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RIE反应离子刻蚀氮化硅工艺的研究 被引量：5
1
作者 关一浩 雷程 +3 位作者 梁庭 白悦杭 齐蕾 武学占 《电子测量技术》 北大核心 2021年第7期107-112,共6页
氮化硅在红外热电堆中既充当钝化隔离层又充当红外吸收层,其薄膜刻蚀在MEMS工艺中至关重要。采用RIE-10NR反应离子刻蚀机以SF6为主要刻蚀气体,通过改变氧气流量、射频功率、腔室压强对氮化硅薄膜进行刻蚀实验。通过台阶仪及共聚焦显微... 氮化硅在红外热电堆中既充当钝化隔离层又充当红外吸收层,其薄膜刻蚀在MEMS工艺中至关重要。采用RIE-10NR反应离子刻蚀机以SF6为主要刻蚀气体,通过改变氧气流量、射频功率、腔室压强对氮化硅薄膜进行刻蚀实验。通过台阶仪及共聚焦显微镜表征刻蚀形貌、速率及刻蚀均匀性。实验表明,在SF_(6)流量为50 sccm,O_(2)流量为10 sccm,腔室压强为11 Pa,射频功率为250 W的条件下,氮化硅刻蚀速率达到509 nm/min,非均匀性可达2.4%;在同样条件下,多晶硅的刻蚀速率达到94.5 nm/min,选择比为5.39∶1。 展开更多
关键词 氮化硅 多晶硅 反应离子刻蚀 刻蚀速率 非均匀性
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多晶硅的反应离子刻蚀(RIE)制绒绒面研究 被引量：1
2
作者 张婷 郭永刚 +2 位作者 屈小勇 陈璐 王举亮 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第10期2090-2094,共5页
实验基于反应离子刻蚀(Reaction Ion Eatching RIE)技术进行的多晶硅片纳米绒面制备,这种结构的绒面可明显降低晶体硅电池反射率,提高电池短路电流。实验具体指将多晶硅片在同一条件混酸溶液中腐蚀去除表面损伤,然后利用RIE制绒技术进... 实验基于反应离子刻蚀(Reaction Ion Eatching RIE)技术进行的多晶硅片纳米绒面制备,这种结构的绒面可明显降低晶体硅电池反射率,提高电池短路电流。实验具体指将多晶硅片在同一条件混酸溶液中腐蚀去除表面损伤,然后利用RIE制绒技术进行不同尺寸纳米绒面制备,根据绒面变化分别调整工艺进行清洗及电池制备,发现绒面小到一定程度时RIE制绒过程造成的损伤不易清洗去除且抗反射Si Nx膜沉积困难。所以多晶硅片RIE制绒不可单纯的追求小绒面和低反射率,实验证明纳米绒面凹坑尺寸最小应控制在240~360 nm才能更稳定地匹配清洗、沉积抗反射膜等工艺从而制备出高光电转换效率的多晶硅电池。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀(rie) 纳米凹坑绒面 反射率 Sil膜沉积
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反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响 被引量：2
3
作者 郭立建 韩军 +3 位作者 邢艳辉 王凯 赵康康 于保宁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期384-389,共6页
通过反应离子刻蚀（RIE）系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体（... 通过反应离子刻蚀（RIE）系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体（SF6和O2）流量的影响。在高的RF功率下,观察到在Si C表面形成的刻蚀损伤（凹陷坑和锥形坑）。研究表明,这些刻蚀损伤的形成和Si C材料自身的缺陷有关,而且这些刻蚀损伤的存在会导致Si C肖特基二极管正反向I-V性能发生恶化。在刻蚀损伤严重的情况下,对比正反向I-V测试结果发现,在0～50 V的绝对电压范围内,正向电流甚至远小于反向电流。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀(rie) 碳化硅(SiC) 肖特基二极管 刻蚀损伤 电流-电压特性
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SF_6/O_2/CHF_3混合气体对硅材料的反应离子刻蚀研究 被引量：7
4
作者 周宏 赖建军 +3 位作者 赵悦 柯才军 张坤 易新建 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期28-31,共4页
采用统计实验方法研究了利用SF6/O2/CHF3混合气体产生的等离子体进行硅的反应离子刻蚀技术。为了优化刻蚀条件,将刻蚀速率和选择比表示为SF6、O2、CHF3各自的流量以及气压和射频功率的函数。文中讨论了各种变量的变化对刻蚀速率和选择... 采用统计实验方法研究了利用SF6/O2/CHF3混合气体产生的等离子体进行硅的反应离子刻蚀技术。为了优化刻蚀条件,将刻蚀速率和选择比表示为SF6、O2、CHF3各自的流量以及气压和射频功率的函数。文中讨论了各种变量的变化对刻蚀速率和选择比的影响以及刻蚀机理,证实了加入CHF3可以显著地减小表面粗糙的结论。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 硅 刻蚀速率 选择比
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反应离子刻蚀加工工艺技术的研究 被引量：18
5
作者 来五星 廖广兰 +1 位作者 史铁林 杨叔子 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期414-417,共4页
反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险。介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺、氮化硅、二氧化硅、铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺... 反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险。介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺、氮化硅、二氧化硅、铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺处方,研究了RIE草地现象形成机理,给出了避免草地现象的工艺措施。 展开更多
关键词 微机电系统 工艺 反应离子刻蚀
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氮化硅的反应离子刻蚀研究 被引量：10
6
作者 苟君 吴志明 +1 位作者 太惠玲 袁凯 《电子器件》 CAS 2009年第5期864-866,870,共4页
采用CHF3、CHF3+CF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验,研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响。通过优化气体配比,比较刻蚀结果,最终获得了刻蚀速率为119nm/min,均匀性为... 采用CHF3、CHF3+CF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验,研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响。通过优化气体配比,比较刻蚀结果,最终获得了刻蚀速率为119nm/min,均匀性为0.6%,对光刻胶选择比为3.62的刻蚀氮化硅的优化工艺。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 氮化硅 刻蚀气体 优化
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InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究 被引量：6
7
作者 张国栋 徐淑丽 +2 位作者 赵鸿燕 朱炳金 李小宏 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期948-951,共4页
利用感应耦合等离子（ICP）反应刻蚀（RIE）进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损... 利用感应耦合等离子（ICP）反应刻蚀（RIE）进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元（面积23μm×23μm）的动态阻抗（Rd）大于100 MΩ。 展开更多
关键词 INSB 感应耦合等离子 反应刻蚀 台面形貌 I-V曲线
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GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究 被引量：3
8
作者 刘文楷 林世鸣 +7 位作者 武术 朱家廉 高俊华 渠波 陆建祖 廖奇为 邓晖 陈弘达 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1222-1225,共4页
采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga... 采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°. 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 刻蚀速率 DBR 砷化镓 砷化铝
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硅的反应离子刻蚀工艺参数研究 被引量：9
9
作者 葛益娴 王鸣 戎华 《南京师范大学学报（工程技术版）》 CAS 2006年第3期79-82,共4页
对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超... 对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时,随气体流量的增加而加快,在较大的气体流量下反而降低.通过比较不同条件下的刻蚀结果,得到了刻蚀硅的优化工艺条件.最后用DEKTAK 6M型台阶仪测出了优化工艺条件下的刻蚀深度和粗糙度.测试结果表明在优化工艺条件下刻蚀速率快,粗糙度低. 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 刻蚀速率 优化工艺参数
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反应离子刻蚀（RIE）腐蚀双层金属布线中介质孔及有关...
10
作者 张一平 祝军 《上海半导体》 1992年第1期21-25,共5页
关键词 反应离子刻蚀 腐蚀 金属布线 AES
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反应离子刻蚀和自组装分子膜构建硅基底疏水与超疏水表面 被引量：5
11
作者 连峰 张会臣 +1 位作者 邹赫麟 庞连云 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2833-2837,共5页
采用反应离子刻蚀技术在Si(100)表面加工微米级圆柱阵列,采用自组装技术分别制备了3种硅烷自组装分子膜.结果表明,采用反应离子刻蚀构建出的4种微米级圆柱阵列结构规整,其直径为5μm,高度为10μm,间距为15～45μm.沉积自组装分子膜后,... 采用反应离子刻蚀技术在Si(100)表面加工微米级圆柱阵列,采用自组装技术分别制备了3种硅烷自组装分子膜.结果表明,采用反应离子刻蚀构建出的4种微米级圆柱阵列结构规整,其直径为5μm,高度为10μm,间距为15～45μm.沉积自组装分子膜后,试样表面的水接触角显著增大,其中沉积1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷(FDTS)自组装分子膜接触角最大,1H,1H,2H,2H-全氟辛烷基三氯硅烷(FOTS)次之,三氯十八硅烷(OTS)最小.测得的接触角大于150°时接近Cassie方程计算的接触角,而小于150°时接近Wenzel方程计算的接触角.改变圆柱阵列的间距和选择不同的自组装分子膜,可以控制表面接触角的大小.原子力显微镜(AFM)观测结果显示,沉积自组装分子膜可以产生纳米级的团簇.由微米级圆柱阵列和纳米级自组装分子膜构成的表面结构使Si试样表面接触角最大可达156.0°. 展开更多
关键词 超疏水 接触角 反应离子刻蚀 自组装分子膜
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用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备 被引量：3
12
作者 陈特超 禹庆荣 +3 位作者 龚杰洪 张冬艳 伍波 李键志 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1415-1418,共4页
深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.
关键词 微电子机械系统 深反应离子 刻蚀 控制 设备
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基于线算法的ICP深反应离子刻蚀模型 被引量：3
13
作者 张鉴 何晓雄 +1 位作者 刘成岳 戚昊琛 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期481-485,共5页
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀是目前集成电路与微机电系统制造的关键工艺之一。利用一种改进的复合交替深刻蚀(TMDE)模型对ICP深反应离子刻蚀(Deep-RIE)进行了工艺仿真建模。根据深反应离子刻蚀中Footing效应的实验特征,提出了针对这一现... 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀是目前集成电路与微机电系统制造的关键工艺之一。利用一种改进的复合交替深刻蚀(TMDE)模型对ICP深反应离子刻蚀(Deep-RIE)进行了工艺仿真建模。根据深反应离子刻蚀中Footing效应的实验特征,提出了针对这一现象的表面描述方程,并借助实验手段确定了该表面描述方程中的参数,从而为模型添加了一种简单有效的Footing效应模拟模块。最后对Deep-RIE和Footing效应刻蚀表面进行模拟,验证了模型的有效性和可用性。 展开更多
关键词 深反应离子刻蚀 ICP 线算法 Footing效应 模型
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反应离子刻蚀（RIE）SiO2工艺研究
14
作者 余山 章定康 《半导体杂志》 1993年第1期18-21,共4页
关键词 SIO2 集成电路 反应离子刻蚀
全文增补中
8产品名称：22—14nm单反应台等离子体刻蚀机PrimoSSCAD—RIE^TM
15
《电子工业专用设备》 2016年第2期47-49,共3页
研制单位： 中微半导体设备（上海）有限公司 产品介绍： 等离子体刻蚀设备是极大规模集成电路制造的三大关键设备之一，PrimoSSCAD-RIE^TM是中微公司目前最先进的等离子体刻蚀设备，可用于1X纳米关键刻蚀工艺芯片加工。SSC，即单反... 研制单位： 中微半导体设备（上海）有限公司 产品介绍： 等离子体刻蚀设备是极大规模集成电路制造的三大关键设备之一，PrimoSSCAD-RIE^TM是中微公司目前最先进的等离子体刻蚀设备，可用于1X纳米关键刻蚀工艺芯片加工。SSC，即单反应台腔体， 展开更多
关键词 等离子体 产品名称 反应 刻蚀机 半导体设备 集成电路制造 刻蚀设备 研制单位
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PMMA的反应离子深刻蚀 被引量：2
16
作者 张丛春 杨春生 +1 位作者 丁桂甫 黄龙旺 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期157-160,共4页
对PMMA进行反应离子深刻蚀以获得高深度比微结构。研究了纯氧刻蚀气体中加入CHF3 对刻蚀速率、图形形貌等的影响。纯氧刻蚀PMMA ,钻蚀现象严重。加入CHF3 后 ,刻蚀速率随CHF3 含量增加而下降。加入适量CHF3 ,可以在侧壁形成钝化层 ,保... 对PMMA进行反应离子深刻蚀以获得高深度比微结构。研究了纯氧刻蚀气体中加入CHF3 对刻蚀速率、图形形貌等的影响。纯氧刻蚀PMMA ,钻蚀现象严重。加入CHF3 后 ,刻蚀速率随CHF3 含量增加而下降。加入适量CHF3 ,可以在侧壁形成钝化层 ,保护侧壁不受钻蚀。当CHF3 含量为 4 0 % ,刻蚀功率 30W ,工作气压为 4Pa时 ,即使刻蚀深度达到 4 0 0 μm ,侧壁仍然陡直 ,刻蚀深宽比大于 10。 展开更多
关键词 PMMA 反应离子刻蚀 比微结构 刻蚀气体 钻蚀 HGA技术
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多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀 被引量：2
17
作者 王大海 李轶华 +5 位作者 孙艳 吴渊 陈国军 付国柱 荆海 万春明 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第1期59-64,共6页
对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究 ,给出了Ta、p Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率 ,通过工艺参数的优化 ,使薄膜间的选择比在 2～ 2 0可选择 ;并通过气体掺杂 ,实现了SiNx 对 p Si的选择比从 - 1到
关键词 多晶硅薄膜晶体管 反应性离子刻蚀 刻蚀速率 选择比 工艺 有源矩阵 液晶显示器
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栅绝缘层过孔的反应离子刻蚀研究 被引量：3
18
作者 姜晓辉 田宗民 +9 位作者 李田生 张家祥 王亮 沈奇雨 崔玉琳 侯学成 郭建 陈旭 谢振宇 闵泰烨 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期278-281,共4页
为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势,以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品,本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理,通过实验以及测试研究与分析了刻蚀过刻量、刻蚀反... 为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势,以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品,本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理,通过实验以及测试研究与分析了刻蚀过刻量、刻蚀反应压力以及刻蚀气体比例等因素对栅绝缘层过孔刻蚀坡度角的影响。实验结果表明:当SF6气体比例为M3、反应压强为p3,制备的栅绝缘过孔坡度角较理想。 展开更多
关键词 栅绝缘层过孔 反应离子刻蚀 过刻量 气体比例
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反应离子刻蚀InSb芯片引入的损伤研究 被引量：2
19
作者 温涛 张影 +1 位作者 肖钰 赵建忠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期622-624,共3页
应用CH4/H2/Ar作为刻蚀气源对InSb微台面阵列进行了反应离子刻蚀,并对刻蚀后引入的损伤进行了分析。实验证实利用干法刻蚀与湿法腐蚀相结合的方法能有效地减少刻蚀引入的缺陷和损伤,获得较好的电学特性,达到低损伤刻蚀InSb材料的目的。
关键词 反应离子刻蚀 INSB 刻蚀损伤 I-V曲线
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聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光 被引量：2
20
作者 杨正 靳志伟 +3 位作者 陈建军 饶先花 尹韶云 吴鹏 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期302-308,共7页
为进一步提高聚酰亚胺薄膜光学器件的表面质量,提出了一种聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光方法,对其抛光原理和抛光实验进行了研究。利用光刻胶流体的低表面张力及流动特性,通过在聚酰亚胺薄膜表面涂覆光刻胶对其表面缺陷进行填补;结合... 为进一步提高聚酰亚胺薄膜光学器件的表面质量,提出了一种聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光方法,对其抛光原理和抛光实验进行了研究。利用光刻胶流体的低表面张力及流动特性,通过在聚酰亚胺薄膜表面涂覆光刻胶对其表面缺陷进行填补;结合聚酰亚胺与光刻胶的反应离子高各向异性等比刻蚀工艺,将光刻胶光滑平整表面高保真刻蚀转移至聚酰亚胺表面,从而实现聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光。实验结果表明:PV、RMS分别为1.347μm和340nm的粗糙表面,通过二次抛光其粗糙度可降低至75nm和13nm;PV、RMS分别为61nm和8nm的表面,其粗糙度可降低至9nm和1nm。该抛光方法能有效提高聚酰亚胺薄膜的表面光洁度,可为以聚酰亚胺薄膜为代表的高分子柔性光学器件的精密加工提供新的工艺思路。 展开更多
关键词 抛光 聚酰亚胺 光刻胶 反应离子刻蚀
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