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富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性 被引量：1
1
作者 陈蒲生 张昊 +3 位作者 冯文修 田小峰 刘小阳 曾绍鸿 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期31-34,共4页
通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱... 通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构 ,对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论 . 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相淀积 俄歇电子能谱 红外光谱 电学参数 富氮SIOXNY膜 抗电子注入能力
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