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基于碳纳米管阵列的高响应光电探测器件
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作者 张勇 杨扬 +3 位作者 章灿然 陶晖 王琦龙 李忠辉 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第2期F0003-F0003,共1页
纳米管(Carbon nanotube,CNT)具有纳米级特征尺寸、独特的一维能带结构、极大的比表面积和多种排布形态,吸收波长覆盖太赫兹至紫外波段,吸收率高;半导体型单壁碳纳米管拥有直接带隙,禁带宽度随手性不同在0.1 eV至1 eV以上均有分布,可实... 纳米管(Carbon nanotube,CNT)具有纳米级特征尺寸、独特的一维能带结构、极大的比表面积和多种排布形态,吸收波长覆盖太赫兹至紫外波段,吸收率高;半导体型单壁碳纳米管拥有直接带隙,禁带宽度随手性不同在0.1 eV至1 eV以上均有分布,可实现室温弹道输运,是构建片上高响应、超宽带、超快可调光电探测器件的新型潜力材料。南京电子器件研究所采用高纯度半导体型碳纳米管阵列材料设计制备了多种红外—光电探测器件,其中叉指型光电探测器件通过缩短电极间距降低渡越时间提高响应速度、构造功函数不同的非对称电极促进光生空穴—电子对分离提高响应度、增加栅控有效调控多数载流子降低暗电流,实现了300 A/W以上的优异响应度,响应时间<30μs。进一步联合东南大学,首次在碳纳米管光电探测器件中引入硅光波导与金属狭缝结构,激发等离激元局域光场增强与耦合,在1550 nm通信波段获得高响应特性,3dB带宽达15GHz。未来通过构建异质结及叠层结构,有望进一步降低暗电流,并开发取向阵列的偏振敏感特性,助力碳基电子学及光电子学的应用发展。 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 单壁碳纳米管 多数载流子 光电子学 响应度 渡越时间 叠层结构 等离激元
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深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性 被引量:5
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作者 蔡志军 巴维真 +2 位作者 陈朝阳 崔志明 丛秀云 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1140-1143,共4页
为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂... 为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂质的补偿程度有关. 展开更多
关键词 深能级杂质 费米能级 多数载流子 补偿度
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空间用GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的抗辐照性能及退化机制研究 被引量:3
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作者 马大燕 陈诺夫 +4 位作者 陶泉丽 赵宏宇 刘虎 白一鸣 陈吉堃 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第A02期12-16,共5页
利用TFC光学膜系设计软件,设计出空间用GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池的分布式布拉格反射器(DBR)。由15对Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As组成的布拉格反射器在中心波长850 nm处反射率高达96%,可以使800~900 nm波段内红外光有效反射后被二... 利用TFC光学膜系设计软件,设计出空间用GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池的分布式布拉格反射器(DBR)。由15对Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As组成的布拉格反射器在中心波长850 nm处反射率高达96%,可以使800~900 nm波段内红外光有效反射后被二次吸收,提高了Ga As子电池的抗辐照能力。通过对两种电池结构A、B地面模拟辐照试验获得1 Me V电子辐照下Ga In P/Ga As/Ge太阳电池电学参数随辐照注量退化的基本规律。在此基础上应用PC1D模拟程序分析太阳电池内部的载流子输运机理,建立1 Me V电子辐照下两种电池结构中多数载流子浓度和少数载流子扩散长度随辐照电子注量变化的基本规律。研究结果表明,多数载流子浓度和少数载流子扩散长度均随入射电子注量的增大而减小,同时原电池结构A中多数载流子去除率和少数载流子扩散长度损伤系数明显高于新电池结构B,由此表明包含布拉格反射器的新电池结构具有更强的抗辐照能力。 展开更多
关键词 布拉格反射器 抗辐照 PC1D 多数载流子浓度 少数载流子扩散长度
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一种新型的低导通电阻折叠硅SOI LDMOS 被引量:3
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作者 段宝兴 张波 李肇基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1814-1817,共4页
提出了一种具有折叠硅表面SOI-LDMOS(FSOI-LDMOS)新结构.它是将硅表面从沟道到漏端的导电层刻蚀成相互排列的折叠状,且将栅电极在较薄的场氧化层上一直扩展到漏端.由于扩展栅电极的电场调制作用使FSOI-LDMOS在比一般SOI-LDMOS浓度高的... 提出了一种具有折叠硅表面SOI-LDMOS(FSOI-LDMOS)新结构.它是将硅表面从沟道到漏端的导电层刻蚀成相互排列的折叠状,且将栅电极在较薄的场氧化层上一直扩展到漏端.由于扩展栅电极的电场调制作用使FSOI-LDMOS在比一般SOI-LDMOS浓度高的漂移区表面,包括折叠硅槽侧面形成多数载流子积累,积累的多数载流子大大降低了漂移区的导通电阻.并且沟道反型层浓度基于折叠的硅表面而双倍增加,沟道导通电阻降低.通过三维仿真软件ISE分析,这种结构可以在低于40V左右的击穿电压下,获得超低的比导通电阻. 展开更多
关键词 折叠硅 SOI LDMOS 多数载流子积累 击穿电压 比导通电阻
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场效应晶体管在低温下的实验研究
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作者 徐维杰 刘录 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 1993年第1期68-72,共5页
作者对场效应晶体管在温度变化范围为293K^10K之间进行了仔细的测试,并且分析和讨论了实验结果.
关键词 多数载流子 跨导 场效应晶体管
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大有发展前途的新型半导体器件——静电感应晶体管和静电感应晶闸管
6
作者 方凯 王荣 罗永春 《微处理机》 1990年第2期32-39,共8页
为了满足和推动电子器件向高频大功率方向发展,寻求一种新型晶体管,即静电感应晶体管(static induction transistor:SIT),也称为第三种类型晶体管。本文较为详细的阐述其组成结构工作原理和实验特性。并指出结构设计和工艺概要。
关键词 静电感应晶体管 静电感应晶闸管 半导体器件 transistor 功率方向 场效应晶体管 结构设计 多数载流子 极型 五极管
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新型热离子光电探测器 被引量:1
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作者 陈钟谋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期109-111,共3页
本文给出了一种新型热离子光电探测器的结构、特性和理论。这种多数载流子器件,在基本结构上异于普通的p-i-n光电两极管,雪崩两极管及光电三极管,而又区别于其它多子器件:①存在着一个大的中央p+n-结区域,它在功能上类似... 本文给出了一种新型热离子光电探测器的结构、特性和理论。这种多数载流子器件,在基本结构上异于普通的p-i-n光电两极管,雪崩两极管及光电三极管,而又区别于其它多子器件:①存在着一个大的中央p+n-结区域,它在功能上类似空穴存储库。③在pn两极管的周围处有一个特殊形状的n++p+n-框架结构。普通光电两极管在633nm的绝对灵敏度为0.35A/W,新器件为1.36A/W。 展开更多
关键词 热离子 光电二极管 多数载流子 传输
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碲镉汞红外焦平面阵列探测器技术的最新进展(下) 被引量:2
8
作者 高国龙 《红外》 CAS 2018年第3期44-48,共5页
为了抑制暗电流进而提高工作温度,最近有人提出了一种基于单极nBn结构的新型红外探测器体系机构。图4示出了nBn探测器的能带草图,它包括一个n型窄带隙吸收区、一层与之耦联的宽带隙势垒薄膜以及随后的一个窄带隙接触区。这种nBn器件... 为了抑制暗电流进而提高工作温度,最近有人提出了一种基于单极nBn结构的新型红外探测器体系机构。图4示出了nBn探测器的能带草图,它包括一个n型窄带隙吸收区、一层与之耦联的宽带隙势垒薄膜以及随后的一个窄带隙接触区。这种nBn器件的应用的关键点在于它在保持大的导带偏移的同时能保持0价带偏移(对于少数空穴来说就是无势垒)。这种势垒安排允许光生少数载流子空穴即使在非常低的偏压下也能流向未受阻的接触区,同时又能使导带中的大能量势垒阻挡住多数载流子的暗电流、再次注入的光电流和表面电流。 展开更多
关键词 阵列探测器 红外焦平面 碲镉汞 技术 价带偏移 红外探测器 少数载流子 多数载流子
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知识窗
9
《制造技术与机床》 北大核心 2018年第9期108-108,共1页
场效应晶体管(field effect transistor(FET))利用电场效应改变半导体导电性能的原理而制成的晶体管。工作时参加导电的只有一种载流子(多数载流子空穴或电子),故又称单极型晶体管。由于外控电场是由外加电压作用的,又称电压控制器件。... 场效应晶体管(field effect transistor(FET))利用电场效应改变半导体导电性能的原理而制成的晶体管。工作时参加导电的只有一种载流子(多数载流子空穴或电子),故又称单极型晶体管。由于外控电场是由外加电压作用的,又称电压控制器件。具有输入阻抗高、噪声小,抗幅射能力强、制造工艺简单的特点。 展开更多
关键词 场效应晶体管 多数载流子 知识 导电性能 电场效应 外加电压 控制器件 输入阻抗
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产品资讯
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《电源技术应用》 2015年第8期I0005-I0006,共2页
金升阳SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源 以Si为衬底的Mosfet管因为其输入阻抗高,驱动功率小,驱动电路简单,具有靠多数载流子工作导电特性,没有少数载流子导电工作所需要的存储时间,
关键词 MOSFET管 资讯 产品 导电特性 多数载流子 少数载流子 驱动电源 输入阻抗
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电子设计工程师认证综合知识辅导讲座(7) 第四讲 半导体器件(上)
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作者 孙景琪 《电子世界》 2010年第9期38-42,共5页
一、半导体二极管(一)问答题1、何谓半导体?常用的半导体材料有哪些?它们有何特点?2、何谓本征半导体?它有什么特色?3、何谓N型半导体?N型半导体中的多数载流子(多子)是什么?少数载流子(少子)是什么?4、何谓P型半导体?P... 一、半导体二极管(一)问答题1、何谓半导体?常用的半导体材料有哪些?它们有何特点?2、何谓本征半导体?它有什么特色?3、何谓N型半导体?N型半导体中的多数载流子(多子)是什么?少数载流子(少子)是什么?4、何谓P型半导体?P型半导体中的多数载流子(多子)是什么?少数载流子(少子)是什么?5、N型或P型半导体中的多数载流子与少数载流子的数量与什么因素有关?6、何谓PN结?它有何特性? 展开更多
关键词 半导体器件 设计工程师 综合知识 N型半导体 多数载流子 少数载流子 P型半导体 讲座
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DPLL implementation in carrier acquisition and tracking for burst DS-CDMA receivers 被引量:3
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作者 管云峰 张朝阳 赖利峰 《Journal of Zhejiang University Science》 EI CSCD 2003年第5期526-531,共6页
This paper presents the architectures, algorithms, and implementation considerations of the digital phase locked loop (DPLL) used for burst-mode packet DS-CDMA receivers. As we know, carrier offset is a rather challen... This paper presents the architectures, algorithms, and implementation considerations of the digital phase locked loop (DPLL) used for burst-mode packet DS-CDMA receivers. As we know, carrier offset is a rather challenging problem in CDMA system. According to different applications, different DPLL forms should be adopted to correct different maximum carrier offset in CDMA systems. One classical DPLL and two novel DPLL forms are discussed in the paper. The acquisition range of carrier offset can be widened by using the two novel DPLL forms without any performance degradation such as longer acquisition time or larger variance of the phase error. The maximum acquisition range is 1/(4T), where T is the symbol period. The design can be implemented by FPGA directly. 展开更多
关键词 CDMA Digital phase locked loop(DPLL) Carrier frequenc y offset
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晶体管的设计(上)
13
作者 吴锡九 《电信科学》 1956年第4期3-12,共10页
本文主要内容,作者曾在1956年8月北京举办的全国半导体讲习班上。现又改编充实。作者对晶体管的设计和制造,有多年工作经验和试验研究心得,将陆续撰文在本刊发表。
关键词 漏电阻 表面复合 研究心得 载流子密度 击穿电压 电压放大 最高电压 微分方程式 表面处理 多数载流子
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晶体管物理講話—Ⅱ
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作者 W.箫克莱 朱鑑明 《电信科学》 1956年第5期36-43,共8页
(三)P-N结在讨论如何控制半导体原料的化学结构的方法前,我想先叙述一个特别的“组成结构”:这就是,一个各部分有不同的化学成份的半导体。P-N结就属于这类最简单的组成结构,它是硅和锗整流器的基础,并且也在许多种晶体管中起重要的作用... (三)P-N结在讨论如何控制半导体原料的化学结构的方法前,我想先叙述一个特别的“组成结构”:这就是,一个各部分有不同的化学成份的半导体。P-N结就属于这类最简单的组成结构,它是硅和锗整流器的基础,并且也在许多种晶体管中起重要的作用.我们可以设想锗的完整晶体相当于通常电子管中的真空。在这结构中,我们加入施主、受主以及一些复合中心,结果使得晶体分成两个区域,一是P-型,另一则是N-型。 展开更多
关键词 接触型 完整晶体 载流子密度 反向电压 集电板 反向偏压 化学成份 密度比 化学结构 多数载流子
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场效应器件
15
作者 孺子牛 《微纳电子技术》 1971年第9期1-33,共33页
除双极晶体管外,场效应晶体管是集成电路中已经采用的重要有源器件。本章将讨论结型和金属—绝缘体—半导体(MIS)场效应晶体管的物理理论、电特性、等效电路、线性和开关电路应用以及大规模集成等。引言 1.电压控制的电阻信号放大的概... 除双极晶体管外,场效应晶体管是集成电路中已经采用的重要有源器件。本章将讨论结型和金属—绝缘体—半导体(MIS)场效应晶体管的物理理论、电特性、等效电路、线性和开关电路应用以及大规模集成等。引言 1.电压控制的电阻信号放大的概念与电阻的调制有关。场效应原理可简单地解释为电压控制的电阻,意思是电阻的某些特性是与电压有关。 展开更多
关键词 结型场效应晶体管 体一 少数载流子 沟道长度 漏电流 反型层 栅电极 半导体表面 夹断电压 耗尽层 微微法 栅氧化层 多数载流子 载流子(半导体) 沟道区 五极管 移位寄存器 反相器 方程式 方程 载流子浓度 载流子密度 金属 金属材料
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空间用太阳电池铟镓砷材料低温适应性改进技术研究
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作者 张书杰 刘洋 +4 位作者 符春娥 韩文佳 赵文祺 姜德鹏 王训春 《上海航天(中英文)》 2024年第S2期161-167,共7页
木星探测是我国未来深空探测工程的重点发展方向。由于太阳光照强度减弱,太阳电池在木星轨道的工作温度为-130℃左右,为研制适用于深空环境的高效太阳电池,需要开展太阳电池材料在低温环境下的适应性研究。铟镓砷(InGaAs)材料被广泛应... 木星探测是我国未来深空探测工程的重点发展方向。由于太阳光照强度减弱,太阳电池在木星轨道的工作温度为-130℃左右,为研制适用于深空环境的高效太阳电池,需要开展太阳电池材料在低温环境下的适应性研究。铟镓砷(InGaAs)材料被广泛应用于各类空间用太阳电池,晶格失配GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池相较于传统晶格匹配GaInP/GaAs/Ge太阳电池具有更高的太阳光谱利用率,在低温环境下具有更高的理论电流密度及光电转换效率。本文开展了GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池中InGaAs材料的低温适应性研究,分析了三结太阳电池和InGaAs子电池在低温环境下性能产生异常变化的原因,针对InGaAs材料在低温下存在的电阻限制复合效应(RLR)和异质界面多数载流子势垒效应(MCB),优化了其外延生长和制备工艺,由此改进了InGaAs材料的低温适应性,使InGaAs子电池和GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池的光电转换效率(-130℃,3.3%AM0)分别从11.9%和34.9%提升至12.8%和36.1%。后续研究将调整InGaAs子电池的布拉格反射器结构,以解决低温适应性改进后可能存在的辐照末期电压衰降大的问题。 展开更多
关键词 三结太阳电池 低温适应性 电阻限制复合 多数载流子势垒 铟镓砷
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OrCAD/PSPICE在电力电子电路计算机辅助设计中的应用(Ⅲ)
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作者 陈建业 《电源世界》 2001年第8期52-57,共6页
第三讲电力电子器件的PSPICE仿真(下)(2)单极型器件所谓单极型器件指的是其工作仅依赖于多数载流子的漂移运动,而其电流是在同一类型的半导体中流动的器件,如各种场效应晶体管。其中由于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)具有输... 第三讲电力电子器件的PSPICE仿真(下)(2)单极型器件所谓单极型器件指的是其工作仅依赖于多数载流子的漂移运动,而其电流是在同一类型的半导体中流动的器件,如各种场效应晶体管。其中由于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)具有输入电阻高,对栅极电压极性没有限制,以及工艺上适于制造大规模集成电路等优点而得到日益广泛的应用。(a)功率MOSFET小功率MOS器件的应用已经有30年的历史了。 展开更多
关键词 晶闸管 电力电子器件 输入电阻 双极型晶体管 单极型 门极触发电流 阳极电流 多数载流子 电流源 模拟
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LED显示墙技术与市场分析
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作者 白华斌 《中国多媒体通信》 2010年第12期30-31,共2页
LED是light—emitting diode的缩写.在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种利用注入式电... LED是light—emitting diode的缩写.在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管,通称LED。 展开更多
关键词 LED显示 市场分析 发光二极管 少数载流子 技术 LIGHT 半导体材料 多数载流子
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非线性材料的特性研究——发光二极管的特性研究 被引量:1
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作者 石磊 《中学物理教学参考》 2020年第4期72-72,共1页
一、发光二极管的发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是P-N结。因此它具有一般P-N结的特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特... 一、发光二极管的发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是P-N结。因此它具有一般P-N结的特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下.电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。 展开更多
关键词 发光二极管 少数载流子 多数载流子 正向导通 磷砷化镓 直接复合 正向电压 发光原理
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电工学自学检查题(三)——电子技术部分
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作者 秦学玺 《中国远程教育》 1985年第11期23-24,共2页
关键词 电工学 电子技术 PN结 电压放大倍数 少数载流子 放大电路 多数载流子 射极输出器 工作点 发射结
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