/200 nm Au电极结构。利用传输线模型测量了具有不同的Ti、Pt厚度的Ti/Pt/200 nm Au电极结构接触电阻率,研... 为了研究半导体光电器件p-GaAs欧姆接触的特性,利用磁控溅射在p-GaAs上生长Ti厚度在10-50 nm范围、Pt厚度在30-60 nm范围的Ti/Pt/200 nm Au电极结构。利用传输线模型测量了具有不同的Ti、Pt厚度的Ti/Pt/200 nm Au电极结构接触电阻率,研究了退火参数对欧姆接触性能的影响,同时分析了过高温度导致电极金属从边缘向内部皱缩的机理。结果表明,Ti厚度为30 nm左右时接触电阻率最低,接触电阻率随着Pt厚度的增加而增加;欧姆接触质量对退火温度更敏感,退火温度达到510℃时电极金属从边缘向内部皱缩。采用40nm Ti/40 nm Pt/200 nm Au作为半导体光电器件p-GaAs电极结构,合金条件为420℃,30 s可以形成更好的欧姆接触。 展开更多
关键词 半导体器件 欧姆接触 接触电阻率 合金
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