期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到93篇文章
< 1 2 … 5 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
单晶LaB_6场发射阵列的电化学腐蚀工艺 被引量：7
1
作者 王小菊 林祖伦 +2 位作者 祁康成 王本莲 蒋亚东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1195-1198,共4页
六硼化镧(LaB6)场发射尖锥阵列的刻蚀工艺是制备LaB6场发射阵列阴极的关键。在(111)面单晶LaB6基片上,用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅层做掩膜,光刻后采用电化学腐蚀方法对基片进行刻蚀,得到具有一定高度的LaB6尖锥场发射阵列... 六硼化镧(LaB6)场发射尖锥阵列的刻蚀工艺是制备LaB6场发射阵列阴极的关键。在(111)面单晶LaB6基片上,用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅层做掩膜,光刻后采用电化学腐蚀方法对基片进行刻蚀,得到具有一定高度的LaB6尖锥场发射阵列。讨论了单晶LaB6的电化学腐蚀机理。改变各种电化学腐蚀参数,包括电解液成分、电解液浓度、阳极所加电压,用电子扫描显微镜观察样品形貌。结果发现H3PO4是刻蚀单晶LaB6的理想电解液,它克服了过去电化学实验中经常遇到的尖锥各向异性问题。随着电解液浓度或阳极电压的增大,尖锥高度增加,但是基底表面变得更为粗糙。另一方面,阳极电压太小时,有横向刻蚀现象产生,不利于提高发射体的场增强因子。此外,在二极管结构中初步测试了LaB6尖锥场发射阵列的电流发射特性,在真空度2×10-4Pa、极间距离0.1 mm、阳极电压900 V下,发射电流达到13 mA。 展开更多
关键词 六硼化镧 单晶 场发射阵列阴极 电化学刻蚀
在线阅读 下载PDF
微图形定向碳纳米管场发射阵列冷阴极的研究 被引量：12
2
作者 陈长青 丁明清 +4 位作者 李兴辉 白国栋 张甫权 冯进军 邵文生 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期363-366,共4页
本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强... 本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)生长直立的碳纳米管。并对17500个发射单元的阵列阴极进行了表面形貌表征及场发射特性测试。结果表明,碳纳米管阵列阴极的一致性较好;最低开启电场为1 V/μm;电场为17 V/μm时,测得的电流密度已达到90 mA/cm2;发射电流为550μA时,在2.5 h内的波动小于5.6%。 展开更多
关键词 微图形 定向碳纳米管 场发射阵列冷阴极 直流等离子体增强化学气相沉积
在线阅读 下载PDF
功能覆盖膜对场发射阵列(FEA)电子发射性能的影响 被引量：1
3
作者 刘新福 李琼 +4 位作者 徐静芳 范忠 陈春辉 柳襄怀 杨根庆 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期51-55,共5页
为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（FEA）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（IBAD）以及其它淀积技术。在10^-6Pa下测量具有不同覆盖膜的硅FEA二极管的I－V特性，测量结果表明除Au和M... 为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（FEA）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（IBAD）以及其它淀积技术。在10^-6Pa下测量具有不同覆盖膜的硅FEA二极管的I－V特性，测量结果表明除Au和Mo外，其它覆盖材料都对FEA电子发射性能有改进，经TaN覆盖的FEA发射电流最大。由F－N曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积，从而说明以上所得的实验结果。 展开更多
关键词 覆盖膜 场发射阵列 电子发射 真空微电子器件
在线阅读 下载PDF
场发射阵列（FEA）的稳定性（S）和可靠性（R）的研究 被引量：1
4
作者 宋海波 李琼 +5 位作者 刘新福 袁美英 徐静芳 张段 吴骏雷 柳襄怀 《电子器件》 CAS 1994年第3期22-24,共3页
ＦＥＡ器件的性能由于半导体工艺水平和微机械加工技术的发展有了很大地提高。而其稳定和可靠性的研究是走向实用的必经过程。本文分析了温度、电压等因素对ＦＥＡ器件稳定和可靠性的影响。并研究了尖端发射表面功函数Φ、尖端发射面积... ＦＥＡ器件的性能由于半导体工艺水平和微机械加工技术的发展有了很大地提高。而其稳定和可靠性的研究是走向实用的必经过程。本文分析了温度、电压等因素对ＦＥＡ器件稳定和可靠性的影响。并研究了尖端发射表面功函数Φ、尖端发射面积Ｓ和尖端表面场强Ｅ与器件稳定性和可靠性的关系。 展开更多
关键词 稳定性 可靠性 场发射阵列
在线阅读 下载PDF
场发射阵列阴极在行波管中的应用 被引量：1
5
作者 王小菊 林祖伦 祁康成 《电子器件》 EI CAS 2006年第1期53-57,共5页
场发射阵列阴极应用于行波管的不足主要表现在:FEAs发射不稳定、阴极发射电流密度较低及电子束存在散焦的问题。分析了产生这些问题的主要原因,提出了相应的解决方案,主要包括:提高真空度,选择合适的发射体材料,增加电阻层等,以提高电... 场发射阵列阴极应用于行波管的不足主要表现在:FEAs发射不稳定、阴极发射电流密度较低及电子束存在散焦的问题。分析了产生这些问题的主要原因,提出了相应的解决方案,主要包括:提高真空度,选择合适的发射体材料,增加电阻层等,以提高电子发射的稳定性;优化发射体结构参量,改善制作方法等,以增大阴极发射的电流密度;对电子枪结构进行修改,解决电子束散焦等问题。最后,概述了新型材料———碳纳米管在行波管中的应用现状,目前虽然还不成熟,却表现出了极大的潜力。 展开更多
关键词 行波管 场发射阵列 碳纳米管
在线阅读 下载PDF
有电子束聚焦作用的场发射阵列 被引量：2
6
作者 屈晓声 李德杰 姚保纶 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第5期352-354,共3页
讨论了对发射电子束具有聚焦作用的场发射阵列 ,并制作了样管。为了抑制发射电子束的发散 ,采用电子束聚焦的方法。文中给出了三种结构的聚焦方案 ,开发的透明电阻层Ni SiO2
关键词 聚焦电极 双门聚焦 自对准 聚焦场发射阵列
在线阅读 下载PDF
微波管环境下场发射阵列阴极的工作稳定性研究 被引量：1
7
作者 冯进军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期16-19,共4页
场致发射阵列阴极在微波管中的应用无疑是微波真空电子器件的一场革命,但经过多年的研究和发展目前仍没有解决微波管环境下阵列阴极的工作稳定性和寿命问题.虽然国外也有一些利用这种冷阴极的行波管和预群聚速调四极管的实验,但都存在... 场致发射阵列阴极在微波管中的应用无疑是微波真空电子器件的一场革命,但经过多年的研究和发展目前仍没有解决微波管环境下阵列阴极的工作稳定性和寿命问题.虽然国外也有一些利用这种冷阴极的行波管和预群聚速调四极管的实验,但都存在同样的寿命问题.本文对场致发射阵列阴极在微波管环境中的工作稳定性和失效机理进行了分析研究,主要原因是真空度、微波管的残余气氛、电子枪区域的高压打火和离子的回轰影响了阵列阴极的稳定性和寿命等,提出了场致发射阵列阴极在结构、发射体材料、处理工艺、整管排气封接过程等方面的改进方法,以使这种阴极能适应微波电真空器件的特殊环境. 展开更多
关键词 场发射阵列 微波管 工作稳定性
在线阅读 下载PDF
基于ANSYS的场发射阵列阴极焊接应力研究
8
作者 王小菊 敦涛 +4 位作者 马祥云 徐如祥 祁康成 曹贵川 林祖伦 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期157-160,共4页
该文基于ANSYS平台模拟了场发射阵列阴极与钼电极钎焊工艺参数对钎焊层等效应力的影响,并根据仿真结果进行了实验验证。仿真结果表明,当钎焊温度为850℃时,最大等效应力最小;当降温速率为23℃/min时,最大等效应力最大,之后随降温速度的... 该文基于ANSYS平台模拟了场发射阵列阴极与钼电极钎焊工艺参数对钎焊层等效应力的影响,并根据仿真结果进行了实验验证。仿真结果表明,当钎焊温度为850℃时,最大等效应力最小;当降温速率为23℃/min时,最大等效应力最大,之后随降温速度的增加而迅速减小;在降温过程中,高温区逐渐向硅基底扩展,温度沿焊缝方向呈对称分布,焊缝中心温度高,两边温度低。测试结果表明,钎焊接头组织致密,焊缝结合良好,没有裂纹和空洞等缺陷,且钎料对硅基底的影响很小。这是一种可行的、低成本的实现硅基场发射阵列阴极焊接的有效方法。 展开更多
关键词 ANSYS 钎焊 等效应力 场发射阵列阴极 钼
在线阅读 下载PDF
128×128元硅场发射阵列的氩离子束刻蚀制作
9
作者 张新宇 易新建 +2 位作者 赵兴荣 张智 何苗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期135-138,共4页
利用光刻及氩离子束刻蚀制作面阵硅场发射器件，采用扫描电子显微镜和表面探针等分析所制样品的表面微结构形貌，定性讨论了刻蚀用氩离子束的能量及光致抗蚀剂掩模图形的厚度变化时所制成的面阵器件的形貌变化特点．
关键词 硅场发射阵列 光刻 氩离子束刻蚀 制作
在线阅读 下载PDF
场发射阵列的热电模型
10
作者 李琼 陈春辉 +3 位作者 刘新福 范忠 丁艳芳 徐静芳 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1997年第1期77-82,共6页
场发射阵列的主要失效机制是真空电弧。本文先概括了真空电弧的现象，然后描述了一个放电损伤的热电模型，说明了造成损伤的材料量、能量、功率、时间范围和能量来源。根据这个模型，提出了对抗真空电弧可能采取的各种技术措施。
关键词 场发射阵列 真空电弧 热电模型 场致发射阴极
原文传递
场发射阵列中聚焦电极制备的自对准技术
11
作者 屈晓声 李德杰 +1 位作者 田宏 姚保纶 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期29-30,共2页
本文讨论了制造Spindt型聚焦场发射阵列FFEA过程中需要的对准技术 ,提出了具有自对准能力的刻蚀方法 ,满足了聚焦型发射阵列的聚焦极与门极的精确对准 .比较了传统方法与新方法的不同 ,具体论述了整个工艺过程 ,并对制备出的器件进行了... 本文讨论了制造Spindt型聚焦场发射阵列FFEA过程中需要的对准技术 ,提出了具有自对准能力的刻蚀方法 ,满足了聚焦型发射阵列的聚焦极与门极的精确对准 .比较了传统方法与新方法的不同 ,具体论述了整个工艺过程 ,并对制备出的器件进行了SEM观测 ,结果达到了预想的目标 . 展开更多
关键词 自对准 聚焦电极 聚焦FEA 场发射阵列 显示器
在线阅读 下载PDF
利用RIE技术形成真空磁敏传感器的场发射阵列电子源
12
作者 刘新福 李琼 +1 位作者 陈春辉 金薇 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1996年第11期17-19,共3页
作者将现有DD—250淀积设备改装后用于RIE刻蚀,能够刻蚀出良好的FEA尖端阵列,并摸索出了一套RIE刻蚀磁敏传感器件的FEA尖端的工艺条件和工艺参数。本文对各种工艺条件和工艺参数作具体描述。
关键词 磁敏传感器 场发射阵列 电子源 传感器
在线阅读 下载PDF
场发射阵列阴极(FEA)在微波器件中的应用
13
作者 王刚 林祖伦 王小菊 《电子器件》 CAS 2007年第1期29-32,36,共5页
分析了场发射阵列阴极的跨导、电容以及阵列阴极的发射电流密度、电子束直径、电流稳定性对微波器件性能的影响,并提出了相应的改善措施,有效地提高了微波器件的性能.最后,概述了金刚石薄膜及碳纳米管阵列阴极在微波器件中的应用情况,... 分析了场发射阵列阴极的跨导、电容以及阵列阴极的发射电流密度、电子束直径、电流稳定性对微波器件性能的影响,并提出了相应的改善措施,有效地提高了微波器件的性能.最后,概述了金刚石薄膜及碳纳米管阵列阴极在微波器件中的应用情况,目前虽然还不成熟,却显得有极大的潜力. 展开更多
关键词 场发射阵列阴极 微波器件 金刚石薄膜 碳纳米管
在线阅读 下载PDF
场发射阵列阴极在行波管中的应用
14
作者 杜英华 杨崇峰 +5 位作者 廖复疆 李炳炎 李兴辉 白国栋 张甫权 丁明清 《真空电子技术》 2003年第1期12-14,34,共4页
给出了场发射阵列阴极的发展概况和制造方法 ,讨论了采用场发射阵列阴极作为行波管电子源的可能性和电子枪设计的有关问题 。
关键词 行波管 场发射阵列阴极 FEA 电子源 电子枪
在线阅读 下载PDF
复合型场发射阵列失效性研究 被引量：2
15
作者 李东方 林祖伦 +3 位作者 陈文彬 代令 何世东 曹伟 《电子器件》 CAS 2009年第1期4-7,共4页
复合型尖锥场发射阵列制备工艺过程中遇到的问题主要有栅极的脱落、阴极的氧化、尖锥微毛刺现象。为了提高器件的整体性能,试验采用了三种工艺改进方法,在真空环境中600℃高温退火;在氢气中进行氢化处理;对器件进行15 h的老炼。改进工... 复合型尖锥场发射阵列制备工艺过程中遇到的问题主要有栅极的脱落、阴极的氧化、尖锥微毛刺现象。为了提高器件的整体性能,试验采用了三种工艺改进方法,在真空环境中600℃高温退火;在氢气中进行氢化处理;对器件进行15 h的老炼。改进工艺后开启电压由75 V降到60 V,阳极收集最大电流从150μA提高到300μA,充分说明了改进工艺的可行性。 展开更多
关键词 场发射阵列 退火 老炼 氢化处理
在线阅读 下载PDF
场发射阵列硅基底类型对去铝牺牲层工艺的影响
16
作者 裴文俊 林祖伦 +1 位作者 祁康成 王小菊 《电子器件》 CAS 2009年第6期1011-1014,1018,共5页
研究了Spindt场发射阵列铝牺牲层工艺中不同硅基底类型对尖锥的影响,结果表明,在有栅极(Ti-W)和无栅极情况下,p-Si基底的场发射尖锥阵列都会被腐蚀破坏,而n-Si衬底的尖锥形貌完好。这是由于基底材料与尖锥材料之间形成的接触电位差,使... 研究了Spindt场发射阵列铝牺牲层工艺中不同硅基底类型对尖锥的影响,结果表明,在有栅极(Ti-W)和无栅极情况下,p-Si基底的场发射尖锥阵列都会被腐蚀破坏,而n-Si衬底的尖锥形貌完好。这是由于基底材料与尖锥材料之间形成的接触电位差,使高逸出功的p-Si基底与Mo尖锥形成Mo为阳极、p-Si为阴极而导致Mo尖锥被腐蚀;低逸出功n-Si基底则避免了这种现象的发生。 展开更多
关键词 场发射阵列 硅片 牺牲层 腐蚀 逸出功
在线阅读 下载PDF
LaB_6复合型场发射阵列阴极的结构设计（英文）
17
作者 邓江 葛延槟 +1 位作者 虞游 王小菊 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期311-316,共6页
为了提高传统Spindt型场发射阵列阴极的稳定性,提出了一种新型的LaB_6复合型场发射阵列阴极结构,该结构包括非晶硅电阻层、钼过渡层和六硼化镧发射体层。基于ANSYS平台模拟了该阴极中电阻层、过渡层和发射体层厚度对热应力场分布的影响... 为了提高传统Spindt型场发射阵列阴极的稳定性,提出了一种新型的LaB_6复合型场发射阵列阴极结构,该结构包括非晶硅电阻层、钼过渡层和六硼化镧发射体层。基于ANSYS平台模拟了该阴极中电阻层、过渡层和发射体层厚度对热应力场分布的影响,并根据仿真结果进行了实验验证。仿真结果表明,电阻层厚度不影响热应力场的分布,只是改变热应力的大小;随着电阻层厚度的增加,阴极最大热应力会减小;过渡层可以有效减缓发射层的热应力,且过渡层的厚度会影响热应力场的分布;当电阻层厚度为72 nm,过渡层厚度为200 nm,发射层厚度为728 nm时,阴极最为稳定。薄膜热应力测试结果与模拟结果基本一致,证实了引入过渡层和电阻层对于减小阴极热应力的可行性。 展开更多
关键词 ANSYS 场发射阵列阴极 发射体层 电阻层 过渡层
在线阅读 下载PDF
场发射阵列(FEA)阴极的材料及制备工艺
18
作者 于海波 林祖伦 祁康成 《现代显示》 2005年第6期38-40,34,共4页
目前,用于场发射阵列(FEA)的阴极发射体材料多种多样,按制备工艺可以分为蒸镀锥尖型、涂覆型和图形化阴极型等。本文概述近年来场发射阵列阴极材料及其制备工艺的研究现状,以及一些新型材料的应用情况。
关键词 场发射阵列 金刚石薄膜 碳纳米管
在线阅读 下载PDF
基于纳米碳管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器
19
《炭素》 2005年第2期12-12,共1页
一种基于纳米碳管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器。采用三电极结构，阴极和栅极位于同一基板平面上，并制作在沟槽壁上。发射材料用碳纳米管，用电泳法将碳纳米管移植于沟槽壁，也可以用原位选择生长法直接在沟槽壁长出碳纳米管。... 一种基于纳米碳管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器。采用三电极结构，阴极和栅极位于同一基板平面上，并制作在沟槽壁上。发射材料用碳纳米管，用电泳法将碳纳米管移植于沟槽壁，也可以用原位选择生长法直接在沟槽壁长出碳纳米管。可以在沟槽壁阴极一侧排列碳管阵列，也可在两侧壁排列。 展开更多
关键词 平板显示器 场发射阵列 纳米碳管 全彩色 面积 碳纳米管 三电极结构 发射材料 槽壁 电泳法 生长法 阴极 排列 基板 栅极
在线阅读 下载PDF
利用阳极化处理铝的大面积栅式场发射阵列（FEAs）
20
作者 卢有祥 《光电技术》 2001年第3期44-48,53,共6页
本文报道了一种用非光刻技术生产栅式场发射阵列铝膜的新方法。用此方法，生产出了轮廓分明的多孔阳极化处理的铝层，用于生产密度很高的场发射体（≈5×10∧8/cm∧2），小尺寸单个发射体器件的优点就是能够在较低的引出电压下工作... 本文报道了一种用非光刻技术生产栅式场发射阵列铝膜的新方法。用此方法，生产出了轮廓分明的多孔阳极化处理的铝层，用于生产密度很高的场发射体（≈5×10∧8/cm∧2），小尺寸单个发射体器件的优点就是能够在较低的引出电压下工作。能够观察到发光的最低引出电压为15V。发射体阵列含有大约20000个发射体，可获得高达30mA/cm∧2的电流密度（在50V激励电压下），最近的结果表明其性能适合作显示器件，这一技术在制作大面积、低成本的显示器件方面具有潜力。 展开更多
关键词 场发射体阵列 非光刻发射体制造 多孔阳极化处理铝
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 5 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部