期刊文献+
共找到15篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于氮化铝技术的表贴型微波封装 被引量:4
1
作者 郑远 吴健 +4 位作者 钱峰 陈新宇 艾萱 曹坤 杨磊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期584-589,共6页
采用氮化铝多层布线技术,运用垂直过渡方式实现微波信号从基板底部到表面的信号传输,完成表贴式微波封装设计。在DC-18GHz内,该表贴互连反射损耗小于-15dB,插入损耗小于1.0dB。采用该技术封装了6~18GHz宽带放大器,封装尺寸为5mm×5... 采用氮化铝多层布线技术,运用垂直过渡方式实现微波信号从基板底部到表面的信号传输,完成表贴式微波封装设计。在DC-18GHz内,该表贴互连反射损耗小于-15dB,插入损耗小于1.0dB。采用该技术封装了6~18GHz宽带放大器,封装尺寸为5mm×5mm×1.2mm,频带内反射损耗小于-10dB,增益15dB,平坦度小于1dB;另外还封装C波段5W功率放大器,封装尺寸为8mm×8mm×1.2mm,带内增益大于25dB,反射损耗小于-10dB,饱和输出功率37dBm,效率35%。采用技术的表面贴装放大器性能上能够满足微波通信、雷达应用,可用回流焊安装,适合规模生产。 展开更多
关键词 氮化铝 微波封装 微波单片集成电路 放大器
在线阅读 下载PDF
多层陶瓷封装外壳的微波设计 被引量:12
2
作者 戴雷 樊正亮 +1 位作者 程凯 涂传政 《电子与封装》 2005年第11期13-16,共4页
随着微电子器件的发展,集成度越来越高,不断向高频、高功率应用迈进,对其封装技术的发展也提出了更高要求。本文以一个场效应管封装外壳的微波设计为例,探讨了微波三维结构仿真技术在封装外壳设计上的应用,证明对封装外壳进行合理... 随着微电子器件的发展,集成度越来越高,不断向高频、高功率应用迈进,对其封装技术的发展也提出了更高要求。本文以一个场效应管封装外壳的微波设计为例,探讨了微波三维结构仿真技术在封装外壳设计上的应用,证明对封装外壳进行合理的微波设计,可以有效地提高器件的微波性能。 展开更多
关键词 微波封装 电磁场仿真 HFSS
在线阅读 下载PDF
10Gb/s电吸收调制器的微波封装设计 被引量:3
3
作者 刘宇 谢亮 +5 位作者 袁海庆 张家宝 祝宁华 孙长征 熊兵 罗毅 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1495-1498,共4页
在高速光电子器件的微波封装过程中,需要综合考虑封装寄生参数和芯片寄生参数对器件高频性能的影响。利用封装寄生参数对芯片寄生参数的补偿作用,成功实现了10 Gb/s电吸收调制激光器(EML)的高频封装。通过封装前后芯片和器件的小信号频... 在高速光电子器件的微波封装过程中,需要综合考虑封装寄生参数和芯片寄生参数对器件高频性能的影响。利用封装寄生参数对芯片寄生参数的补偿作用,成功实现了10 Gb/s电吸收调制激光器(EML)的高频封装。通过封装前后芯片和器件的小信号频率响应测试结果对比,器件的反射参数和传输参数有所改善,3 dB带宽达到10 GHz;并进行了10 Gb/s速率的光纤传输实验,经过40 km光纤传输后通道代价不到1 dBm(误码率为10-12),满足10 Gb/s长距离光纤传输系统的要求。 展开更多
关键词 光电子学 电吸收调制器 微波封装 频率响应
原文传递
甲酸真空烧结工艺对封装腔体内部氢气含量的影响研究
4
作者 李娜 许春良 《电子质量》 2022年第7期65-69,共5页
真空烧结工艺对原材料的浸润性要求很高,当原材料浸润性较差时会出现烧结空洞率高等问题。甲酸真空烧结工艺可降低对原材料的浸润性要求,提高真空烧结的成品率。但甲酸在反应过程中可能会生产氢离子从而导致对氢敏感的芯片失效。通过对... 真空烧结工艺对原材料的浸润性要求很高,当原材料浸润性较差时会出现烧结空洞率高等问题。甲酸真空烧结工艺可降低对原材料的浸润性要求,提高真空烧结的成品率。但甲酸在反应过程中可能会生产氢离子从而导致对氢敏感的芯片失效。通过对常用几种材料的管壳经过不同工艺方法烧结后内部氢气含量的对比,研究甲酸真空烧结工艺对封装腔体内部氢气含量的影响。结果表明,甲酸真空烧结工艺不会引起封装腔体内部氢气含量升高,该工艺可应用于对氢敏感的微波封装器件,不会对器件的长期可靠性产生影响。 展开更多
关键词 甲酸 真空烧结 微波封装器件 内部气氛 氢含量
在线阅读 下载PDF
光纤微波传输线
5
作者 赵庆添 蔡开清 +1 位作者 刘斌 雷鸣 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期134-139,共6页
论述如何对折射率导引结构 InGaAsP 激光二极管组件和 InGaAs APD 光电二极管组件设计微波封装。其激光二极管组件特点为同轴 SMA 连结器和50Ω匹配的输入阻抗,还包含一个光功率监视的光探测器,一个热敏电阻,一个温度电致冷器(TEC)等组... 论述如何对折射率导引结构 InGaAsP 激光二极管组件和 InGaAs APD 光电二极管组件设计微波封装。其激光二极管组件特点为同轴 SMA 连结器和50Ω匹配的输入阻抗,还包含一个光功率监视的光探测器,一个热敏电阻,一个温度电致冷器(TEC)等组成“蝶形”单列插针式光缆(纤)耦合全密封封装;光电二极管组件也同样有同轴 SMA 连接器组成共平面波导封装耦合光缆(纤)。两种组件之间使用 FC/PC 标准光缆活动连接器,组成光纤微波传输线实验样机。主要指标:调制频率范围 f 为1.8~5.0GHz,带宽 B>3GHz,峰值波长λ_p 为1300nm,CW 尾纤功率P>1mW,输出阻抗 Z 为50Ω,输出射频功率 P_(RF)>—30dBm,检测灵敏度 S<—70dBm,传输距离 d 为6.5km。 展开更多
关键词 微波封装 传输线 激光二极管
在线阅读 下载PDF
基于3D打印技术的新型宽阻带电磁带隙封装屏蔽盒 被引量:1
6
作者 周佳威 庄伟 +3 位作者 唐万春 聂守平 施永荣 季秋峰 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2016年第2期150-154,共5页
设计了一种基于3D打印技术的倒置蘑菇型电磁带隙(electromagnetic band-gap,EBG)封装屏蔽盒.该封装屏蔽盒能够有效抑制4.7~12.6GHz频率范围内的腔体噪声,与传统的金属柱型EBG封装屏蔽盒相比,所设计的倒置蘑菇型EBG的周期单元尺寸缩小... 设计了一种基于3D打印技术的倒置蘑菇型电磁带隙(electromagnetic band-gap,EBG)封装屏蔽盒.该封装屏蔽盒能够有效抑制4.7~12.6GHz频率范围内的腔体噪声,与传统的金属柱型EBG封装屏蔽盒相比,所设计的倒置蘑菇型EBG的周期单元尺寸缩小了81%(0.216λ0×0.216λ0×0.187λ0,λ0 为自由空间中阻带中心频率所对应的波长),其相对阻带带宽可展宽至91.3%.通过等效电路建模分析了倒置蘑菇型EBG的阻带下截止频率,并在此基础上提出了倒置雨伞型EBG结构,使得EBG结构周期单元的电尺寸进一步缩小了38.3%.最后,利用3D打印技术加工制造了所设计的倒置蘑菇型和倒置雨伞型EBG结构,并将具有2个直角拐角的简单微带线放置其中进行插入损耗测量.实验结果表明,在阻带频率范围内,所设计的EBG封装屏蔽盒的腔体噪声得到了有效抑制. 展开更多
关键词 电磁带隙结构 3D打印技术 微波电路封装 噪声抑制
在线阅读 下载PDF
几种复合传输线特性阻抗的计算
7
作者 吴正德 张志军 +1 位作者 樊勇 唐小宏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期82-85,共4页
本文就高速光电器件微波封装提出了有希望的几种复合传输线(微带+共面线,屏蔽微带+共面线,微带+不对称共面线),采用边界元法计算了它们的特性阻抗,给出了几组有工程价值的计算曲线,并讨论了实验结果.
关键词 微波封装 传输线 特性阻抗 边界元法
在线阅读 下载PDF
超高速化合物半导体器件(4)
8
作者 谢永桂 《电子元器件应用》 2002年第12期46-50,共5页
以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。
关键词 高电子迁移率晶体管 异质结双极晶体管 化合物半导体 RF测试 微波封装
在线阅读 下载PDF
射频和微波微电子封装
9
作者 陈涛 《国外科技新书评介》 2010年第6期15-16,共2页
射频(RF)和微波微电子的封装是高频电子封装技术的最新发展,它吸引了大量电子工程师投身于电子封装和高频电子领域的研究,也吸引了学术研究者了解最先进技术在商业界应用的兴趣。它覆盖了热量管理、电气、射频、散热的设计与模拟,... 射频(RF)和微波微电子的封装是高频电子封装技术的最新发展,它吸引了大量电子工程师投身于电子封装和高频电子领域的研究,也吸引了学术研究者了解最先进技术在商业界应用的兴趣。它覆盖了热量管理、电气、射频、散热的设计与模拟,封装技术与加工方法以及其它相关射频、微波封装的领域。近10年来无线电技术取得了巨大的进展,同时高频技术的应用方兴未艾。2008年9月16—18日, 展开更多
关键词 微电子封装 微波封装 射频 电子封装技术 高频技术 无线电技术 电子领域 学术研究
原文传递
1.3μm高速PIN光电二极管 被引量:7
10
作者 陶启林 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期271-274,共4页
综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度 ,优化设计了GaInAs/InPPIN光电二极管的结构参数 ,解决了长波长高速光电探测器制作中的关键技术 ,如高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长、有源区的浅结扩散技术、为降低器件漏电采用的... 综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度 ,优化设计了GaInAs/InPPIN光电二极管的结构参数 ,解决了长波长高速光电探测器制作中的关键技术 ,如高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长、有源区的浅结扩散技术、为降低器件漏电采用的双层钝化膜技术和小光敏面的光耦合技术等 ,并采用同轴封装结构实现了高速光电探测器的高频封装。研制的GaInAs/InPPIN高速长波长光电探测器的 3dB带宽达到 2 0GHz ,响应度为 0 .7A/W ,暗电流小于 展开更多
关键词 光电二极管 微波封装 GAINAS/INP
在线阅读 下载PDF
实用型5GHz带宽InGaAs/InP PIN光电探测器
11
作者 傅小华 黄燕丹 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期59-63,共5页
设计并研制成功了实用型5GHz带宽InGaAs/InPPIN光电探测器,介绍了限制探测器响应速度的主要因素、微波封装的理论依据,以及所研制器件频率响应的测试结果。
关键词 微波封装 阻抗匹配 频响特性 光电探测器
在线阅读 下载PDF
Low-Microwave Loss Coplanar Waveguides Fabricated on High-Resistivity Silicon Substrate 被引量:1
12
作者 杨华 朱洪亮 +3 位作者 谢红云 赵玲娟 周帆 王圩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期1-4,共4页
Three kinds of coplanar waveguides (CPWs) are designed and fabricated on different silicon substrates---common low-resistivity silicon substrate (LRS), LRS with a 3μm-thick silicon oxide interlayer, and high-resi... Three kinds of coplanar waveguides (CPWs) are designed and fabricated on different silicon substrates---common low-resistivity silicon substrate (LRS), LRS with a 3μm-thick silicon oxide interlayer, and high-resistivity silicon (HRS) substrate. The results show that the microwave loss of a CPW on LRS is too high to be used, but it can be greatly reduced by adding a thick interlayer of silicon oxide between the CPW transmission lines and the LRS.A CPW directly on HRS shows a loss lower than 2dB/cm in the range of 0-26GHz and the process is simple,so HRS is a more suitable CPW substrate. 展开更多
关键词 coplanar waveguides high-resistivity silicon microwave loss high frequency optoelectronic packaging
在线阅读 下载PDF
电子工艺
13
《电子科技文摘》 1999年第10期33-33,共1页
Y99-61677 99151431998年 IEEE 第7届电子封装电性能专题会议录=1998 IEEE 7th topical meeting on electrical performanceof electronic packaging[会,英]/IEEE Microwave Theoryand Techniques Society & IEEE Gomponents.Packag... Y99-61677 99151431998年 IEEE 第7届电子封装电性能专题会议录=1998 IEEE 7th topical meeting on electrical performanceof electronic packaging[会,英]/IEEE Microwave Theoryand Techniques Society & IEEE Gomponents.Packagingand Manufacturing Technology Society.—IEEE,1998.—300P.(G)报道了1998年10月26日至28日在美国西点举行的电子封装的电性能专题讨论会上的60多篇文章。内容主要涉及封装设计,单片互连,封装件测试,混合信号/光学封装设计,封装件的电源系统和配电建模,硅衬底建模,同时开关噪声,微波封装,加速建模和模拟。 展开更多
关键词 电子封装 电子工艺 封装设计 电性能 同时开关噪声 建模 电源系统 微波封装 专题讨论会 会议录
原文传递
半导体集成电路单片和多片集成电路
14
《电子科技文摘》 2000年第5期31-32,共2页
Y99-61677-83 0007546基于陶瓷的多层 MCM 工艺探讨=Investigations ofmulti-layer ceramic-based MCM technology[会,英]/Su-tono,A.& Pham.A//Characterization of flip-chip CMOSASIC simultaneous switching noise on multilaye... Y99-61677-83 0007546基于陶瓷的多层 MCM 工艺探讨=Investigations ofmulti-layer ceramic-based MCM technology[会,英]/Su-tono,A.& Pham.A//Characterization of flip-chip CMOSASIC simultaneous switching noise on multilayer organicand ceramic BGA/CGA packages.—83~86(EG)本文介绍了工作在微波频率,基于低温共火结陶瓷(LTCC)的20层多芯片模件(MCM-C)的设计与特性。对此工艺的各个方面进行了实验性研究,包括材料特性、无源器件的 Q 值和三维(多层)互连。建立了设计规则,证实了使用 LTCC 作为多层微波封装的可行性。 展开更多
关键词 多片集成电路 半导体集成电路 多层 设计规则 工艺探讨 实验性研究 微波频率 材料特性 陶瓷 微波封装
原文传递
程序包、程序库、数据库、知识库
15
《电子科技文摘》 2000年第1期119-120,共2页
Y99-61556-1827 0001303微波封装材料数据库的设计与实现=Design and im-plementatlon of a microwave packaging materials database[会,英]/Harris,M.& Lesniak,C.//1998 IEEEMTT-s International Microwave Symposium(Digest),Vo... Y99-61556-1827 0001303微波封装材料数据库的设计与实现=Design and im-plementatlon of a microwave packaging materials database[会,英]/Harris,M.& Lesniak,C.//1998 IEEEMTT-s International Microwave Symposium(Digest),Vol.3.—1827~1830(AZ)Y99-61820-900 0001304采用图象特征与相关文本的数字医学 X 射线网间存取=Internet access to digital medical X-rays by imagefeatures and associated text[会,英]/Long,L.R.& 展开更多
关键词 实时数据库系统 图象特征 材料数据库 微波封装 动态链接库 相关文本 数字医学 情报通信 电子地图 计算机工程
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部