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基于优化模型的纳米器件逻辑单元单粒子瞬态仿真研究
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作者 王坦 丁李利 +3 位作者 罗尹虹 赵雯 张凤祁 徐静妍 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1119-1126,共8页
空间辐射诱发的单粒子瞬态(SET)是航天电子系统可靠性的主要威胁。本文分析了现有电荷注入仿真模型的不足,提出了一种改进的结合灵敏体和双极扩散机制的电荷收集模型,综合考虑了寄生双极放大效应和电荷共享效应,可针对不同角度、不同线... 空间辐射诱发的单粒子瞬态(SET)是航天电子系统可靠性的主要威胁。本文分析了现有电荷注入仿真模型的不足,提出了一种改进的结合灵敏体和双极扩散机制的电荷收集模型,综合考虑了寄生双极放大效应和电荷共享效应,可针对不同角度、不同线性能量传输值(LET)的重离子入射版图不同位置,计算获取SET平均脉宽及敏感截面分布。该方法已集成于项目组自研TREES软件,并针对商用65 nm工艺库中的多种逻辑单元开展了相关仿真计算。结果表明,该方法可在物理版图设计阶段评估单粒子瞬态截面及脉宽分布,为版图屏蔽SET设计加固提供基础参考数据。 展开更多
关键词 空间辐射 粒子 电路级仿真 电荷共享 寄生双极放大
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偏置电压和温度对22 nm FDSOI器件单粒子瞬态的影响研究
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作者 黄潇枫 李臣明 +4 位作者 王海滨 孙永姝 王亮 郭刚 汪学明 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第7期30-36,共7页
针对22 nm FDSOI工艺在辐射环境下的单粒子瞬态问题,基于Sentaurus TCAD仿真工具对22 nm FDSOI NMOS进行建模,仿真研究了22 nm FDSOI NMOS的单粒子瞬态敏感区域,以及不同偏置电压和工作温度对单粒子瞬态的影响机理。仿真结果表明,22 nm ... 针对22 nm FDSOI工艺在辐射环境下的单粒子瞬态问题,基于Sentaurus TCAD仿真工具对22 nm FDSOI NMOS进行建模,仿真研究了22 nm FDSOI NMOS的单粒子瞬态敏感区域,以及不同偏置电压和工作温度对单粒子瞬态的影响机理。仿真结果表明,22 nm FDSOI NMOS的敏感区域为体区和靠近体区的LDD区域;随着偏置电压的升高,漏端总收集电荷逐渐增大,漏端瞬态脉冲电流的脉冲宽度逐渐减小;相较于偏置电压对单粒子瞬态的影响,工作温度对22 nm FDSOI NMOS单粒子瞬态的影响并不明显。 展开更多
关键词 22 nm FDSOI 粒子 亚阈值 TCAD
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不同能量质子辐照CMOS图像传感器的单粒子瞬态效应研究
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作者 李钰 文林 郭旗 《现代应用物理》 2024年第3期112-119,共8页
针对空间环境宽能谱质子辐射导致的CMOS图像传感器单粒子效应问题,开展了不同能量质子辐照试验,研究了质子辐照导致CMOS图像传感器单粒子效应的异常现象、图像特征及参数性能变化规律。试验表明,质子辐照主要导致CMOS图像传感器出现明... 针对空间环境宽能谱质子辐射导致的CMOS图像传感器单粒子效应问题,开展了不同能量质子辐照试验,研究了质子辐照导致CMOS图像传感器单粒子效应的异常现象、图像特征及参数性能变化规律。试验表明,质子辐照主要导致CMOS图像传感器出现明显的单粒子瞬态(single event transient,SET)效应现象,包括SET亮斑和亮线。通过对比不同条件下的试验结果,分析了质子能量、积分时间等变化对SET亮斑覆盖像素情况、信号水平的影响规律,并结合TCAD仿真工具,分析了SET亮斑的产生机制。研究结果表明:SET亮斑灰度水平和覆盖像素数目均随辐照质子能量增加而增大;SET亮斑覆盖像素最大灰度值、平均灰度值随CMOS图像传感器积分时间增加而增大,通过调节CMOS图像传感器的积分时间,可以明显改变SET亮斑的特征和器件成像性能;从TCAD软件仿真的微观物理过程获得了SET亮斑随积分时间变化的机制,支持了对试验结果的分析和判断。研究结果可为CMOS图像传感器空间辐射效应评估、抗辐射加固提供试验和理论参考。 展开更多
关键词 质子辐照 空间环境 CMOS图像传感器 粒子效应 效应
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22nm全耗尽型绝缘体上硅器件单粒子瞬态效应的敏感区域
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作者 张博翰 梁斌 +1 位作者 刘小年 方亚豪 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期146-152,共7页
基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际... 基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际电路中重离子轰击位置对22 nm FDSOI器件SET敏感性的影响,并从电荷收集机制的角度进行了解释。深入分析发现寄生双极放大效应对重粒子轰击位置敏感是造成器件不同区域SET敏感性不同的原因。而单管漏极接恒压源造成漏极敏感性增强是导致单管与反相器中器件SET敏感区域不同的原因。修正了FDSOI工艺下器件SET敏感性区域的研究方法,与单管相比,采用反相器进行仿真,结果更符合实际情况,这将为器件SET加固提供理论指导。 展开更多
关键词 粒子 电荷收集 双极放大效应 敏感区域 全耗尽型绝缘体上硅
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集成电路单粒子瞬态效应与测试方法 被引量:8
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作者 刘健波 刘远 +3 位作者 恩云飞 雷志锋 王晓晗 杨元政 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期135-140,共6页
随着器件尺寸的等比例缩小,单粒子瞬态效应对集成电路的影响愈发明显,其产生机理及作用更加复杂。从集成电路单粒子瞬态脉冲的产生机理及模型出发,讨论分析了模拟和数字集成电路的单粒子瞬态效应,介绍了单粒子瞬态脉冲宽度的测试方法与... 随着器件尺寸的等比例缩小,单粒子瞬态效应对集成电路的影响愈发明显,其产生机理及作用更加复杂。从集成电路单粒子瞬态脉冲的产生机理及模型出发,讨论分析了模拟和数字集成电路的单粒子瞬态效应,介绍了单粒子瞬态脉冲宽度的测试方法与测试结构。 展开更多
关键词 粒子效应 粒子效应 自测试结构
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光电耦合器的单粒子瞬态脉冲效应研究 被引量:6
6
作者 封国强 马英起 +1 位作者 张振龙 韩建伟 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第B09期36-40,共5页
利用脉冲激光模拟单粒子效应实验装置研究光电耦合器HCPL-5231和HP6N134的单粒子瞬态脉冲(SET)效应。实验获得了相关器件的单粒子瞬态脉冲波形参数与等效LET的关系,并甄别出器件SET效应的敏感位置,初步分析了SET效应产生的机理。利用脉... 利用脉冲激光模拟单粒子效应实验装置研究光电耦合器HCPL-5231和HP6N134的单粒子瞬态脉冲(SET)效应。实验获得了相关器件的单粒子瞬态脉冲波形参数与等效LET的关系,并甄别出器件SET效应的敏感位置,初步分析了SET效应产生的机理。利用脉冲激光测试了光电耦合器的SET宽度与等效LET的关系,并尝试测试了两种光电耦合器的SET效应的截面,其中,HCPL-5231的实验结果与其他文献利用重离子加速器得到的数据符合较好,验证了脉冲激光测试器件单粒子效应的有效性。 展开更多
关键词 脉冲激光 粒子脉冲 光电耦合器 等效LET
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0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究 被引量:6
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作者 赵星 梅博 +6 位作者 毕津顺 郑中山 高林春 曾传滨 罗家俊 于芳 韩郑生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第13期286-293,共8页
利用脉冲激光入射技术研究100级0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应,分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响.实验结果表明,单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入... 利用脉冲激光入射技术研究100级0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应,分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响.实验结果表明,单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入射位置有关,当激光入射第100级到第2级的n型金属-氧化物-半导体器件,得到的脉冲宽度从287.4 ps增加到427.5 ps;当激光入射第99级到第1级的p型金属-氧化物-半导体器件,得到的脉冲宽度从150.5 ps增加到295.9 ps.激光入射点靠近输出则得到的瞬态波形窄;靠近输入则得到的瞬态波形较宽,单粒子瞬态脉冲随着反相器链的传输而展宽.入射器件的类型对单粒子瞬态脉冲展宽无影响.通过理论分析得到,部分耗尽绝缘体上硅器件浮体效应导致的阈值电压迟滞是反相器链单粒子瞬态脉冲展宽的主要原因.而示波器观察到的与预期结果幅值相反的正输出脉冲,是输出节点电容充放电的结果. 展开更多
关键词 粒子 脉冲激光 部分耗尽绝缘体上硅 传输导致的脉冲展宽效应
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SiGe BiCMOS线性器件脉冲激光单粒子瞬态效应研究 被引量:2
8
作者 安恒 张晨光 +3 位作者 杨生胜 薛玉雄 王光毅 王俊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第3期149-155,共7页
验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)效应敏感性,选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760进行了脉冲激光试验研究。试验中,通过能量逐渐逼近方法确定了其诱发SET效应的激光阈值能量,并通过逐点扫... 验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)效应敏感性,选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760进行了脉冲激光试验研究。试验中,通过能量逐渐逼近方法确定了其诱发SET效应的激光阈值能量,并通过逐点扫描的办法分析了器件内部单粒子效应敏感区域,并在此基础上分析了脉冲激光能量与SET脉冲的相互关系,获得了单粒子效应截面,为SiGe BiCMOS工艺器件在卫星电子系统的筛选应用以及抗辐射加固设计提供数据参考。 展开更多
关键词 SIGE BICMOS 线性器件 粒子效应 粒子 脉冲激光
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一款抗单粒子瞬态加固的偏置电路 被引量:4
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作者 韩本光 曹琛 +1 位作者 吴龙胜 刘佑宝 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期190-194,共5页
通过增加一个NMOP、PMOS和一个电阻组成的单粒子瞬态抑制电路,设计了一种新的抗单粒子瞬态加固的偏置电路,该偏置电路具有较高抗单粒子瞬态能力.为了证实其抗单粒子能力,基于SIMC 130nm CMOS工艺设计了传统的及提出的抗单粒子瞬态两种... 通过增加一个NMOP、PMOS和一个电阻组成的单粒子瞬态抑制电路,设计了一种新的抗单粒子瞬态加固的偏置电路,该偏置电路具有较高抗单粒子瞬态能力.为了证实其抗单粒子能力,基于SIMC 130nm CMOS工艺设计了传统的及提出的抗单粒子瞬态两种结构的偏置电路.仿真结果表明,对于提出的加固偏置电路,由单粒子引起的瞬态电压和电流的变化幅值分别减小了约80.6%和81.2%;同时增加的单粒子瞬态抑制电路在正常工作状态下不消耗额外功耗,且所占用的芯片面积小,也没有引入额外的单粒子敏感结点. 展开更多
关键词 抗辐射设计加固 粒子 辐射效应 偏置电路 线性能量传输(LET)
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单粒子瞬态效应硬件注入模型实现和仿真 被引量:4
10
作者 周婉婷 靳丽娜 叶世旺 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2014年第9期84-87,共4页
基于量化组合逻辑门延迟思想和扫描测试的方法,提出了一种适用于FPGA硬件模拟单粒子瞬态效应的门级注入模型.该模型考虑了电气掩蔽效应对脉冲传输的影响,通过该模型可以对组合电路任意逻辑门进行错误注入.基于该模型对ISCAS’85基准电... 基于量化组合逻辑门延迟思想和扫描测试的方法,提出了一种适用于FPGA硬件模拟单粒子瞬态效应的门级注入模型.该模型考虑了电气掩蔽效应对脉冲传输的影响,通过该模型可以对组合电路任意逻辑门进行错误注入.基于该模型对ISCAS’85基准电路进行单粒子瞬态的研究,实验结果表明该脉冲产生方法高效,注入速度达到105 faults/s. 展开更多
关键词 粒子效应 扫描测试 FPGA 硬件模拟
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光电耦合器4N49单粒子瞬态脉冲效应的试验研究 被引量:2
11
作者 马英起 封国强 +3 位作者 安广朋 张振龙 黄建国 韩建伟 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期764-768,共5页
通过脉冲激光模拟单粒子效应,对光电耦合器4N49的单粒子瞬态脉冲(SET)效应进行了试验研究。在10V工作电压下,获取了4N49在特定线性能量传输(LET)值下的SET波形特征及其变化规律,得到了器件SET效应的等效LET阈值为10MeV.cm2.mg-1,而饱和... 通过脉冲激光模拟单粒子效应,对光电耦合器4N49的单粒子瞬态脉冲(SET)效应进行了试验研究。在10V工作电压下,获取了4N49在特定线性能量传输(LET)值下的SET波形特征及其变化规律,得到了器件SET效应的等效LET阈值为10MeV.cm2.mg-1,而饱和截面数值则高达1.2×10-3cm2。试验验证了4N49的SET效应对后续数字电路的影响状况,定量研究了SET效应减缓电路的有效性,通过设计合理的电路参数可将器件在5V工作电压下的SET效应阈值由7.89MeV.cm2.mg-1提高至22.19MeV.cm2.mg-1。4N49的SET效应试验研究为光电耦合器SET效应的测试及防护措施的有效性验证提供了新的试验方法。 展开更多
关键词 脉冲激光 光电耦合器 粒子脉冲
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双阱CMOS器件单粒子瞬态效应机理研究 被引量:2
12
作者 张准 贺威 +4 位作者 骆盛 贺凌翔 曹建民 刘毅 王坤 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期135-140,共6页
介绍了一种65nm双阱CMOS工艺设计的六管SRAM单元的抗辐射性能。通过三维有限元数值模拟的方法,分析了SRAM单元的单粒子瞬态效应在NMOS管中的电荷收集过程和瞬态脉冲电流的组成部分,并提出一种高拟合度的临界电荷计算方案。双阱器件共享... 介绍了一种65nm双阱CMOS工艺设计的六管SRAM单元的抗辐射性能。通过三维有限元数值模拟的方法,分析了SRAM单元的单粒子瞬态效应在NMOS管中的电荷收集过程和瞬态脉冲电流的组成部分,并提出一种高拟合度的临界电荷计算方案。双阱器件共享电荷诱发的寄生双极放大效应对相邻PMOS管的稳定性有着显著的影响,高线性能量传输提高了器件单粒子翻转的敏感性。电学特性表明,全三维器件数值仿真的方法能够有效评估因内建电势突变产生的瞬态脉冲电流。该方法满足器件仿真对精确度的要求。 展开更多
关键词 粒子 电荷收集 寄生双极放大效应 三维器件仿真
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考虑单粒子多瞬态故障的数字电路失效概率评估 被引量:3
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作者 梁华国 袁德冉 +1 位作者 闫爱斌 黄正峰 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第3期505-512,共8页
为了准确评估电路的失效概率,提出一种考虑单粒子多瞬态(SEMT)的数字电路失效概率评估方法.该方法通过解析电路门级网表提取SEMT故障位置对;使用双指数电流源模型模拟故障注入,通过SEMT脉冲复合模型将SEMT脉冲转化为复合的SET脉冲并沿... 为了准确评估电路的失效概率,提出一种考虑单粒子多瞬态(SEMT)的数字电路失效概率评估方法.该方法通过解析电路门级网表提取SEMT故障位置对;使用双指数电流源模型模拟故障注入,通过SEMT脉冲复合模型将SEMT脉冲转化为复合的SET脉冲并沿数据通路向下游传播;在脉冲传播过程中,使用SEMT脉冲屏蔽模型评估逻辑屏蔽、电气屏蔽与时窗屏蔽效应,使用电路失效概率计算方法得到电路总体失效概率.实验结果表明,与同类方法相比,文中方法计算结果更为精确;与基于统计的蒙特卡罗方法相比,该方法的相对误差仅为2%,能够有效地指导集成电路容错设计. 展开更多
关键词 失效概率 软错误 粒子 信号概率
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基于四值脉冲参数模型的单粒子瞬态传播机理与软错误率分析方法 被引量:2
14
作者 李悦 蔡刚 +1 位作者 李天文 杨海钢 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第8期2113-2121,共9页
随着工艺尺寸的不断缩小,由单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)效应引起的软错误已经成为影响宇航用深亚微米VLSI电路可靠性的主要威胁,而SET脉冲的产生和传播也成为电路软错误研究的热点问题。通过研究SET脉冲在逻辑链路中的传播... 随着工艺尺寸的不断缩小,由单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)效应引起的软错误已经成为影响宇航用深亚微米VLSI电路可靠性的主要威胁,而SET脉冲的产生和传播也成为电路软错误研究的热点问题。通过研究SET脉冲在逻辑链路中的传播发现:脉冲上升时间和下降时间的差异能够引起输出脉冲宽度的展宽或衰减;脉冲的宽度和幅度可决定其是否会被门的电气效应所屏蔽。该文提出一种四值脉冲参数模型可准确模拟SET脉冲形状,并采用结合查找表和经验公式的方法来模拟SET脉冲在电路中的传播过程。该文提出的四值脉冲参数模型可模拟SET脉冲在传播过程中的展宽和衰减效应,与单参数脉冲模型相比计算精度提高了2.4%。该文应用基于图的故障传播概率算法模拟SET脉冲传播过程中的逻辑屏蔽,可快速计算电路的软错误率。对ISCAS’89及ISCAS’85电路进行分析的实验结果表明:该方法与HSPICE仿真方法的平均偏差为4.12%,计算速度提升10000倍。该文方法可对大规模集成电路的软错误率进行快速分析。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 软错误率 粒子 四值脉冲参数 故障传播概率
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横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应 被引量:1
15
作者 李泽宏 李肇基 杨舰 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期149-153,共5页
基于单粒子辐照的等离子体输运机理,提出了横向高压DMOS单粒子辐照的瞬态响应模型。借助对横向高压DMOS的关态和开态的不同能量粒子辐照瞬态响应的二维数值分析,获得了横向高压DMOS在双结、单结和无结情况下的瞬态响应特性。其计算结果... 基于单粒子辐照的等离子体输运机理,提出了横向高压DMOS单粒子辐照的瞬态响应模型。借助对横向高压DMOS的关态和开态的不同能量粒子辐照瞬态响应的二维数值分析,获得了横向高压DMOS在双结、单结和无结情况下的瞬态响应特性。其计算结果表明,横向高压DMOS的开态漏端峰值电流比关态的漏端峰值电流小,且漏端峰值电流和峰值电流出现的时间随入射粒子能量的增大而增加。 展开更多
关键词 横向高压DMOS 粒子效应 等离子体 响应
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深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究 被引量:2
16
作者 高成 张芮 +1 位作者 王怡豪 黄姣英 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第5期729-734,共6页
针对小尺寸CMOS反相器的单粒子瞬态效应,分别采用单粒子效应仿真和脉冲激光模拟试验两种方式进行研究。选取一种CMOS双反相器作为研究对象,确定器件的关键尺寸,并进行二维建模,完成器件的单粒子瞬态效应仿真,得到单粒子瞬态效应的阈值... 针对小尺寸CMOS反相器的单粒子瞬态效应,分别采用单粒子效应仿真和脉冲激光模拟试验两种方式进行研究。选取一种CMOS双反相器作为研究对象,确定器件的关键尺寸,并进行二维建模,完成器件的单粒子瞬态效应仿真,得到单粒子瞬态效应的阈值范围。同时,开展脉冲激光模拟单粒子瞬态效应试验,定位该器件单粒子瞬态效应的敏感区域,捕捉不同辐照能量下器件产生的单粒子瞬态脉冲,确定单粒子瞬态效应的阈值范围,并与仿真结果进行对比分析。 展开更多
关键词 CMOS反相器 粒子效应 TCAD仿真 脉冲激光试验
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电流型PWM控制器单粒子脉冲瞬态效应的试验研究 被引量:1
17
作者 程铭 周洪生 余海生 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期35-40,共6页
采用理论分析与试验对比的方式,对脉宽调制(Pulse Width Modulation,PWM)控制器的脉冲激光模拟单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)效应的等效性进行研究。对常用的电流型PWM控制器采用脉冲激光进行照射试验,通过改变激光能量得到... 采用理论分析与试验对比的方式,对脉宽调制(Pulse Width Modulation,PWM)控制器的脉冲激光模拟单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)效应的等效性进行研究。对常用的电流型PWM控制器采用脉冲激光进行照射试验,通过改变激光能量得到不同条件下的试验数据,并与重离子照射条件下的试验数据进行对比。试验结果证实线状能量传递值LET(Linear Energy Transfer)=65.2 Me V·cm2·mg-1的868.3 Me V Xe重离子与波长1.064μm、能量为1–2 n J的脉冲激光产生的SET效应最为接近。试验结果为采用脉冲激光对同类型PWM控制器进行模拟SET试验提供了数据支撑。 展开更多
关键词 脉冲激光 PWM控制器 等效LET 粒子效应
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基于向量传播的单粒子瞬态模拟方法研究 被引量:1
18
作者 李悦 蔡刚 +1 位作者 李天文 杨海钢 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第2期268-273,共6页
提出了一种基于向量传播的单粒子瞬态(SET)模拟方法。基于4值参数的模型来表征SET脉冲的形状,建立脉冲参数传播的数据库。使用查找表及经验公式来计算SET脉冲形状参数在逻辑门节点之间的传播。为了模拟SET脉冲在传播过程中的重汇聚,定义... 提出了一种基于向量传播的单粒子瞬态(SET)模拟方法。基于4值参数的模型来表征SET脉冲的形状,建立脉冲参数传播的数据库。使用查找表及经验公式来计算SET脉冲形状参数在逻辑门节点之间的传播。为了模拟SET脉冲在传播过程中的重汇聚,定义了4种重汇聚模式,并给出对应的等效脉冲计算方法。提出的基于向量传播的分析算法能够对SET脉冲的产生、传播及捕获过程进行精确分析。ISCAS'89电路的实验结果表明,该方法与Hspice仿真方法的平均误差为1.827%,计算速度提升了1 700倍。在不损失精度的前提下,该方法可对VLSI电路在通用或特定测试向量下的可靠性进行快速自动分析。 展开更多
关键词 可靠性 软错误率 粒子 重汇聚
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基于130nm CMOS工艺抗单粒子翻转和单粒子瞬态加固技术研究 被引量:3
19
作者 巨艇 王轩 +2 位作者 张健 赖晓玲 周国昌 《空间电子技术》 2016年第3期63-67,共5页
在空间辐射环境下,CMOS集成电路易受到单粒子翻转和单粒子瞬态的影响,可导致器件功能异常。文章首先分析了几种典型的加固技术,并从触发器的电路结构和物理版图出发,提出了一种基于130nm CMOS工艺抗单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲的触发器... 在空间辐射环境下,CMOS集成电路易受到单粒子翻转和单粒子瞬态的影响,可导致器件功能异常。文章首先分析了几种典型的加固技术,并从触发器的电路结构和物理版图出发,提出了一种基于130nm CMOS工艺抗单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲的触发器单元加固设计方法。并结合设计方法,实现了抗辐射加固触发器的设计,通过仿真分析验证了设计的正确性。 展开更多
关键词 触发器 粒子翻转 粒子 抗辐射加固
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一种模拟单粒子瞬态产生和测量方法 被引量:1
20
作者 何怡刚 赵明 +1 位作者 周健波 张钟韬 《计算机测量与控制》 2020年第10期51-54,共4页
为了提高利用静态随机存取存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)评估集成电路单粒子瞬态(SET)的精度,在瞬态脉冲的产生方面以及瞬态脉冲在FPGA中的传播特性方面进行了研究;提出一种基于IDELAY2延迟元件的瞬态脉冲产生和测量方法,利用... 为了提高利用静态随机存取存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)评估集成电路单粒子瞬态(SET)的精度,在瞬态脉冲的产生方面以及瞬态脉冲在FPGA中的传播特性方面进行了研究;提出一种基于IDELAY2延迟元件的瞬态脉冲产生和测量方法,利用该方法可以连续产生和测量宽度增量为78 ps的正脉冲(0-1-0)和负脉冲(1-0-1),同时在FPGA内部实现8种不同的门电路逻辑链,研究它们对瞬态脉冲宽度的影响;实验结果表明该瞬态脉冲产生和测量方法实现简单,可以在不改变电路布局布线的前提下,改变注入脉冲的宽度,且计算得到的理论脉冲宽度与实际测量的误差小于7%,同时8种不同的门电路逻辑链对瞬态脉冲宽度的影响和门类型以及脉冲类型有关,与初始输入瞬态脉冲宽度无关。 展开更多
关键词 粒子效应 IDELAY2延迟元件 SRAM型FPGA 传播特性
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