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平均键能方法在应变层异质结带阶研究中的应用 被引量：4
1
作者 李书平 王仁智 +2 位作者 郑永梅 蔡淑惠 何国敏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期1441-1446,共6页
将平均键能方法推广应用于应变层异质结的带阶研究 .通过流体静压力应变和单轴应变对带阶参量Emv作用的仔细研究 ,发现平均带阶参量Emv,av=Em-Ev ,av在不同应变状态下基本上保持不变 .因此 ,在应变层带阶参量Emv的计算中 ,只需计算其发... 将平均键能方法推广应用于应变层异质结的带阶研究 .通过流体静压力应变和单轴应变对带阶参量Emv作用的仔细研究 ,发现平均带阶参量Emv,av=Em-Ev ,av在不同应变状态下基本上保持不变 .因此 ,在应变层带阶参量Emv的计算中 ,只需计算其发生应变前体材料的带阶参量Emv,o值并引用形变势b和SO裂距Δ0 的实验值 ,通过简便的代数运算得到应变层的Emv值 ,从而方便地预言不同应变层异质结的带阶 .该简化计算方案计算量小 。 展开更多
关键词 异质结 平均键能方法 半导体 应变层 带阶
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Schottky势垒高度理论计算中的平均键能方法 被引量：2
2
作者 李书平 王仁智 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期542-546,共5页
以平均键能Em 作为参考能级 ,计算了 10种不同半导体的Schottky接触势垒高度 ,计算值与实验值符合较好 .计算值与实验值的符合程度与Tersoff的电中性能级EB 方法相当 ,优于Harrison和Cardona等人采用sp3平均杂化能εh和介电函数隙中能级... 以平均键能Em 作为参考能级 ,计算了 10种不同半导体的Schottky接触势垒高度 ,计算值与实验值符合较好 .计算值与实验值的符合程度与Tersoff的电中性能级EB 方法相当 ,优于Harrison和Cardona等人采用sp3平均杂化能εh和介电函数隙中能级ED 的计算结果 . 展开更多
关键词 Schottky势垒高度 平均键能方法 费米能级 计算方法 二极管 肖特基势垒 金属-半导体接触
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半导体形变势及其应变层异质结带阶
3
作者 李书平 王仁智 +1 位作者 郑永梅 蔡淑惠 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期670-675,共6页
采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法，并通过 Ｉｎ Ｐ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｉｎ Ｐ／ Ｇａ Ｐ、 Ｇａ Ａｓ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｇａ Ｐ／ Ｇａ Ａｓ、 Ａｌ Ａｓ／ Ｉｎ Ａｓ 等应变... 采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法，并通过 Ｉｎ Ｐ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｉｎ Ｐ／ Ｇａ Ｐ、 Ｇａ Ａｓ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｇａ Ｐ／ Ｇａ Ａｓ、 Ａｌ Ａｓ／ Ｉｎ Ａｓ 等应变层异质结在不同应变情况下的价带带阶计算，并证实了该方法的实用性． 展开更多
关键词 异质结带阶 平均键能方法 形变势 半导体
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三组三元合金异质结的价带带阶
4
作者 郑金成 王仁智 +1 位作者 郑永梅 蔡淑惠 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期20-26,共7页
采用基于LMTO－ASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法，研究了三组典型的晶格匹配三元合金异质结（GaAs）x（Ge2）1-x／GaAs，（AlAs）x（Ge2）1-x／GaAs和AlxGa1-xAs／GaAs的价带带阶△Ev（x）值。研究表明：AlxGa1-xAs／GaAs异质... 采用基于LMTO－ASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法，研究了三组典型的晶格匹配三元合金异质结（GaAs）x（Ge2）1-x／GaAs，（AlAs）x（Ge2）1-x／GaAs和AlxGa1-xAs／GaAs的价带带阶△Ev（x）值。研究表明：AlxGa1-xAs／GaAs异质结的Mv（x）值随合金组分x的变化接近于线性；（GaAs）x（Ge2）1-x／GaAs和（AlAs）x（Ge2）1-x／GaAs的△Ev（x）值随合金组分x的变化是非线性的。△Ev（x）的理论计算值与实验结果相当符合。 展开更多
关键词 半导体 异质结 价带带阶 平均键能方法
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