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基于SGOI和CESL结构的新型应变硅NMOSFET的有限元研究
1
作者
周东
张庆东
顾晓峰
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期444-447,共4页
应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的。利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化硅CESL应变结构的新型应变硅NMOS-FET。结果表明,与采用单一的SGOI或CESL结构相比,两者共同作用下的新结...
应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的。利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化硅CESL应变结构的新型应变硅NMOS-FET。结果表明,与采用单一的SGOI或CESL结构相比,两者共同作用下的新结构能更有效地提高沟道应变。增加氮化硅薄膜的本征应力、减小应变硅层厚度、适当提高锗组分,均能有效增加硅沟道区的应变量。采用有限元分析进行的模拟研究,可弥补实验测量的不足,为纳米级应变硅器件的设计和制造提供参考。
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关键词
应变硅
绝缘体上锗硅
接触孔刻蚀阻挡层
NMOS场效应管
有限元分析
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题名
基于SGOI和CESL结构的新型应变硅NMOSFET的有限元研究
1
作者
周东
张庆东
顾晓峰
机构
江南大学信息工程学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期444-447,共4页
基金
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0484)
教育部留学回国人员科研启动基金(教外司留[2008]890)
文摘
应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的。利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化硅CESL应变结构的新型应变硅NMOS-FET。结果表明,与采用单一的SGOI或CESL结构相比,两者共同作用下的新结构能更有效地提高沟道应变。增加氮化硅薄膜的本征应力、减小应变硅层厚度、适当提高锗组分,均能有效增加硅沟道区的应变量。采用有限元分析进行的模拟研究,可弥补实验测量的不足,为纳米级应变硅器件的设计和制造提供参考。
关键词
应变硅
绝缘体上锗硅
接触孔刻蚀阻挡层
NMOS场效应管
有限元分析
Keywords
Strained silicon
SGOI
CESL
NMOSFET
Finite element analysis
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于SGOI和CESL结构的新型应变硅NMOSFET的有限元研究
周东
张庆东
顾晓峰
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2010
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