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场发射显示器支撑墙机械强度的计算与分析 被引量:2
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作者 袁璟 张军 +1 位作者 李德杰 杜秉初 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第3期205-208,共4页
计算了几种不同材料支撑墙在不同承压和允许倾斜角度范围内的应力和形变分布。计算结果表明 ,采用热压氮化硅或氧化锆陶瓷制作的支撑墙具有足够高的机械强度 ,是支撑墙材料的较好选择。
关键词 场发射显示 机械强度 计算 场发射显示 支撑墙 有限元方法
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场发射显示器件中真空获得和维持工艺的改进 被引量:1
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作者 张军 袁璟 +1 位作者 杜秉初 李德杰 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第6期447-449,共3页
真空的获得和维持是目前FED研究工作中存在的主要困难之一。本文研究了在现有的传统封接排气以及消气工艺的实验条件下 ,进行了多种工艺改进 :设计了一种新型的三层FED器件结构 ,在这种结构中 ,实现了蒸散型消气剂和非蒸散型消气剂的共... 真空的获得和维持是目前FED研究工作中存在的主要困难之一。本文研究了在现有的传统封接排气以及消气工艺的实验条件下 ,进行了多种工艺改进 :设计了一种新型的三层FED器件结构 ,在这种结构中 ,实现了蒸散型消气剂和非蒸散型消气剂的共同使用 ;并采用了气体保护 ,以及电子轰击去气等有效措施 ,实现了FED器件内部持久的高真空度 ,为FED阴极高稳定。 展开更多
关键词 场发射显示器件 场发射显示 封接 排气 真空获得工艺 真空维持工艺 技术改进
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一种基于碳管场发射显示器结构分析 被引量:8
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作者 田进寿 李冀 +1 位作者 许蓓蕾 牛憨笨 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1343-1348,共6页
用边界元法 (BEM )和MonteCarlo方法就一种基于碳纳米管场发射大面积彩色平面型显示器的可行性进行了理论分析 ,通过模拟跟踪发射电子轨迹 ,证实设计的显示器结构能够满足高分辨率显示的要求 ,而且驱动电压低、工艺简单 ,尤其和日本Can... 用边界元法 (BEM )和MonteCarlo方法就一种基于碳纳米管场发射大面积彩色平面型显示器的可行性进行了理论分析 ,通过模拟跟踪发射电子轨迹 ,证实设计的显示器结构能够满足高分辨率显示的要求 ,而且驱动电压低、工艺简单 ,尤其和日本Cannon公司的M .Okuda等人提出的表面传导型场发射显示器结构相比 。 展开更多
关键词 边界元法 MONTE CARLO方法 电子传输比 平面型场发射显示
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厚膜工艺制备后栅极场发射显示板的研究 被引量:4
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作者 仲雪飞 张雄 +2 位作者 尹涵春 雷威 王保平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期409-413,共5页
讨论了包括丝网印刷、厚膜光刻、荧光粉沉积成膜、喷涂等厚膜工艺以及后栅极结构场致发射显示屏的制备工艺。研究了老炼工艺对阴极发射特性的改善。采用全厚膜工艺制备了2英寸后栅极场发射显示板样屏,在阳极距为1mm的后栅极结构中,阳极... 讨论了包括丝网印刷、厚膜光刻、荧光粉沉积成膜、喷涂等厚膜工艺以及后栅极结构场致发射显示屏的制备工艺。研究了老炼工艺对阴极发射特性的改善。采用全厚膜工艺制备了2英寸后栅极场发射显示板样屏,在阳极距为1mm的后栅极结构中,阳极工作电压为2kV时,通过对样屏的测试分析,阴极开关范围差小于100V,达到了行列低压寻址驱动的要求,验证了全厚膜制备后栅极场发射显示板的可行性。 展开更多
关键词 后栅极 场发射显示 厚膜工艺 测试
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场发射显示器(FED)荧光粉的研究进展 被引量:11
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作者 余泉茂 刘中仕 荆西平 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期7-17,共11页
场发射显示器 (FED) 是一种新发展起来的平板显示器,它在亮度、视角、响应时间、工作温度范围、能耗等方面具有优良的特性。文章首先简要地介绍了 FED发展历史和现状、工作原理以及对荧光粉的要求,然后介绍了 FED荧光粉的研究历史和发... 场发射显示器 (FED) 是一种新发展起来的平板显示器,它在亮度、视角、响应时间、工作温度范围、能耗等方面具有优良的特性。文章首先简要地介绍了 FED发展历史和现状、工作原理以及对荧光粉的要求,然后介绍了 FED荧光粉的研究历史和发展现状以及有关 FED荧光粉激发和发光机理的相关研究工作,最后就FED荧光粉的研究提出了一些建议。 展开更多
关键词 场发射显示 荧光粉 阴极射线荧光 发光机理
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前栅极碳纳米管场发射显示板关键结构参数的研究 被引量:4
6
作者 仲雪飞 张雄 +1 位作者 尹涵春 王保平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期33-37,共5页
前栅极碳纳米管场发射显示板是一种常用的场致发射器件。该器件通过栅极与阴极之间形成的电场产生场致发射电子,在阳极高压的作用下,电子从电场中获得能量,轰击荧光粉产生可见光。本文采用模拟计算的方法研究了标准结构场发射区域内的... 前栅极碳纳米管场发射显示板是一种常用的场致发射器件。该器件通过栅极与阴极之间形成的电场产生场致发射电子,在阳极高压的作用下,电子从电场中获得能量,轰击荧光粉产生可见光。本文采用模拟计算的方法研究了标准结构场发射区域内的电场分布、阴极表面的发射情况、电子轨迹和着屏束斑。并研究了关键结构参数在公差范围内变化对阴极发射特性和阳极着屏束斑的影响。计算结果显示,阴极发射状况和阳极束斑对结构参数的变化非常敏感,也证明了前栅极结构对工艺要求十分严格。 展开更多
关键词 电子技术 场发射显示 模拟计算 结构参数
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类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制 被引量:7
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作者 冯涛 茅东升 +6 位作者 李炜 柳襄怀 王曦 张福民 李琼 徐静芳 诸玉坤 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第3期293-296,共4页
采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达... 采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。 展开更多
关键词 类金刚石薄膜 阴极阵列 场发射显示
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碳纳米管场发射显示器及其全印刷制造技术 被引量:5
8
作者 曾凡光 朱长纯 +1 位作者 刘卫华 刘兴辉 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1139-1141,1146,共4页
针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNT-FED)制造技术中存在的工艺复杂、成本过高的问题,提出了用于制造碳纳米管场发射显示器的全印刷制造技术,即采用丝网印刷工艺制备CNT-FED器件内部包括各电极图形、碳纳米管阵列、荧光粉点阵和绝缘支... 针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNT-FED)制造技术中存在的工艺复杂、成本过高的问题,提出了用于制造碳纳米管场发射显示器的全印刷制造技术,即采用丝网印刷工艺制备CNT-FED器件内部包括各电极图形、碳纳米管阵列、荧光粉点阵和绝缘支撑层在内的所有结构.同现有的CNT-FED制造技术相比,全印刷技术具有操作简单、成本低廉的优点.采用新技术制造了对角线为14 cm的可矩阵寻址的二极结构CNT-FED,分辨率为160×120像素点阵.该器件在220 V电压下可达到1×104cd/m2的高亮度,工作电压降低到200 V以内,已经可以用现有等离子体显示屏的驱动集成电路来实现控制. 展开更多
关键词 丝网印刷 碳纳米管 场发射显示
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碳纳米管(CNT)场发射显示器的关键技术的研究 被引量:4
9
作者 刘卫华 朱长纯 +2 位作者 王琪琨 李昕 皇甫鲁江 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期694-696,共3页
对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究 .利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极 .并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极 ,结合一种弹性封装工艺 ,开发了一种具有简单字符... 对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究 .利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极 .并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极 ,结合一种弹性封装工艺 ,开发了一种具有简单字符显示功能的场发射显示器 .该显示器在较低的工作电压下就可获得高亮度的显示效果 ,并且器件的亮度与驱动电压成较好的线性关系 ,这将有利于未来的碳纳米管场发射显示器实现高亮度和多级灰度显示 .器件的持续工作寿命测试已经超过 5 5 0 0小时 。 展开更多
关键词 碳纳米管 场发射显示 化学气象沉积
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后栅极场发射显示板结构参数在公差范围内变化对工作特性的影响 被引量:2
10
作者 仲雪飞 张雄 +2 位作者 尹涵春 雷威 王保平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期116-121,共6页
后栅极场发射显示板是一种常用的场致发射器件。该器件结构由阳极、阴极和栅极组成,并且栅极置于阴极背面。本文采用模拟计算的方法研究了标准结构场发射区域内的电场分布、阴极表面的发射情况、电子轨迹和着屏束斑。并研究了关键结构... 后栅极场发射显示板是一种常用的场致发射器件。该器件结构由阳极、阴极和栅极组成,并且栅极置于阴极背面。本文采用模拟计算的方法研究了标准结构场发射区域内的电场分布、阴极表面的发射情况、电子轨迹和着屏束斑。并研究了关键结构参数在公差范围内变化对阴极发射特性和阳极着屏束斑的影响。计算结果显示结构参数在公差范围内的变化对阴极发射状况,阳极束斑栅极调制特性的影响很小,进而证明了后栅极结构对工艺一致性要求较低。 展开更多
关键词 电子技术 场发射显示 模拟计算 后栅极结构
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场发射显示器中双层基板结构的数值分析 被引量:4
11
作者 顾伟 雷威 张晓兵 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期330-335,共6页
分析了场发射显示器(FED)中玻璃基板在大气压力下的形变和应力与玻璃基板厚度的关系,得到基板形变和应力随着其厚度的减少而急剧增大。通过研究玻璃基板表面粗糙度及其形变对于器件内部场强及碳纳米管发射电流密度的影响,得出为了保证95... 分析了场发射显示器(FED)中玻璃基板在大气压力下的形变和应力与玻璃基板厚度的关系,得到基板形变和应力随着其厚度的减少而急剧增大。通过研究玻璃基板表面粗糙度及其形变对于器件内部场强及碳纳米管发射电流密度的影响,得出为了保证95%以上的发射电流均匀度,低压型和高压型FED的阴极基板表面粗糙度均应在1μm以内,而阳极基板最大形变分别不超过10μm和40μm。在上述研究的基础上,提出了双层基板结构,其引入改善了FED内表面的粗糙度,同时使得12.7 cm(5 in)以下尺寸的FED屏中取消了支撑。文中还讨论了对于大尺寸屏幕的支撑配置方法。分析结果表明,双层基板结构对于改善发射均匀性和优化支撑体配置具有良好效果。 展开更多
关键词 场发射显示 双层基板 发射均匀性 支撑
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新型碳纳米管场发射显示器自会聚阴极的计算机模拟 被引量:8
12
作者 姚远昭 吴裕功 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期636-639,共4页
提出了一种新型阴极结构使发射电子束会聚以减小像素。用ANSYS软件模拟凹面阴极CNT-FED的发射过程。将凹面阴极发射与平面阴极发射进行比较,并对影响会聚的重要参数进行研究。试验结果表明,凹面阴极发射电子束会聚明显。随着凹面曲率逐... 提出了一种新型阴极结构使发射电子束会聚以减小像素。用ANSYS软件模拟凹面阴极CNT-FED的发射过程。将凹面阴极发射与平面阴极发射进行比较,并对影响会聚的重要参数进行研究。试验结果表明,凹面阴极发射电子束会聚明显。随着凹面曲率逐渐变大,电子束会聚增强,阳极光斑半径逐渐减小。进一步增大凹面曲率,电子束发生交叉,光斑半径逐渐变大。适当的参数组合可使电子束会聚在阳极上很小的区域内,自会聚阴极可用于低功耗CNT-FED的设计。 展开更多
关键词 场发射显示 计算机模拟 碳纳米管 阴极
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大面积场发射显示器支撑方案的计算机模拟 被引量:4
13
作者 袁璟 张军 +1 位作者 李德杰 杜秉初 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第6期495-498,480,共5页
场发射显示器 (FED)的支撑结构用来抵抗器件外部大气压对阴阳极板造成的形变影响。预先确定和优化支撑系统方案 ,对于降低大面积FED器件制造成本是十分重要的。本文通过有限元分析方法 ,对 40英寸 ,长宽比 4∶3,采用墙式支撑条和 2mm厚... 场发射显示器 (FED)的支撑结构用来抵抗器件外部大气压对阴阳极板造成的形变影响。预先确定和优化支撑系统方案 ,对于降低大面积FED器件制造成本是十分重要的。本文通过有限元分析方法 ,对 40英寸 ,长宽比 4∶3,采用墙式支撑条和 2mm厚阴阳板的FED器件的支撑方案进行了模拟计算。通过给出 170mm支撑墙在不同摆放位置情况下的极板应力以及形变分布 ,最后确定了二种可实际用于器件的支撑方案。 展开更多
关键词 场发射显示 有限元方法 支撑系统 支撑墙 极板应力 形变分布
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不同驱动方式下后栅极场发射显示板的工作特性 被引量:1
14
作者 仲雪飞 张雄 +2 位作者 尹涵春 雷威 王保平 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1119-1123,共5页
针对后栅极FED提出一种新型驱动方式,场发射电子由阳极电压产生,而在栅极施加负电压抑制场发射电子的产生.采用模拟计算的方法比较了相同结构参数的后栅极FED在传统和新型驱动方式下的工作电压以及阴极场发射和阳极束斑情况.计算结果显... 针对后栅极FED提出一种新型驱动方式,场发射电子由阳极电压产生,而在栅极施加负电压抑制场发射电子的产生.采用模拟计算的方法比较了相同结构参数的后栅极FED在传统和新型驱动方式下的工作电压以及阴极场发射和阳极束斑情况.计算结果显示新型驱动方式提高了阳极工作电压,改善了阴极场发射电子分布和阳极束斑,有利于提高发光效率、增加器件寿命.并研究了在2种驱动方式下阴极宽度和介质厚度在公差范围内变化对阴极发射特性和阳极束斑的影响.结果显示在新型驱动方式下,器件的阴极宽度和介质厚度对阴极发射特性和阳极束斑的影响均较小,因此常开型后栅极结构FED对工艺制作的一致性要求较低,从而降低了成本. 展开更多
关键词 电子技术 场发射显示 模拟计算 后栅极结构
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场发射显示器件阴极研究进展 被引量:1
15
作者 倪曼 张军 +1 位作者 李德杰 胡思正 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期289-292,共4页
介绍了场发射显示器件的基本结构和工作原理 ,分析了传统微尖型阴极发射阵列存在的问题 ,在此基础上介绍了平面型阴极的组成和工作方式以及目前MISM结构平面阴极的研究进展。
关键词 场发射显示 平面阴极 MISM
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场发射显示技术 被引量:7
16
作者 柯春和 彭自安 《真空电子技术》 北大核心 1996年第6期52-60,共9页
场发射显示器件(FED)正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍FED的发展历史,列举出FED与CRT及LCD相比的优点。介绍FED的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了FED制作中的一些重要问题。
关键词 真空微电子学 场发射显示器件 发射阵列
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碳纳米管场发射显示器特性测试方法的研讨 被引量:1
17
作者 田昌会 朱长纯 +1 位作者 史永胜 王小力 《电子器件》 EI CAS 2004年第1期15-18,共4页
通过低压化学气相沉积法在硅片上制作碳纳米管薄膜阴极,用真空荧光显示器的封装工艺,制备了碳纳米管场发射显示器样管。改变常用的驱动电源电压测试为器件电压测试,得到非常理想的伏安特性曲线和发光特性曲线。从测试结果分析可知,直接... 通过低压化学气相沉积法在硅片上制作碳纳米管薄膜阴极,用真空荧光显示器的封装工艺,制备了碳纳米管场发射显示器样管。改变常用的驱动电源电压测试为器件电压测试,得到非常理想的伏安特性曲线和发光特性曲线。从测试结果分析可知,直接测量碳纳米管场发射显示器的器件电压和测试电源驱动电压所得结果是不同的,用后者代替前者不够合理。从电子场发射的角度看,实际的碳纳米管场发射伏安特性曲线应比测试的伏安曲线更陡。 展开更多
关键词 碳纳米管 场发射显示 伏安特性曲线 光亮度 测试方法
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场发射显示屏(FED)的基本原理及结构设计 被引量:9
18
作者 罗恩泽 徐力 +2 位作者 刘卫东 刘云鹏 李存志 《现代显示》 1996年第4期4-12,共9页
简要介绍FED的基本原理、结构设计。
关键词 场发射显示 结构设计 显示
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场发射显示器阴极的制备方法及研究现状 被引量:9
19
作者 王小菊 林祖伦 祈康成 《现代显示》 2005年第3期46-50,共5页
目前用于场发射显示器的阴极主要有尖锥场发射阵列阴极、金刚石薄膜、类金刚石薄膜和碳纳米管场发射阴极等。本文论述了这几种场发射阴极常用的制作方法、研究现状及其以后的发展方向,并提出,用新型材料薄膜冷阴极代替传统的尖锥场发射... 目前用于场发射显示器的阴极主要有尖锥场发射阵列阴极、金刚石薄膜、类金刚石薄膜和碳纳米管场发射阴极等。本文论述了这几种场发射阴极常用的制作方法、研究现状及其以后的发展方向,并提出,用新型材料薄膜冷阴极代替传统的尖锥场发射阵列阴极,是实现FEDs大尺寸、低成本的重要途径。 展开更多
关键词 场发射显示 发射阴极 碳纳米管
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场发射显示器研究现状 被引量:9
20
作者 邓江 林祖伦 张义德 《现代显示》 2005年第4期8-11,共4页
目前,场发射显示阴极仍以Spindt型为主。碳纳米管由于其独特的性质,也成为了各国研究的热点问题之一。本文概述了Spindt-FED和CNT-FED各自所具有的特点,并且对目前存在的问题及国内外的发展动态进行了综述。
关键词 场发射显示 Spindt型阴极 碳纳米管
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