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碲镉汞光导探测器的变温测试 被引量:1
1
作者 程开芳 苏培超 《红外技术》 EI CSCD 北大核心 1997年第4期27-30,12,共5页
报道了HgCdTe光导探测器光电参数随温度变化的关系,重点描述了光谱响应变温测试,给出HgCdTe器件从液氮到室温之间若干个不同温度点测试的光谱响应曲线及器件变温测试的性能参数对照表,并与经验公式计算结果进行对比。
关键词 红外探测器 变温测试 碲镉汞
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变温/变压四探针测试仪的研制及应用 被引量:2
2
作者 翟俊学 张保岗 +1 位作者 张萍 赵树高 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2011年第3期27-29,共3页
为了便于测试导电聚合物在变温、变压条件下的电阻率,更好地满足高分子物理实验教学和科研需要,设计制作了塑料封装四探针、金属/陶瓷组装四探针,并与控温装置、加压装置和测试装置组装成为一套具备变温、变压测试功能的电阻率测试仪。... 为了便于测试导电聚合物在变温、变压条件下的电阻率,更好地满足高分子物理实验教学和科研需要,设计制作了塑料封装四探针、金属/陶瓷组装四探针,并与控温装置、加压装置和测试装置组装成为一套具备变温、变压测试功能的电阻率测试仪。结果发现,由金属针、陶瓷、中空铝制或铜制承压件、金属导线等组成的金属/陶瓷组装四探针,具有耐高温、成本低、便于变压/变温测试等特点。将其用于EPDM/石墨复合导电材料的压阻和温阻行为测试,发现该材料表现出明显的负温度系数效应和较宽压力范围内的电阻响应,能够用于研究导电橡胶的多种导电行为及其导电机理。 展开更多
关键词 四探针 电阻率 变温测试 变压测试
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帕纳科X射线衍射仪开放式变温加热台的研制与应用
3
作者 贺站锋 何云 《广东化工》 CAS 2024年第1期20-23,共4页
本研究根据科学研究工作的实际需求,成功研制了一套开放式变温加热台,可在不更换帕纳科X射线衍射仪附件的情况下,进行X射线衍射原位变温测试。通过对变温加热台进行峰位比对、温度校准以及实际样品的测试分析,结果表明:该开放式变温加... 本研究根据科学研究工作的实际需求,成功研制了一套开放式变温加热台,可在不更换帕纳科X射线衍射仪附件的情况下,进行X射线衍射原位变温测试。通过对变温加热台进行峰位比对、温度校准以及实际样品的测试分析,结果表明:该开放式变温加热台的测试结果准确可靠,稳定性好。此外,该加热台安装便捷,不仅提高了测试效率和科学服务水平,还节省了大额的购置费用. 展开更多
关键词 X射线衍射仪 加热台 变温测试 全岩测试 粘土测试
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介质材料复介电常数变温测量技术综述 被引量:14
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作者 何小瓦 李恩 +1 位作者 张其劭 郭高凤 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期20-23,共4页
介绍了在微波及毫米波段介质材料复介电常数在-253~1400℃的变温测试方法,即网络参 数法和谐振腔法,并对这些方法进行了优缺点分析,总结出变温测试方法的概况、趋势及技术特点。
关键词 航空介质材料 复介电常数 变温测试 微波测量 网络参数法 谐振腔法
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圆柱腔复介电常数高温测试系统 被引量:8
5
作者 张云鹏 李恩 +2 位作者 余承勇 郑虎 张婧 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2017年第7期994-1001,共8页
围绕微波介质材料复介电常数高温测试关键技术进行系统设计,利用圆柱腔精确场解法实现材料介电性能变温特性测试。设计了TM_(010)模圆柱谐振腔,采用快速移动平台和感应加热技术,搭建了变温测试系统,实现了915 MHz,最高1 400℃的复介电... 围绕微波介质材料复介电常数高温测试关键技术进行系统设计,利用圆柱腔精确场解法实现材料介电性能变温特性测试。设计了TM_(010)模圆柱谐振腔,采用快速移动平台和感应加热技术,搭建了变温测试系统,实现了915 MHz,最高1 400℃的复介电常数快速自动化测试。针对测试系统受热后对测试结果的影响,提出了实时变温校准技术,减小了夹具介电波动引入的误差。以熔融石英为例进行重复性测试并与已有文献作对比,结果表明介电常数和损耗角正切高温下测试偏差分别在2%和6%以内。 展开更多
关键词 复介电常数 圆柱谐振腔 精确场解 变温测试 校准
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D8X射线衍射仪简易变温加热台的研制 被引量:3
6
作者 汪大海 高远鹏 罗欢 《分析测试技术与仪器》 CAS 2013年第2期65-70,共6页
成功研制的简易变温加热台,在不更换D8X射线衍射仪的附件情况下,能快速方便的安装在衍射仪上,进行X射线衍射原位变温测试,满足了从室温至600℃的原位变温X射线衍射测试需求.更换附件时间从2~3天缩短至30 min即可进行变温X射线衍射测试... 成功研制的简易变温加热台,在不更换D8X射线衍射仪的附件情况下,能快速方便的安装在衍射仪上,进行X射线衍射原位变温测试,满足了从室温至600℃的原位变温X射线衍射测试需求.更换附件时间从2~3天缩短至30 min即可进行变温X射线衍射测试,提高了测试效率.同时,节省了购买同类变温加热台近20万元的资金. 展开更多
关键词 X射线衍射 加热台 变温测试 TIO2 电解质
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PYN对BS-PT压电陶瓷变温压电性能的影响 被引量:1
7
作者 李卫民 胡悫睿 杨颖 《铸造技术》 北大核心 2017年第5期1028-1033,共6页
用前驱体法制备出了BS-x PT-y PYN(y=0.1,0.15,0.2,0.3)压电陶瓷。对压电陶瓷MPB处进行变温铁电、介温、变温应变等变温测试,重点分析其温度稳定性和弛豫性能。结果表明,各MPB组分都有良好的温度稳定性,在0.32BS-0.58PT-0.1PYN中,铁电... 用前驱体法制备出了BS-x PT-y PYN(y=0.1,0.15,0.2,0.3)压电陶瓷。对压电陶瓷MPB处进行变温铁电、介温、变温应变等变温测试,重点分析其温度稳定性和弛豫性能。结果表明,各MPB组分都有良好的温度稳定性,在0.32BS-0.58PT-0.1PYN中,铁电性能随着温度升高而逐渐增强,其余3个组分基本保持不变;而随着PYN含量的增加,PT的减少,体系弛豫性逐渐增强。 展开更多
关键词 BS-PT-PYN压电陶瓷 变温测试 热稳定性
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p-GaN与Ni/Pt欧姆接触的研究 被引量:1
8
作者 成彩晶 张向锋 丁嘉欣 《红外》 CAS 2008年第3期16-19,共4页
本文对p-GaN与Ni/Pt形成欧姆接触及其电流传输机制进行了研究。I-V变温测试曲线是线形的,表明Ni/Pt与p-GaN之所以能形成欧姆接触,是因为Ni/Pt与p-GaN接触在空气中退火时界面处的p-GaN空穴浓度增加了,从而降低了有效势垒高度。在148K~3... 本文对p-GaN与Ni/Pt形成欧姆接触及其电流传输机制进行了研究。I-V变温测试曲线是线形的,表明Ni/Pt与p-GaN之所以能形成欧姆接触,是因为Ni/Pt与p-GaN接触在空气中退火时界面处的p-GaN空穴浓度增加了,从而降低了有效势垒高度。在148K~323K范围内,单位接触电阻R_c随测试温度T的升高趋于呈指数下降,表明Ni/Pt与p-GaN欧姆接触的电流传输机制遵循热电子发射。 展开更多
关键词 欧姆接触 单位接触电阻 I-V曲线 变温测试 电流传输机制
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带状线法测量微波材料的复介电常数 被引量:2
9
作者 张文喜 郑庆瑜 郑彩平 《中国电子科学研究院学报》 2014年第2期136-139,144,共5页
精确测量低损耗微波材料的复介电常数十分重要。利用带状线法测量微波介质基板常温和变温的复介电常数,得到了高精度的测试结果。结果表明了用带状线法测量低损耗微波介质基板复介电常数的有效性和准确性。还分析了带状线测试方法中产... 精确测量低损耗微波材料的复介电常数十分重要。利用带状线法测量微波介质基板常温和变温的复介电常数,得到了高精度的测试结果。结果表明了用带状线法测量低损耗微波介质基板复介电常数的有效性和准确性。还分析了带状线测试方法中产生的误差和应该注意的事项。 展开更多
关键词 变温测试 带状线法 复介电常数 复合介质
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未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触不均匀性研究
10
作者 王光伟 姚素英 +1 位作者 徐文慧 张建民 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期763-765,769,共4页
在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18%,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82Ge0.18。随即在n-poly-Si0.82Ge0.1... 在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18%,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82Ge0.18。随即在n-poly-Si0.82Ge0.18薄膜上溅射一层Co膜,形成Co/n-poly-Si0.82Ge0.18肖特基结。在90K~332K温度范围内,对样品进行变温I-V测试(I-V-T)。发现随测试温度的升高,表观理想因子na变小,肖特基势垒高度(SBH)变大。这是金属/半导体肖特基接触不均匀性的表现,对这种不均性进行建模,并和实验数据进行对比,两者基本符合。 展开更多
关键词 SIGE 变温I-V测试 肖特基结 理想因子
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快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响
11
作者 王光伟 姚素英 +1 位作者 徐文慧 王雅欣 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期582-586,共5页
采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/... 采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/n-Si肖特基结样品。在300~600℃范围内,对样品做快热退火。对不同退火温度下的样品做I-V-T测试。研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小。总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反。基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释。 展开更多
关键词 变温I-V测试 肖特基结 快热退火 理想因子 肖特基势垒高度的不均匀性
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外加偏压对未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触特性的影响
12
作者 王光伟 姚素英 +1 位作者 徐文慧 马兴兵 《真空》 CAS 北大核心 2011年第5期68-70,共3页
采用直流离子束溅射法,在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱(AEs)测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0.15。对薄膜进行高温磷扩散后,经XRD测试为多晶态,即得n—poly—Si0.85Ge0.15。在n—poly—Si0.85Ge0.15上溅射一层薄的C... 采用直流离子束溅射法,在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱(AEs)测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0.15。对薄膜进行高温磷扩散后,经XRD测试为多晶态,即得n—poly—Si0.85Ge0.15。在n—poly—Si0.85Ge0.15上溅射一层薄的Co膜,做成Co/n—poly—Si0.85Ge0.15肖特基结样品。在90~332K范围对未退火样品做I-V-T测试。研究发现,随着外加偏压增大,表观理想因子缓慢上升,肖特基势垒高度(SBH)下降。基于SBH的不均匀分布建模,得到了二者近似为线性负相关的结论。 展开更多
关键词 变温I—V测试 外加偏压 肖特基结 表观理想因子 肖特基势垒高度的不均匀性
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半导体激光器
13
《中国光学》 EI CAS 2003年第4期17-18,共2页
TN248.4 2003042527红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析=Characteristicsof AlGaInP red laser diode and its thermal property analysis[刊,中]/郭伟玲(北京工业大学电子信息与控制工程学院.北京(100022)),廉鹏…∥北京工业大学学报... TN248.4 2003042527红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析=Characteristicsof AlGaInP red laser diode and its thermal property analysis[刊,中]/郭伟玲(北京工业大学电子信息与控制工程学院.北京(100022)),廉鹏…∥北京工业大学学报.-2002,28(4).-423-425设计和制备了λ=680 nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器。制得的未镀膜20 μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100 mW,斜率效率0.56 W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°。未镀膜4 μm深腐蚀器件的功率可达10 mW,斜率效率为0.4 W/A,峰值波长为681 nm,峰值半宽为0.5 nm。对不同腔长的器件进行了变温测试,得到器件的特征温度为120~190 K。图5参6(李士范) 展开更多
关键词 半导体激光器 线阵二极管激光器 斜率效率 特性分析 应变量子阱激光器 远场发散角 特征温度 灾变性损伤 变温测试 信息与控制
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肖特基接触的机理及不均匀性研究
14
作者 王光伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期531-536,541,共7页
对一般情况下肖特基接触的机理和肖特基势垒高度的影响因素做了系统分析,研究了肖特基接触特性的不均匀性及其原因,指出多晶界面势垒高度比同种材料的要低。通过实验,研究了金属/n-poly-Si0.83Ge0.17肖特基结的I-V-T特性,得到了势垒高... 对一般情况下肖特基接触的机理和肖特基势垒高度的影响因素做了系统分析,研究了肖特基接触特性的不均匀性及其原因,指出多晶界面势垒高度比同种材料的要低。通过实验,研究了金属/n-poly-Si0.83Ge0.17肖特基结的I-V-T特性,得到了势垒高度及影响因子与测试温度和外加偏压的依赖关系。研究发现:随着测试温度升高,表观理想因子变小,肖特基势垒高度变大;外加偏压增大,表观势垒高度和理想因子均变大。基于肖特基接触的不均匀性进行建模,得到了退火样品的表观势垒高度和理想因子近似为线性负相关的结论。 展开更多
关键词 肖特基结 变温^矿测试 外加偏压 表观理想因子 肖特基接触的不均匀性
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Thermo-plasticity of high-strength and high-ductility 7050 aluminum ingot 被引量:2
15
作者 邓英 尹志民 丛福官 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2012年第5期1169-1174,共6页
Thermo-plasticity of homogenized 7050 aluminum ingot was investigated by instantaneous tensile tests conducted at different temperatures. The results show that, with the increase of testing temperatures, the strength ... Thermo-plasticity of homogenized 7050 aluminum ingot was investigated by instantaneous tensile tests conducted at different temperatures. The results show that, with the increase of testing temperatures, the strength decreases, and the plasticity increases firstly and then decreases in homogenized 7050 ingot. When the studied alloy is deformed between 380℃ and 420℃, the deformation resistance is lower and plasticity is better. And the actual heating temperature for ingot before hot extrusion should be controlled between 360 ~C and 400 ~C. At low tensile temperatures, the deformation structure is mainly composed of dislocation substructure. With the increase of testing temperatures, transgranular fracture transforms into intergranular fracture progressively during deformation. At high tensile temperatures, the grain boundaries are weakened, deformation is concentrated at the grain boundaries and the re-orientation of equilibrium phases at grain boundaries appears. 展开更多
关键词 7050 alloys tensile test thermo-plasticity microstructure mechanical property
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The Correlation between Density and Low-Temperature Creep Property of Asphalt 被引量:2
16
作者 Zhang Xiaoying Xu Chuanjie 《China Petroleum Processing & Petrochemical Technology》 SCIE CAS 2012年第2期31-38,共8页
The density of asphalt was measured with the pycnometer and densitometer. Creep properties of the asphalt were investigated with the bending beam rheometer at temperatures ranging from 0 ~C to -36 ~C. The asphalt dens... The density of asphalt was measured with the pycnometer and densitometer. Creep properties of the asphalt were investigated with the bending beam rheometer at temperatures ranging from 0 ~C to -36 ~C. The asphalt density data used to correlate with the creep properties were calculated from the regression equation of density and temperature. The asphalt sample used to determine the creep property was aged by the standard RTFOT test and the PAV test. The test results showed that the asphalt density had a linear relationship with temperature changes. The logarithm of the creep stiffness and the slope of the logarithm of the stiffness at 60 seconds all demonstrated a linear relationship with the density, and the regression coefficient of these data was around 0.99. The creep stiffness and the slope of the creep stiffness can be calculated from the asphalt density at the same temperature. 展开更多
关键词 ASPHALT DENSITY creep stiffness low-temperature property
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High temperature tensile behaviors of extruded and rolled AZ31 Mg alloy
17
作者 乔军 王瑜 史国栋 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第B07期540-544,共5页
High temperature tensile ductilities and deformation mechanisms of an extruded and rolled AZ31 Mg alloy were investigated.Elongation-to-failure tests were conducted under constant T-head velocity and constant temperat... High temperature tensile ductilities and deformation mechanisms of an extruded and rolled AZ31 Mg alloy were investigated.Elongation-to-failure tests were conducted under constant T-head velocity and constant temperatures ranging from 300℃ to 450℃.Strain-rate-change tests were conducted under varying strain rate from 5×10-5s-1to 2×10-2s-1and constant temperature from 300℃ to 450℃.Experimental results show that the maximum elongation of the AZ31 alloy with an average grain size of about 19μm is 117%at strain rate of 10- 3s-1 and temperature of 450℃.Stress exponent and activation energy were characterized to clarify the deformation mechanisms.The enhanced ductility is dominated by solute drag dislocation creep,and the major failure mechanism is cavity growth and interlinkage. 展开更多
关键词 AZ31 Mg alloy solute-drag creep tensile ductility SUPERPLASTICITY stress exponent
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红外、紫外基础与技术
18
《电子科技文摘》 2000年第10期20-20,共1页
0016132离子注入碲镉汞迁移率谱的研究[刊]/李向阳//红外与激光工程.—2000,29(2).—68~71(K)文章介绍了分别采用厚度较大的样品和较薄的霍耳器件进行了离子注入和迁移率谱的测试。变温测试表明:表面低迁移率成分基本不随温度变化,体... 0016132离子注入碲镉汞迁移率谱的研究[刊]/李向阳//红外与激光工程.—2000,29(2).—68~71(K)文章介绍了分别采用厚度较大的样品和较薄的霍耳器件进行了离子注入和迁移率谱的测试。变温测试表明:表面低迁移率成分基本不随温度变化,体内高迁移率成分随温度变化明显。迁移率谱是离子注入样品的有效的非破坏分析方法之一。参170016133非制冷微测辐射热计热成像[刊]/顾文韵//红外与激光工程.—2000,29(2).—65~67,77(K)文中在指出现代制冷型红外成像技术的不足,论述非制冷红外成像技术的优点之后,介绍了微测辐射热计阵列的非制冷热成像系统。 展开更多
关键词 离子注入 迁移率谱 激光工程 红外成像技术 红外成像制导 非制冷微测辐射热计 温度变化 热成像系统 碲镉汞 变温测试
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