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延伸摩尔定律的应变硅技术 被引量：4
1
作者 王敬 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期50-56,共7页
应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore’s Law)的重要技术手段之一。综述了应变硅技术的发展及趋势。首先,从物理理论上分析了应变对硅沟道迁移率的影响;然后介绍了现有的各种应变硅技术;最后,分析了应变硅技术的发展趋势。
关键词 CMOS 应变硅 迁移率增强 源/漏工程 应力帽层 绝缘体上应变硅
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选择性腐蚀Si_(1-x)Ge_x与Si制备绝缘体上超薄应变硅 被引量：4
2
作者 母志强 薛忠营 +2 位作者 陈达 狄增峰 张苗 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期40-44,共5页
基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Si1-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变硅。研究了质量分数为0.5%～5%的HF和Si1-xGex中Ge的含量对选... 基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Si1-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变硅。研究了质量分数为0.5%～5%的HF和Si1-xGex中Ge的含量对选择性腐蚀的腐蚀速度与选择比的影响,优化了选择性腐蚀工艺。采用氨水、过氧化氢和水的混合溶液处理选择性腐蚀后的Si1-xGex与Si表面,得到了高应变度、高晶体质量的超薄SSOI。采用原子力显微镜(AFM)测试腐蚀速度以及腐蚀后的表面粗糙度;使用喇曼光谱仪表征Si1-xGex以及应变硅的组分以及应变度;使用透射电子显微镜(TEM)对SSOI的晶体质量进行了表征。结果表明,超薄SSOI的表面粗糙度(RMS)为0.446 nm,顶层Si的应变度为0.91%,顶层应变硅层厚度为18 nm,且具有高的晶体质量。 展开更多
关键词 选择性腐蚀 应变硅 超薄 绝缘体上应变硅 锗硅
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超薄全局应变硅薄膜的应变弛豫研究 被引量：3
3
作者 刘旭焱 崔明月 +2 位作者 海涛 王爱华 蒋华龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2396-2400,共5页
采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅(SiGe-on-insulator,SGOI)材料,然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积(UHVCVD)法外延了厚度为15 nm的超薄全局应变硅单晶薄膜,使用电子束光刻和反应离子刻蚀在样品上制备了一组纳米级尺寸不... 采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅(SiGe-on-insulator,SGOI)材料,然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积(UHVCVD)法外延了厚度为15 nm的超薄全局应变硅单晶薄膜,使用电子束光刻和反应离子刻蚀在样品上制备了一组纳米级尺寸不等的应变硅线条和应变硅岛,并利用TEM、SEM、Raman等分析手段表征样品。实验结果表明,本文制备的应变硅由于其直接衬底超薄SiGe层的低缺陷密度和应力牵制作用,纳米图形化的应变Si弛豫度远小于文献报道的无Ge应变硅或者具有Ge组分渐变层SiGe衬底的应变Si材料。 展开更多
关键词 全局应变硅 纳米图形 应变弛豫 拉曼光谱
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高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET漏致势垒降低效应研究 被引量：2
4
作者 许立军 张鹤鸣 杨晋勇 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期753-758,共6页
高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET结合了应变硅工程、高k栅介质、SOI结构和肖特基源漏四者的优点,是一种实现小尺寸MOSFET的潜力器件.通过求解二维泊松方程建立了该结构的阈值电压模型,模型中考虑了镜像力势垒和小尺寸量子化效应对... 高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET结合了应变硅工程、高k栅介质、SOI结构和肖特基源漏四者的优点,是一种实现小尺寸MOSFET的潜力器件.通过求解二维泊松方程建立了该结构的阈值电压模型,模型中考虑了镜像力势垒和小尺寸量子化效应对源漏极的电子本征肖特基势垒高度的影响,在阈值电压模型基础上获得了漏致势垒降低模型.从文献中提取漏致势垒降低的实验数据与模型进行对比,验证了其正确性,随后在此基础上讨论分析了漏致势垒降低和各项参数的变化关系.结果表明,漏致势垒降低随应变硅层厚度的变厚、沟道掺杂浓度的提高和锗组分的增大而增大,随沟道长度的变长、栅介质介电常数的增大、电子本征肖特基势垒高度的提高和漏源电压的增大而减小.适当调节模型参数,该结构可很好的抑制漏致势垒降低效应,对高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值. 展开更多
关键词 MOSFET 漏致势垒降低 应变硅 高K栅介质 SOI 肖特基
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应变硅的应变量表征技术 被引量：2
5
作者 段宝兴 杨银堂 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期323-328,共6页
本文针对CMOS电路关键技术的发展,首先分析了应变硅技术包含的四个领域,总结得出从客观和主观两个方面,应变技术已成为微电子发展的关键技术;侧重于应变硅中应变量的表征介绍了常用的方法：Raman光谱频移法、会聚束电子衍射法、四点应... 本文针对CMOS电路关键技术的发展,首先分析了应变硅技术包含的四个领域,总结得出从客观和主观两个方面,应变技术已成为微电子发展的关键技术;侧重于应变硅中应变量的表征介绍了常用的方法：Raman光谱频移法、会聚束电子衍射法、四点应变量测法、ANSYS模拟分析法,为应变硅技术在CMOS技术中的应用提供科学参考。 展开更多
关键词 CMOS 应变硅 RAMAN光谱
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应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究 被引量：1
6
作者 段晓峰 刘海华 +1 位作者 徐秋霞 刘邦贵 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第4期312-321,共10页
本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射... 本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变(2%以上)的原因。 展开更多
关键词 应变硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 大角度会聚束电子衍射
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应变硅技术在纳米CMOS中的应用 被引量：1
7
作者 刘国柱 姚飞 +1 位作者 王树杰 林丽 《电子与封装》 2012年第1期31-36,共6页
应变硅技术具有迁移率高、能带结构可调的优点,且与传统的体硅工艺相兼容,在CMOS工艺中得到广泛地应用,尤其是MOS器件的尺寸进入纳米节点。文章综述了应变硅技术对载流子迁移率影响的机理,并从全局应变和局部应变两个方面介绍了应变硅在... 应变硅技术具有迁移率高、能带结构可调的优点,且与传统的体硅工艺相兼容,在CMOS工艺中得到广泛地应用,尤其是MOS器件的尺寸进入纳米节点。文章综述了应变硅技术对载流子迁移率影响的机理,并从全局应变和局部应变两个方面介绍了应变硅在CMOS器件中的应用。同时,将多种应变硅技术整合在一起提升MOS器件的性能是未来发展的趋势。 展开更多
关键词 应变硅 CMOS 全局应变 局部应变
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绝缘体上全局应变硅晶圆的制备和表征
8
作者 刘旭焱 王爱华 +3 位作者 崔明月 秦怡 鲁道邦 李根全 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期420-425,共6页
首先使用改良型Ge浓缩法制备了绝缘体上锗硅圆片,然后在超薄弛豫SiGe层上,利用超高真空化学气相沉积法外延了单晶硅薄膜,获得一系列不同厚度的6寸绝缘体上应变硅晶圆。结果表明应变硅薄膜完整、均匀、表面平整且晶体质量良好,获得样品... 首先使用改良型Ge浓缩法制备了绝缘体上锗硅圆片,然后在超薄弛豫SiGe层上,利用超高真空化学气相沉积法外延了单晶硅薄膜,获得一系列不同厚度的6寸绝缘体上应变硅晶圆。结果表明应变硅薄膜完整、均匀、表面平整且晶体质量良好,获得样品中顶层硅最大应力值达2.22 GPa。应用临界厚度理论对样品厚度和应变值之间的关系进行了分析,发现本实验所得样品在超过临界厚度3倍之后会发生应变弛豫。 展开更多
关键词 应变硅 硅薄膜 锗浓缩 临界厚度
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用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料
9
作者 王敬 梁仁荣 +3 位作者 徐阳 刘志弘 许军 钱佩信 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期179-182,共4页
利用减压化学气相沉积技术,制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge01/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底.通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺,有效地降低了表面粗糙度和位错密度.与Ge组分突变相比,采用线性渐变组分后,... 利用减压化学气相沉积技术,制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge01/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底.通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺,有效地降低了表面粗糙度和位错密度.与Ge组分突变相比,采用线性渐变组分后,应变硅材料表面粗糙度从3.07nm减小到0.75nm,位错密度约为5×104 cm-2,表面应变硅层应变度约为0.45%. 展开更多
关键词 应变硅 锗硅虚衬底 减压化学气相沉积
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多层复合结构应变硅材料的生长和特性
10
作者 梁仁荣 王敬 +2 位作者 徐阳 许军 李志坚 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期62-66,共5页
应用减压化学气相沉积技术,在弛豫Si_(0．7)Ge_(0．3)层/组分渐变Si_(1-x)Ge_x层/Si衬底这一多层复合结构的基础上制作了应变硅材料,其中组分渐变Si_(1-x)Ge_x层Ge的摩尔分数x从0线性增加到0．2．对该复合结构的性能进行了表征,由原子... 应用减压化学气相沉积技术,在弛豫Si_(0．7)Ge_(0．3)层/组分渐变Si_(1-x)Ge_x层/Si衬底这一多层复合结构的基础上制作了应变硅材料,其中组分渐变Si_(1-x)Ge_x层Ge的摩尔分数x从0线性增加到0．2．对该复合结构的性能进行了表征,由原子力显傲镜和Raman光谱测试结果计算出应变硅层的表面粗糙度和应变度分别为4．12 nm和1．2%,材料中的位错密度为4×10~4cm^(-2)．经受了高热开销过程后,应变硅层的应变度及其表面形貌基本上保持不变． 展开更多
关键词 无机非金属材料 半导体材料 应变硅 减压化学气楣沉积 锗硅虚拟衬底 多层复合结构
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应变硅MOSFET沟道应变的有限元研究
11
作者 刘海华 段晓峰 徐秋霞 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第5期364-369,共6页
本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布。沟道压应变是利用预非晶化源漏区锗离子注入应变诱导工艺技术引入的。有限元计算结果显示,器件的源漏区很低的锗注入剂量... 本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布。沟道压应变是利用预非晶化源漏区锗离子注入应变诱导工艺技术引入的。有限元计算结果显示,器件的源漏区很低的锗注入剂量在沟道区的顶层造成了很大的压应变,而且在沟道和硅衬底中间形成一个应变过渡层。大角度会聚束电子衍射的动力学模拟结果与有限元计算结果符合很好。 展开更多
关键词 应变硅 场效应晶体管 有限元方法 大角度会聚束电子衍射
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低温制备应变硅沟道MOSFET栅介质研究 被引量：3
12
作者 谭静 李竞春 +2 位作者 杨谟华 徐婉静 张静 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期118-120,124,共4页
　分别对300°C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700°C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究。采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应变硅沟道PMOSFET(W/L=20μm/2μm)跨导可达45mS/mm(300K),阈... 　分别对300°C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700°C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究。采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应变硅沟道PMOSFET(W/L=20μm/2μm)跨导可达45mS/mm(300K),阈值电压为1.2V;在700°C下采用干湿氧结合,制得电学性能良好的栅介质薄膜,并应用于应变硅沟道PMOSFET(W/L=52μm/4.5μm)器件研制,其跨导达到20mS/mm(300K),阈值电压为0.4V。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相淀积 低温热氧化 栅介质 应变硅沟道 MOS器件
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应变硅NMOS晶体管沟道应变的模拟研究 被引量：2
13
作者 张庆东 周东 +2 位作者 顾晓峰 宋立凡 于宗光 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期175-178,共4页
建立了一种基于硅/锗硅异质结构的应变硅NMOS晶体管的有限元模型,通过模拟研究了沟道区的应变分布及其与器件参数的关系。结果表明,提高锗硅虚拟衬底中锗的摩尔组分、减小应变硅层厚度,可以增加沟道应变。此外,应变量还随器件结构长度... 建立了一种基于硅/锗硅异质结构的应变硅NMOS晶体管的有限元模型,通过模拟研究了沟道区的应变分布及其与器件参数的关系。结果表明,提高锗硅虚拟衬底中锗的摩尔组分、减小应变硅层厚度,可以增加沟道应变。此外,应变量还随器件结构长度的增加而增加。研究结果可为应变硅器件的设计、工艺优化提供参考依据。 展开更多
关键词 应变硅 锗硅 N沟道金属氧化物半导体 有限元 模拟
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应变硅pMOS晶体管沟道应变的有限元研究 被引量：2
14
作者 胥传金 顾晓峰 于宗光 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期815-818,共4页
通过有限元方法,研究了一种采用SiGe源漏结构的pMOS晶体管中硅沟道的应变及其分布情况,模拟计算结果与利用会聚束电子衍射方法测量得到的数据能够较好地吻合,验证了模拟模型及方法的正确性。结果表明:提高源漏SiGe中的Ge组分、减小源漏... 通过有限元方法,研究了一种采用SiGe源漏结构的pMOS晶体管中硅沟道的应变及其分布情况,模拟计算结果与利用会聚束电子衍射方法测量得到的数据能够较好地吻合,验证了模拟模型及方法的正确性。结果表明:提高源漏SiGe中的Ge组分、减小源漏间距、增加源漏的刻蚀深度和抬高高度,能有效增加沟道的应变量,为通过控制应变改善载流子迁移率提供了设计依据。 展开更多
关键词 有限元 应变硅 应变 锗硅 PMOS
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高性能绝缘层上应变硅动态阈值MOSFET的设计优化 被引量：1
15
作者 李德斌 梁仁荣 +1 位作者 刘道广 许军 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期72-75,80,共5页
采用二维数值模拟的方法,研究了纳米尺度栅长的绝缘层上应变硅(SSOI)动态阈值(DT) MOSFET的特性,全面分析了台阶型沟道掺杂分布和沟道长度对器件开态和关态特性的影响。结果表明,通过调整轻掺杂的表面沟道和重掺杂的体杂质分布,DT SSOI... 采用二维数值模拟的方法,研究了纳米尺度栅长的绝缘层上应变硅(SSOI)动态阈值(DT) MOSFET的特性,全面分析了台阶型沟道掺杂分布和沟道长度对器件开态和关态特性的影响。结果表明,通过调整轻掺杂的表面沟道和重掺杂的体杂质分布,DT SSOI器件能在较低的电源电压下实现比非DT器件更优的性能,同时不会造成明显的器件关态漏电。从实验结果可以预测,相对于非DT器件而言,DT器件在性能上的这种优势能够保持到32 nm栅长的技术节点。 展开更多
关键词 绝缘层上应变硅 动态阈值 MOSFET 台阶掺杂
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应变硅n-MOSFET中电子迁移率的增强及其温度特性 被引量：1
16
作者 张侃 梁仁荣 +1 位作者 徐阳 许军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期436-439,共4页
采用减压化学气相淀积(RPCVD)技术在弛豫Si_(1-x)Ge_x虚拟衬底上赝晶生长应变硅层,以其为沟道材料制造得到的应变硅n-MOSFET表现出显著的性能提升。研究了通过改变Si_(1-x)Ge_x中Ge的摩尔组分x以改变硅帽层中的应变以及在器件制造流程... 采用减压化学气相淀积(RPCVD)技术在弛豫Si_(1-x)Ge_x虚拟衬底上赝晶生长应变硅层,以其为沟道材料制造得到的应变硅n-MOSFET表现出显著的性能提升。研究了通过改变Si_(1-x)Ge_x中Ge的摩尔组分x以改变硅帽层中的应变以及在器件制造流程中通过控制热开销来避免应变硅层发生弛豫等关键问题。在室温下,相对于体硅器件,应变硅器件表现出约87%的低场电子有效迁移率增强,在相同的过驱动电压下,饱和漏端电流增强约72%。在293 K到353 K的温度范围内研究了反型层电子有效迁移率和饱和漏端电流随温度的变化,实验结果表明,当温度升高时应变硅材料的电子迁移率增强倍数保持稳定。 展开更多
关键词 应变硅 锗硅 迁移率增强 温度特性
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离子注入剥离法制备绝缘体上应变硅及其表征
17
作者 陆子同 母志强 +4 位作者 薛忠营 刘林杰 陈达 狄增峰 张苗 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期522-526,558,共6页
基于弛豫锗硅衬底上生长双轴应变硅技术、离子注入工艺以及选择性腐蚀方法,制备了8英寸(1英寸=2.54 cm)双轴张应变的绝缘体上应变硅(sSOI)材料。利用喇曼光谱分析、缺陷优先腐蚀以及透射电子显微镜(TEM)等方法表征了sSOI材料的应变度、... 基于弛豫锗硅衬底上生长双轴应变硅技术、离子注入工艺以及选择性腐蚀方法,制备了8英寸(1英寸=2.54 cm)双轴张应变的绝缘体上应变硅(sSOI)材料。利用喇曼光谱分析、缺陷优先腐蚀以及透射电子显微镜(TEM)等方法表征了sSOI材料的应变度、缺陷密度以及晶体质量;制备了基于sSOI材料的n型金属-氧化层-半导体场效晶体管(n-MOSFET)以表征其电学性能,同时在相同工艺下制备了基于SOI材料的n-MOSFET器件作对比。结果表明,制备的sSOI材料顶层应变硅薄膜的应变为1.01%,并且在800℃热处理后仍能保持;应变硅薄膜厚度为18 nm,缺陷密度为4.0×104cm-2,具有较高的晶体质量;制备的sSOI n-MOSFET器件的开关电流比(Ion/Ioff)达到108,亚阈值斜率为69.31 mV/dec,相比SOI n-MOSFET,其驱动电流提高了10倍。 展开更多
关键词 离子剥离 绝缘体上应变硅 N-MOSFET 器件电学性能 电子迁移率
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应变硅pMOS反型层中空穴迁移率k·p及蒙特卡罗模拟研究
18
作者 赵寄 邹建平 +1 位作者 谭耀华 余志平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2144-2149,共6页
对应变硅pMOS反型层中的空穴迁移率进行了理论研究.使用应力相关的6能带k·p模型,自洽地求解垂直于沟道方向的一维薛定谔方程与泊松方程,获得反型层中二维空穴气的能带结构.采用蒙特卡罗方法对单轴压应力和双轴张应力情况下的空穴... 对应变硅pMOS反型层中的空穴迁移率进行了理论研究.使用应力相关的6能带k·p模型,自洽地求解垂直于沟道方向的一维薛定谔方程与泊松方程,获得反型层中二维空穴气的能带结构.采用蒙特卡罗方法对单轴压应力和双轴张应力情况下的空穴迁移率进行了模拟研究,得出了沟道迁移率随垂直于沟道电场变化的曲线,并与常规的非应变硅pMOS迁移率进行了比较.模拟结果显示:无论是单轴压应力还是双轴张应力,都使得空穴迁移率增大.当单轴压应力沿着[110]沟道时,迁移率增大的幅度最大,平均增幅可达到170%左右. 展开更多
关键词 应变硅 迁移率 k·p方法 蒙特卡罗模拟
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基于SGOI和CESL结构的新型应变硅NMOSFET的有限元研究
19
作者 周东 张庆东 顾晓峰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期444-447,共4页
应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的。利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化硅CESL应变结构的新型应变硅NMOS-FET。结果表明,与采用单一的SGOI或CESL结构相比,两者共同作用下的新结... 应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的。利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化硅CESL应变结构的新型应变硅NMOS-FET。结果表明,与采用单一的SGOI或CESL结构相比,两者共同作用下的新结构能更有效地提高沟道应变。增加氮化硅薄膜的本征应力、减小应变硅层厚度、适当提高锗组分,均能有效增加硅沟道区的应变量。采用有限元分析进行的模拟研究,可弥补实验测量的不足,为纳米级应变硅器件的设计和制造提供参考。 展开更多
关键词 应变硅 绝缘体上锗硅 接触孔刻蚀阻挡层 NMOS场效应管 有限元分析
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纳米级应变硅MOSFET的有限元与TCAD模拟研究
20
作者 张庆东 周东 顾晓峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期40-43,共4页
基于有限元方法对一款具有SiGe源/漏结构的纳米PMOSEFT进行了建模与分析,沟道应变的计算结果与CBED实验测量值呈现良好的一致性,最小误差仅为1.02×10-4。对新型的SiC源/漏结构的纳米NMOSFET的类似研究表明,栅长越短,应变对沟道的... 基于有限元方法对一款具有SiGe源/漏结构的纳米PMOSEFT进行了建模与分析,沟道应变的计算结果与CBED实验测量值呈现良好的一致性,最小误差仅为1.02×10-4。对新型的SiC源/漏结构的纳米NMOSFET的类似研究表明,栅长越短,应变对沟道的影响越显著。另一方面,采用TCAD工具Sentaurus通过工艺级仿真生成了栅长为50 nm的SiGe源/漏结构的PMOSFET模型,计算所得饱和驱动电流与实际制作的器件相差仅约20μA/μm。研究表明有限元法与TCAD两种模拟技术可有效地用于纳米级应变硅器件的设计与优化。 展开更多
关键词 应变硅 金属氧化物半导体场效应管 有限元分析 工艺与器件的计算机辅助设计
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