富硅氧化硅微盘的制备研究

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作者 陈曜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期899-902,共4页

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及高温退火工艺制备了富硅氧化硅(SRSO)薄膜材料。喇曼光谱仪探测表明,该材料具有较高的光致发光(PL)效率,并在750 nm波长处达到发光峰值。采用电子束光刻(EBL)及电感耦合反应离子刻蚀(ICP)技术在S... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及高温退火工艺制备了富硅氧化硅(SRSO)薄膜材料。喇曼光谱仪探测表明,该材料具有较高的光致发光(PL)效率,并在750 nm波长处达到发光峰值。采用电子束光刻(EBL)及电感耦合反应离子刻蚀(ICP)技术在Si衬底上制备了基于富硅氧化硅材料的光学微盘结构。为防止Si衬底的光吸收,在反应离子刻蚀(RIE)系统中研究出一种各向同性的刻蚀工艺,有效使微盘与Si衬底分离。扫描电镜(SEM)探测表明,该工艺具有良好的尺寸控制及高稳定性。利用该工艺,成功制备了直径为4μm的富硅氧化硅微盘器件。 展开更多

关键词 富硅氧化硅 光致发光 各向同性 微盘 微加工

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掺铒富硅氧化硅发光器件电致发光衰减机制 被引量：1

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作者 张慧玉 赵静 +2 位作者 郭强 刘海旭 丁文革 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2017年第4期360-363,共4页

首先采用多靶射频磁控共溅射结合后退火工艺制备了掺Er富硅氧化硅MIS(金属-绝缘体-半导体结构)电致发光器件,然后通过电致发光(EL)以及电流-电压(I-U)特性测量对发光器件的光电性能进行表征.最后,通过对比不同富硅含量的发光器件的载流... 首先采用多靶射频磁控共溅射结合后退火工艺制备了掺Er富硅氧化硅MIS(金属-绝缘体-半导体结构)电致发光器件,然后通过电致发光(EL)以及电流-电压(I-U)特性测量对发光器件的光电性能进行表征.最后,通过对比不同富硅含量的发光器件的载流子输运机制,并通过分析器件中的电荷俘获过程,对富硅氧化硅器件中铒离子电致发光的激发和猝灭机制进行了解释.结果表明:富硅的存在改变了MIS发光器件中的载流子输运过程,造成外加电场下注入的电子能量降低,进而降低Er离子发光中心的激发效率;而富硅引入的缺陷态会引起电荷俘获及俄歇效应,也会使得发光中心发生非辐射复合过程. 展开更多

关键词 掺铒富硅氧化硅 电致发光 载流子输运 电荷俘获

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掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光 被引量：4

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作者 雷红兵 杨沁清 +3 位作者 朱家廉 王红杰 高俊华 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期67-71,共5页

本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性．富硅氧化硅薄膜（氧含量为６０％）采用ＰＥＣＶＤ方法生长，室温下离子注入铒，经过８００℃，５ｍｉｎ的退火，在１０～３００Ｋ温度下得到较强的波长１．５４μｍ光致发光．发光强度随温... 本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性．富硅氧化硅薄膜（氧含量为６０％）采用ＰＥＣＶＤ方法生长，室温下离子注入铒，经过８００℃，５ｍｉｎ的退火，在１０～３００Ｋ温度下得到较强的波长１．５４μｍ光致发光．发光强度随温度升高而下降，其温度猝灭激活能为１４．３ｍｅＶ．发光谱表明富硅氧化硅中Ｅｒ－Ｏ发光中心仍具有Ｔｄ对称性． 展开更多

关键词 光致发光 富硅氧化硅薄膜 掺杂 铒 氧化硅薄膜

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室温下掺Er富硅氧化硅和掺Er富硅氮化硅的光致发光及其退火

4

作者 袁放成 冉广照 +6 位作者 陈源 张伯蕊 乔永平 付济时 秦国刚 马振昌 宗婉华 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期 763-765,共3页

用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜,室温下测量这四种薄膜的光致发光(PL)谱,观察到这四种薄膜都具有1.54 μm的峰位,其强度与薄膜的退火温度有关.为了确定1.54 μm PL的最佳退火温度,这些薄膜... 用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜,室温下测量这四种薄膜的光致发光(PL)谱,观察到这四种薄膜都具有1.54 μm的峰位,其强度与薄膜的退火温度有关.为了确定1.54 μm PL的最佳退火温度,这些薄膜都分别在600,700,800,900,1 000,1 100℃的温度下同时退火,发现两种富硅薄膜的最佳退火温度是800℃,不富硅的两种薄膜的最佳退火温度是900℃.样品的1.54 μm PL最强,且800℃退火的掺Er富硅氧化硅薄膜的1.54 μm峰强度是最强的,比不富硅的强了约20倍,还观察到这四种薄膜都具有1.38 μm的PL带,且掺Er富硅氧化硅和掺Er富硅氮化硅这两种薄膜的PL在强度上1.38 μm峰与1.54 μm峰有一定的关系. 展开更多

关键词 铒 富硅氧化硅 富硅氮化硅 光致发光 纳米硅 退火 薄膜 掺杂 半导体

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离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光

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作者 张昌盛 肖海波 +3 位作者 王永进 陈志君 程新利 张峰 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2004年第2期151-154,共4页

利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化。试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶... 利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化。试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶硅(a-Si),注入的Er离子分布在非晶硅中。通过非晶硅与硅纳米晶相耦合,非晶硅吸收部分硅纳米晶对Er的激发能量,降低了Er的激发效率;在T>150K时,激发态Er与非晶硅间的能量背迁移降低了Er的发光效率。 展开更多

关键词 ER 富硅氧化硅 光致发光 温度淬灭

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热处理温度及掺硼对富硅氧化硅发光的影响

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作者 刘国华 高宇晗 +2 位作者 曹佳浩 李东升 杨德仁 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期519-522,614,共5页

利用等离子体增强化学气相沉积制备了未掺杂与掺硼富硅氧化硅薄膜。在高纯N2气氛中经过600℃、800℃和1100℃热处理,发现随着热处理温度的升高,富硅氧化硅薄膜的光致发光发生了明显红移。这表明薄膜的光致发光来源逐渐由薄膜中的发光中... 利用等离子体增强化学气相沉积制备了未掺杂与掺硼富硅氧化硅薄膜。在高纯N2气氛中经过600℃、800℃和1100℃热处理,发现随着热处理温度的升高,富硅氧化硅薄膜的光致发光发生了明显红移。这表明薄膜的光致发光来源逐渐由薄膜中的发光中心演变为硅纳米晶。在经过1100℃热处理的未掺杂与掺硼样品中,掺硼样品光致发光强度有明显减弱,这是由俄歇复合效应引起的。此外,在ESR测试谱中,掺硼样品的g因子为2.0020,这表明掺硼可以在薄膜基体和硅纳米晶之间的界面引入发光中心。 展开更多

关键词 富硅氧化硅薄膜 热处理温度 掺硼 发光中心 硅纳米晶

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快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响 被引量：3

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作者 王永谦 陈维德 +5 位作者 陈长勇 刁宏伟 张世斌 徐艳月 孔光临 廖显伯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期1564-1570,共7页

采用micro Raman散射、傅里叶变换红外吸收谱和光致发光谱研究了快速热退火及氢等离子体处理对等离子体增强化学气相沉积法 2 0 0℃衬底温度下生长的富硅氧化硅 (SRSO)薄膜微结构和发光的影响 .研究发现 ,在 30 0—6 0 0℃范围内退火 ,S... 采用micro Raman散射、傅里叶变换红外吸收谱和光致发光谱研究了快速热退火及氢等离子体处理对等离子体增强化学气相沉积法 2 0 0℃衬底温度下生长的富硅氧化硅 (SRSO)薄膜微结构和发光的影响 .研究发现 ,在 30 0—6 0 0℃范围内退火 ,SRSO薄膜中非晶硅和SiOx∶H两相之间的相分离程度随退火温度升高趋于减小 ;而在 6 0 0—90 0℃范围内退火 ,其相分离程度随退火温度升高又趋于增大 ;同时发现SRSO薄膜发光先是随退火温度的升高显著加强 ,然后在退火温度达到和超过 6 0 0℃后迅速减弱 ;发光峰位在 30 0℃退火后蓝移 ,此后随退火温度升高逐渐红移 .对不同温度退火后的薄膜进行氢等离子体处理 ,发光强度不同程度有所增强 ,发光峰位有所移动 ,但不同温度退火样品发光增强的幅度和峰位移动的趋势不同 .分析认为退火能够引起薄膜中非晶硅颗粒尺度、颗粒表面结构状态以及氢的存在和分布等方面的变化 .结果表明不仅颗粒的尺度大小 ,而且颗粒表面的结构状态都对非晶硅颗粒能带结构和光生载流子复合机理发挥重要影响 . 展开更多

关键词 氢等离子体处理 富硅氧化硅薄膜 微结构 发光 快速热退火

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富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究 被引量：1

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作者 马书懿 秦国刚 +4 位作者 马振昌 宗婉华 吴正龙 姚光庆 孟祥提 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第10期740-744,共5页

以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电... 以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电子能谱、光吸收和光致发光测量确定出：随着硅在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纯硅（纳米硅）的量在增加，纳米硅粒的平均光学带隙在减小；但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于１．９ｅＶ，随硅在溅射靶中面积比增加，发光峰有很小的红移，其红移量远小于纳米硅粒的平均光学带隙的减少量．以上实验结果与量子限制模型矛盾，却可用量子限制－发光中心模型解释． 展开更多

关键词 富硅二氧化硅 氧化硅薄膜 光致发光

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含纳米硅微粒的富硅二氧化硅的蓝色薄膜交流电致发光 被引量：1

9

作者 孙甲明 钟国柱 +1 位作者 范希武 李长华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期227-229,共3页

用磁控射频反应溅射制备了含纳米硅微粒的富硅ＳｉＯ２薄膜并获得了蓝色的交流薄膜电致发光．通过热退火结合喇曼散射等手段判定蓝色发光谱带与富硅ＳｉＯ２薄膜的纳米硅晶粒有关．

关键词 硅量子点 富硅二氧化硅 电致发光 纳米硅 薄膜

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含铝的富硅二氧化硅薄膜的发光特性及结构

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作者 李群 严勇健 +2 位作者 成珏飞 吴雪梅 诸葛兰剑 《微细加工技术》 2004年第2期42-46,共5页

采用双离子束共溅射技术制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜(AlSiO),采用荧光分光光度计对样品进行PL测试表明:AlSiO复合膜共有三个发光峰,分别在370nm、410nm、510nm处。发光峰的位置随铝含量的变化基本上没有改变,峰强随铝含量有变化,... 采用双离子束共溅射技术制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜(AlSiO),采用荧光分光光度计对样品进行PL测试表明:AlSiO复合膜共有三个发光峰,分别在370nm、410nm、510nm处。发光峰的位置随铝含量的变化基本上没有改变,峰强随铝含量有变化,且510nm处的峰强随铝含量增加而增强。PLE结果表明:370nm和410nm的PL峰与样品中的氧空位缺陷有关,而510nm的PL峰则是由于铝的掺入改变了样品中的缺陷状态所致,是Al、Si、O共同而复杂的作用。 展开更多

关键词 铝 掺杂 富硅二氧化硅 光致发光

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氧化硅中纳米晶硅薄膜的低温沉积及其键合特性研究 被引量：2

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作者 于威 王建涛 +3 位作者 李云 郭少刚 朱海荣 傅广生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1035-1040,共6页

以Ar和H2为溅射气体,采用Si和SiO2双靶活性溅射技术实现了镶嵌纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜的300℃低温生长,并分析了氢气掺入对薄膜微观结构及键合特性的影响。结果表明,氢气流量比的增加导致纳米硅粒子尺寸增加,而生长速率... 以Ar和H2为溅射气体,采用Si和SiO2双靶活性溅射技术实现了镶嵌纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜的300℃低温生长,并分析了氢气掺入对薄膜微观结构及键合特性的影响。结果表明,氢气流量比的增加导致纳米硅粒子尺寸增加,而生长速率逐渐减小。薄膜中Si-O键合结构以Si(O4)键为主,随H2流量比的增加,Si-O4-nSin(n=0,1)键密度减小,Si-O4-nSin(n=2,3)和SiH2键密度持续增加,而所对应Si-H键密度呈现先减小后增加趋势,该结果可解释为等离子体内氢原子对反应前驱物中氧的去除效应增强和氢原子与表面氧的解吸附反应几率的增加。 展开更多

关键词 纳米晶硅 富硅氧化硅 低温沉积 微结构

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刻划的富硅二氧化硅/p-Si结构的光致发光和电致发光 被引量：2

12

作者 孙永科 崔晓明 +3 位作者 张伯蕊 秦国刚 马振昌 宗婉华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期573-579,共7页

以磁控溅射方法于 p- Si上淀积富硅二氧化硅 ,形成富硅二氧化硅 /p- Si结构 ,用金刚刀在其正面刻划出方形网格后在 N2 气氛中退火 ,其光致发光 (PL)谱与未刻划的经同样条件退火的对比样品的 PL 谱有很大不同 .未刻划样品的 PL 谱只有一... 以磁控溅射方法于 p- Si上淀积富硅二氧化硅 ,形成富硅二氧化硅 /p- Si结构 ,用金刚刀在其正面刻划出方形网格后在 N2 气氛中退火 ,其光致发光 (PL)谱与未刻划的经同样条件退火的对比样品的 PL 谱有很大不同 .未刻划样品的 PL 谱只有一个峰 ,位于 840 nm (1.48e V) ,而刻划样品的 PL 谱是双峰结构 ,峰位分别位于 6 30 nm(1.97e V)和 840 nm.80 0℃退火的刻划富硅二氧化硅 /p- Si样品在背面蒸铝制成欧姆接触和正面蒸上半透明金电极后在正向偏压 10 V下的电致发光 (EL)强度约为同样制备的未经刻划样品在同样测试条件下的 EL 强度的 6倍 .EL 谱形状也有明显不同 ,表现在 :未经刻划样品的 EL 谱可以分解为两个高斯峰 ,峰位分别位于 1.83e V和2 .2 3e V;而在刻划样品 EL 谱中 1.83e V发光峰大幅度增强 ,还产生了一个新的能量为 3.0 e V的发光峰 .认为刻划造成的高密度缺陷区为氧化硅提供了新的发光中心并对其中某些杂质起了吸除作用 ,导致 PL 和 EL 光谱改变 . 展开更多

关键词 光致发光 电致发光 富硅二氧化硅 刻划 P-Si结构

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富硅二氧化硅薄膜的蓝色荧光特性研究 被引量：1

13

作者 肖淑娟 《上海海运学院学报》 北大核心 2003年第1期60-62,共3页

用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。红外 (IR)透射光谱表明退火过程中发生2SiOx→xSiO2 +(2 -x)Si化学反应。SiO2 与纳米晶硅 (nc -Si)界面上与氧有关的缺陷 (NBOHC)是蓝光发射 (2 .8eV)的主要原因。用纯二氧化硅靶制备的样品有 ... 用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。红外 (IR)透射光谱表明退火过程中发生2SiOx→xSiO2 +(2 -x)Si化学反应。SiO2 与纳米晶硅 (nc -Si)界面上与氧有关的缺陷 (NBOHC)是蓝光发射 (2 .8eV)的主要原因。用纯二氧化硅靶制备的样品有 1.8eV的发光 ,可能与硅缺陷有关。 展开更多

关键词 富硅二氧化硅薄膜 蓝光发射 非桥键氧空穴中心

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铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构 被引量：2

14

作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期758-762,共5页

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,... 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5 展开更多

关键词 MEVVA离子源 半导体薄膜 铒 光致发光 显微结构 掺杂 SiO2/Si发光薄膜 富硅氧化硅 光谱

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磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er^(3+) 1.54μm光致发光 被引量：17

15

作者 袁放成 冉广照 +6 位作者 陈源 张伯蕊 乔永平 傅济时 秦国刚 马振昌 宗婉华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期2487-2491,共5页

用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜 .室温下测量其光致发光谱 ,观察到各谱中都含有 1.5 4和 1.38μm两个发光峰 ,其中 1.5 4和 1.38μm的光致发光峰分别来自Er3+ 和氧化硅中某种缺陷 .系统研究了Er3+ 1.5 4μm光致发光峰... 用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜 .室温下测量其光致发光谱 ,观察到各谱中都含有 1.5 4和 1.38μm两个发光峰 ,其中 1.5 4和 1.38μm的光致发光峰分别来自Er3+ 和氧化硅中某种缺陷 .系统研究了Er3+ 1.5 4μm光致发光峰强度对富Si程度及退火温度的依赖关系 .还发现 1.5 4μm发光峰强度与 1.38μm发光峰强度相互关联 。 展开更多

关键词 ER 富Si氧化硅 光致发光 纳米硅 薄膜 铒 富硅氧化硅 磁控溅射

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掺铒纳米晶硅和掺铒非晶纳米硅薄膜的发光性质 被引量：4

16

作者 陈维德 陈长勇 卞留芳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期647-650,共4页

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的S iO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-S iOx∶H)薄膜。采用离子注入和高温退火方法将稀土Er掺入含有纳米晶硅(nc-S i)和非晶纳米硅(a-n-S i)颗粒的基体中。利... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的S iO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-S iOx∶H)薄膜。采用离子注入和高温退火方法将稀土Er掺入含有纳米晶硅(nc-S i)和非晶纳米硅(a-n-S i)颗粒的基体中。利用IFS/20HR傅里叶变换红外光谱仪和微区拉曼散射光谱仪研究含有纳米晶硅和非晶纳米硅颗粒的薄膜掺稀土前后的发光特性。结果表明来自nc-S i在800 nm的发光强度比来自a-S iOx∶H基体中非晶纳米硅的发光强度高近一个数量级,而来自a-S iOx∶H在1.54μm的发光强度比NCSO高4倍。还研究了掺铒a-S iOx∶H薄膜中S i颗粒和Er3+的发光强度随退火温度的变化,结合掺铒纳米晶硅和非晶纳米硅薄膜发光强度随Er掺杂浓度变化和Ram an散射等的测量结果,进一步明确指出a-S i颗粒在Er3+的激发中可以起到和nc-S i同样的作用,即作为光吸收介质和敏化剂的作用。 展开更多

关键词 稀土 离子注入 纳米硅 富硅氧化硅

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硅含量对SiO_x薄膜光学和电学性能的影响 被引量：5

17

作者 陈乐 谢敏 +2 位作者 金璐 王锋 杨德仁 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期651-654,共4页

利用射频磁控溅射法通过调节硅(Si)靶的溅射功率制备了不同的富硅氧化硅(SiOx,1<x<2)薄膜。通过高温热处理,得到了镶嵌在SiOx薄膜中的硅纳米晶(Si-NCs)。而SiOx薄膜热处理后的光致发光(PL)强度及其MOS器件的导电性都存在随其硅含... 利用射频磁控溅射法通过调节硅(Si)靶的溅射功率制备了不同的富硅氧化硅(SiOx,1<x<2)薄膜。通过高温热处理,得到了镶嵌在SiOx薄膜中的硅纳米晶(Si-NCs)。而SiOx薄膜热处理后的光致发光(PL)强度及其MOS器件的导电性都存在随其硅含量的增大而先增强后减弱的趋势,且光致发光有一定的红移现象。这是由于随着硅含量的增大,SiOx薄膜中Si-NCs的结构与分布发生改变,形成"接触"Si-NCs,从而使得光学和电学性能发生改变。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 富硅氧化硅 硅纳米晶 光致发光 导电性

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富Si-SiO_2薄膜的制备、结构及光致发光特性的研究 被引量：1

18

作者 吴雪梅 董业民 +4 位作者 汤乃云 叶春暖 诸葛兰剑 宁兆元 姚伟国 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第1期64-68,共5页

利用双离子束溅射沉积共溅射方法制备了富Si SiO2 薄膜 ,研究了沉积参数、时间、工作气压PAr、基片温度等对沉积速率的影响 ,用TEM和XRD分析了样品的结构 ,当基片温度Ts <4 50℃时 ,所制备一系列样品均为非晶结构 ,当沉积基片温度较... 利用双离子束溅射沉积共溅射方法制备了富Si SiO2 薄膜 ,研究了沉积参数、时间、工作气压PAr、基片温度等对沉积速率的影响 ,用TEM和XRD分析了样品的结构 ,当基片温度Ts <4 50℃时 ,所制备一系列样品均为非晶结构 ,当沉积基片温度较高时 (Ts ≥4 50℃ ) ,薄膜样品中才出现Si的颗粒 我们还分析了样品的室温光致发光现象 ,从PL谱中可以看出 ,样品有～ 32 0nm、～ 4 10nm、～ 560nm和～ 630nm四个PL峰 。 展开更多

关键词 共溅射 光致发光 富硅-二氧化硅薄膜 制备工艺 半导体材料 发光材料 发光机理

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掺铒硅基材料发光的研究进展

19

作者 丁瑞钦 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第2期15-17,20,共4页

对近几年来几种掺饵硅基材料的发光特性及光致发光和电致发光的机理的研究进展作综合介绍,并对掺铒硅基材料发光今后的研究发展提出自己的一些看法。

关键词 硅基材料 铒 能量转移 掺杂 光致发光 电致发光 氢化非晶硅 富硅二氧化硅 晶体硅 多晶硅

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Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应

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作者 于振瑞 杜金会 +2 位作者 张加友 李长安 Aceves M 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1180-1184,共5页

利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 .用L PCVD法在 n型 Si衬底上沉积 SRO材料 ,通过 C- V测量研究其电荷俘获性质 .发现对于 n型 Si衬底 ,在横向电压作用下 ,SRO层能够俘获正电... 利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 .用L PCVD法在 n型 Si衬底上沉积 SRO材料 ,通过 C- V测量研究其电荷俘获性质 .发现对于 n型 Si衬底 ,在横向电压作用下 ,SRO层能够俘获正电荷 ,电荷俘获效应与 SRO层的性质有关 .基于电位在器件内部的分布及诱导 pn结的形成 。 展开更多

关键词 富硅氧化硅 电荷俘获效应 C-V测试 诱导pn结

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