-
题名肖特基接触的机理及不均匀性研究
- 1
-
-
作者
王光伟
-
机构
天津职业技术师范大学电子工程学院
-
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期531-536,541,共7页
-
文摘
对一般情况下肖特基接触的机理和肖特基势垒高度的影响因素做了系统分析,研究了肖特基接触特性的不均匀性及其原因,指出多晶界面势垒高度比同种材料的要低。通过实验,研究了金属/n-poly-Si0.83Ge0.17肖特基结的I-V-T特性,得到了势垒高度及影响因子与测试温度和外加偏压的依赖关系。研究发现:随着测试温度升高,表观理想因子变小,肖特基势垒高度变大;外加偏压增大,表观势垒高度和理想因子均变大。基于肖特基接触的不均匀性进行建模,得到了退火样品的表观势垒高度和理想因子近似为线性负相关的结论。
-
关键词
肖特基结
^变温^矿测试
外加偏压
表观理想因子
肖特基接触的不均匀性
-
Keywords
Schottky junction
Variable temperatureI-V test
External bias
Apparent ideality factor
Inhomogeneityof Schottky contact
-
分类号
TN311.8
[电子电信—物理电子学]
-
