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CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究 被引量：4
1
作者 余永涛 封国强 +3 位作者 陈睿 蔡明辉 上官士鹏 韩建伟 《航天器环境工程》 2014年第2期150-153,共4页
利用脉冲激光定位成像系统,对CMOS SRAM K6R4016V1D器件开展了单粒子锁定效应(SEL)敏感区定位的试验研究。试验结果表明:该器件的单粒子锁定效应敏感区呈周期性分布,而对于单一的SEL敏感区,其长度和宽度相差很大。在此基础上进一步讨论... 利用脉冲激光定位成像系统,对CMOS SRAM K6R4016V1D器件开展了单粒子锁定效应(SEL)敏感区定位的试验研究。试验结果表明:该器件的单粒子锁定效应敏感区呈周期性分布,而对于单一的SEL敏感区,其长度和宽度相差很大。在此基础上进一步讨论了SEL敏感区的分布对测试方法和空间SEL发生频次计算的影响。 展开更多
关键词 单粒子锁定 敏感区定位 单粒子锁定频次 静态存储器 脉冲激光试验
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